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公开(公告)号：CN119677900A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202380055877.8
申请日：2023-06-20
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是3C‑SiC层叠基板的制造方法，其特征在于，具有：在第一单晶硅基板上使3C‑SiC单晶薄膜进行外延生长的步骤；在所述3C‑SiC单晶薄膜的上表面贴合支承基板的步骤；以及去除所述第一单晶硅基板以制造3C‑SiC层叠基板的步骤。目的是由此提供一种3C‑SiC层叠基板的制造方法。特别是提供一种得到200mmφ和300mmφ这样的大直径的3C‑SiC层叠基板的方法。
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