公开(公告)号：CN113994032B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202080044129.6

申请日：2020-04-30

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 萩本和德 ,  后藤正三郎

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/02

Abstract: 本发明是一种电子器件用基板，其是在单晶硅的接合基板上形成了氮化物半导体膜的基板，其特征在于，所述接合基板是接合了多个单晶硅基板而成的基板，厚度大于2000μm，所述多个单晶硅基板是通过CZ法制造的基板，电阻率为0.1Ωcm以下。由此，提供一种在将氮化物半导体膜形成在硅基板上的电子器件用基板中抑制了翘曲并且能够用于高耐压产品的电子器件用基板及其制造方法。

公开(公告)号：CN118251519A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202280078328.8

申请日：2022-10-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 久保埜一平 ,  土屋庆太郎 ,  萩本和德 ,  三原佳祐 ,  菅原孝世

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C30B25/18 ,  C30B29/06 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体基板，其是在硅单晶基板上形成有氮化物半导体薄膜的氮化物半导体基板，所述硅单晶基板的碳浓度为5×1016个原子/cm3以上且2×1017个原子/cm3以下。由此，可提供一种对塑化变形具有耐性的氮化物半导体基板及其制造方法。

公开(公告)号：CN118019883A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202280065476.6

申请日：2022-09-02

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 萩本和德

IPC: C30B33/04 ,  H01L21/205 ,  H01L21/263 ,  H01L21/322 ,  C30B29/38

Abstract: 本发明涉及氮化物半导体晶圆的制造方法，其为在硅单晶基板上形成氮化物半导体膜的氮化物半导体晶圆的制造方法，所述制造方法的特征在于，作为所述硅单晶基板，使用掺杂有5×1014个原子/cm3以上且5×1016个原子/cm3以下的浓度的氮的硅单晶基板，所述制造方法包含下述工序：在所述硅单晶基板上形成所述氮化物半导体膜的工序；及通过对所述硅单晶基板照射电子射线，从而使所述硅单晶基板较照射前高电阻率化的工序。由此，可提供一种氮化物半导体晶圆的制造方法，该方法在通过使氮化物半导体膜在硅单晶基板上生长而形成的氮化物半导体晶圆中，能够防止通过进行电子束照射而形成了高电阻率的硅单晶基板的电阻率因外延生长或其他热处理工序而复原并降低。

公开(公告)号：CN117836477A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202280056843.6

申请日：2022-08-09

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 萩本和德

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/02 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明为一种氮化物半导体基板，其在由单晶硅构成的成膜用基板上成膜有氮化物半导体薄膜，所述氮化物半导体基板的特征在于，在所述成膜用基板的外周部形成有氮化硅膜，在所述成膜用基板和所述氮化硅膜上形成有AlN膜，在所述AlN膜上形成有所述氮化物半导体薄膜。由此，提供一种当使AlN层在硅基板上外延生长并使GaN层或AlGaN层在AlN层上外延生长时，在边缘部无反应痕迹及多晶生长部分的氮化物半导体基板及其制造方法。

公开(公告)号：CN117413345A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202280038611.8

申请日：2022-03-03

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 久保埜一平 ,  萩本和德 ,  篠宫胜

IPC: H01L21/20

Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体基板，其具备成膜用基板与在该成膜用基板上成膜的氮化物半导体薄膜，所述成膜用基板包含结合有多个层的复合基板及形成在该复合基板上的单晶硅层，所述氮化物半导体基板的特征在于，所述氮化物半导体薄膜包含GaN层，所述GaN层至少掺杂有1×1019原子/cm3以上且小于5×1020原子/cm3的碳和/或5×1018原子/cm3以上且小于5×1020原子/cm3的铁。由此，能够提供一种提高了高频特性的氮化物半导体基板及其制造方法。

公开(公告)号：CN106068547B

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201580011736.1

申请日：2015-02-10

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 萩本和德 ,  篠宫胜 ,  土屋庆太郎 ,  后藤博一 ,  佐藤宪 ,  鹿内洋志 ,  小林昇一 ,  栗本宏高

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/02 ,  C23C16/34 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0254 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L29/2003

Abstract: 本发明为一种外延晶圆的制造方法，该外延晶圆在硅系基板上具有外延层，该外延晶圆的制造方法的特征在于，在对所述硅系基板的外周部进行平台加工后，使半导体层在所述硅系基板上外延生长。由此，提供一种在硅系基板上具有外延层的外延晶圆的制造方法，该外延晶圆的制造方法能够获得一种完全无裂痕的外延晶圆。

公开(公告)号：CN119816631A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202380065254.9

申请日：2023-07-12

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 松原寿树 ,  土屋庆太郎 ,  萩本和德 ,  阿部达夫 ,  大槻刚

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C30B25/18 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明为一种带氮化物半导体层的单晶硅基板，其具有单晶硅基板、在所述单晶硅基板上外延生长而成的3C‑SiC单晶膜及在所述3C‑SiC单晶膜上外延生长而成的氮化物半导体层，所述带氮化物半导体层的单晶硅基板的特征在于，在所述单晶硅基板整体形成有位错，将所述位错平面投影于所述单晶硅基板时的长度(位错长度)为1mm以上，所述位错的密度为10/cm2以上。由此，可提供带氮化物半导体层的单晶硅基板及带氮化物半导体层的单晶硅基板的制造方法，该带氮化物半导体层的单晶硅基板为200mm或300mm这样的大直径的带氮化物半导体层的单晶硅基板，其使用了一般厚度的Si基板，降低了翘曲，尤其没有产生破裂。

公开(公告)号：CN118414455A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202280079606.1

申请日：2022-10-31

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 萩本和德 ,  菅原孝世 ,  久保埜一平 ,  阿贺浩司 ,  石塚彻

IPC: C30B29/38 ,  C30B33/06 ,  C30B25/18 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明是一种电子器件用基板，其在单晶硅的结合基板上形成有氮化物半导体膜，所述结合基板是由晶面方位为{111}的第一单晶硅基板与晶面方位为{100}的第二单晶硅基板经由氧化膜结合而成的基板，所述第一基板在 方向上形成有缺口，所述第二基板在 方向或 方向上形成有缺口，所述第一基板的 方向与所述第二基板的 方向在‑15°～15°的角度范围内结合，在所述结合基板的所述第一基板的表面上形成有所述氮化物半导体膜。由此，提供一种破坏强度较高的电子器件用基板及其制造方法，该电子器件用基板在单晶硅上形成有氮化物半导体，并且抑制滑移、破裂等的发生。

公开(公告)号：CN109716492A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201780054582.3

申请日：2017-02-24

Applicant: 三垦电气股份有限公司 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 佐藤宪 ,  鹿内洋志 ,  筱宫胜 ,  土屋庆太郎 ,  萩本和德

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明为一种半导体装置用基板，包含：基板；缓冲层，设置于该基板上且由氮化物半导体所构成；以及装置活性层，设置于该缓冲层上且自氮化物半导体所构成，其中该缓冲层具有：第一区域，含有碳与铁；以及第二区域，于该第一区域上，其铁的平均浓度低于该第一区域，其碳的平均浓度高于该第一区域，其中该第二区域的碳的平均浓度低于该第一区域的铁的平均浓度。由此提供在能抑制纵方向漏电流且抑制装置的高温动作时的横方向漏电流的同时，能抑制电流崩溃现象的半导体装置用基板。

公开(公告)号：CN108886000A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201680081872.2

申请日：2016-02-26

Applicant: 三垦电气株式会社 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 鹿内洋志 ,  佐藤宪 ,  篠宫胜 ,  土屋庆太郎 ,  萩本和德

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/20 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/20 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 该半导体基体的特征在于具有：硅系基板；硅系基板上的缓冲层，所述缓冲层包括反复配置的一层，其中第一层由包含第一材料的氮化物系化合物半导体形成，第二层由包含第二材料的氮化物半导体形成，所述第二材料的晶格常数比第一材料大；以及通道层，其由包含第二材料的氮化物系化合物半导体形成，所述通道层形成在缓冲层上。半导体基体的特征还在于：缓冲层具有作为第一层上的至少一层，所述一层位于第一层和第二层之间，第一组成倾斜层由氮化物系化合物半导体形成，所述第一组成倾斜层具有在向上方向上逐渐增加的第二材料组成比例，以及在向上方向上逐渐减小的第一材料组成比例，并且，作为在所述第二层上的至少一层，所述一层在第二层和第一层之间，第二组成倾斜层由氮化物系化合物半导体形成，所述第二组成倾斜层具有在向上方向上逐渐增加的第一材料组成比例，和向上方向上逐渐减少的第二材料组成比例；第一组成倾斜层比第二组成倾斜层厚。因此，提供了即使在多层缓冲层的层之间提供组成倾斜层的情况下也能够抑制结晶度劣化和裂缝长度增加的半导体基体，所述组成倾斜层的晶格常数变化量大于0.7％/nm。