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公开(公告)号：CN117413345A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202280038611.8
申请日：2022-03-03
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体基板，其具备成膜用基板与在该成膜用基板上成膜的氮化物半导体薄膜，所述成膜用基板包含结合有多个层的复合基板及形成在该复合基板上的单晶硅层，所述氮化物半导体基板的特征在于，所述氮化物半导体薄膜包含GaN层，所述GaN层至少掺杂有1×1019原子/cm3以上且小于5×1020原子/cm3的碳和/或5×1018原子/cm3以上且小于5×1020原子/cm3的铁。由此，能够提供一种提高了高频特性的氮化物半导体基板及其制造方法。
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公开(公告)号：CN106068547B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201580011736.1
申请日：2015-02-10
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/02 , C23C16/34 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/0254 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L29/2003
Abstract: 本发明为一种外延晶圆的制造方法，该外延晶圆在硅系基板上具有外延层，该外延晶圆的制造方法的特征在于，在对所述硅系基板的外周部进行平台加工后，使半导体层在所述硅系基板上外延生长。由此，提供一种在硅系基板上具有外延层的外延晶圆的制造方法，该外延晶圆的制造方法能够获得一种完全无裂痕的外延晶圆。
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公开(公告)号：CN112753092B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN201980062141.7
申请日：2019-09-06
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/20 , C30B25/18 , C30B29/38 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种外延片的制造方法，该制造方法具有：准备在外周部具有倒角部的硅系基板的工序；在所述硅系基板的所述倒角部，形成沿着所述倒角部的内周缘的圆环状的沟槽的工序；以及在形成有所述沟槽的所述硅系基板上进行外延生长的工序。由此，提供一种可抑制产生在外周倒角部的裂缝向中心部方向伸长的外延片的制造方法。
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公开(公告)号：CN106068547A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201580011736.1
申请日：2015-02-10
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/02 , C23C16/34 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/0254 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L29/2003
Abstract: 本发明为一种外延晶圆的制造方法，该外延晶圆在硅系基板上具有外延层，该外延晶圆的制造方法的特征在于，在对所述硅系基板的外周部进行平台加工后，使半导体层在所述硅系基板上外延生长。由此，提供一种在硅系基板上具有外延层的外延晶圆的制造方法，该外延晶圆的制造方法能够获得一种完全无裂痕的外延晶圆。
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公开(公告)号：CN108886000A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201680081872.2
申请日：2016-02-26
IPC: H01L21/338 , H01L21/20 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L21/20 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 该半导体基体的特征在于具有：硅系基板；硅系基板上的缓冲层，所述缓冲层包括反复配置的一层，其中第一层由包含第一材料的氮化物系化合物半导体形成，第二层由包含第二材料的氮化物半导体形成，所述第二材料的晶格常数比第一材料大；以及通道层，其由包含第二材料的氮化物系化合物半导体形成，所述通道层形成在缓冲层上。半导体基体的特征还在于：缓冲层具有作为第一层上的至少一层，所述一层位于第一层和第二层之间，第一组成倾斜层由氮化物系化合物半导体形成，所述第一组成倾斜层具有在向上方向上逐渐增加的第二材料组成比例，以及在向上方向上逐渐减小的第一材料组成比例，并且，作为在所述第二层上的至少一层，所述一层在第二层和第一层之间，第二组成倾斜层由氮化物系化合物半导体形成，所述第二组成倾斜层具有在向上方向上逐渐增加的第一材料组成比例，和向上方向上逐渐减少的第二材料组成比例；第一组成倾斜层比第二组成倾斜层厚。因此，提供了即使在多层缓冲层的层之间提供组成倾斜层的情况下也能够抑制结晶度劣化和裂缝长度增加的半导体基体，所述组成倾斜层的晶格常数变化量大于0.7％/nm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106068546B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201580011705.6
申请日：2015-02-10
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , C23C16/56 , H01L21/20
Abstract: 本发明是一种半导体外延晶圆的制造方法，其特征在于，具有以下步骤：制作步骤，其使半导体层外延生长在硅系基板上来制造外延晶圆；观察步骤，其观察所述制作而成的外延晶圆的外周部；以及，去除步骤，其将在所述观察步骤中观察到的裂痕、外延层剥落及反应痕迹的部分加以除去。由此，提供一种半导体外延晶圆的制造方法，该方法可获得完全无裂痕的半导体外延晶圆。
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公开(公告)号：CN106068546A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201580011705.6
申请日：2015-02-10
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , C23C16/56 , H01L21/20
CPC classification number: C30B33/00 , C23C16/34 , C23C16/56 , C30B25/00 , C30B25/183 , C30B29/406 , C30B33/10 , H01L21/02013 , H01L21/02019 , H01L21/02021 , H01L21/02024 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/7806 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L29/2003 , H01L29/32
Abstract: 本发明是一种半导体外延晶圆的制造方法，其特征在于，具有以下步骤：制作步骤，其使半导体层外延生长在硅系基板上来制造外延晶圆；观察步骤，其观察所述制作而成的外延晶圆的外周部；以及，去除步骤，其将在所述观察步骤中观察到的裂痕、外延层剥落及反应痕迹的部分加以除去。由此，提供一种半导体外延晶圆的制造方法，该方法可获得完全无裂痕的半导体外延晶圆。
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公开(公告)号：CN112753092A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201980062141.7
申请日：2019-09-06
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/20 , C30B25/18 , C30B29/38 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种外延片的制造方法，该制造方法具有：准备在外周部具有倒角部的硅系基板的工序；在所述硅系基板的所述倒角部，形成沿着所述倒角部的内周缘的圆环状的沟槽的工序；以及在形成有所述沟槽的所述硅系基板上进行外延生长的工序。由此，提供一种可抑制产生在外周倒角部的裂缝向中心部方向伸长的外延片的制造方法。
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