公开(公告)号：CN107564979B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201610502875.0

申请日：2016-07-01

申请人： 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

发明人： 张金 ,  魏洋 ,  姜开利 ,  范守善

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L51/4213 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C22C26/00 ,  C22C2026/002 ,  C30B29/46 ,  C30B33/00 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0562 ,  Y02E10/549 ,  Y10S977/75 ,  Y10S977/827 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/938 ,  Y10S977/954

摘要： 一种光探测器，其包括一纳米异质结构、一第一电极、一第二电极、一电流探测元件及一电源，该纳米异质结构包括一第一碳纳米管、一半导体层及一第二碳纳米管，所述第一碳纳米管与第一电极电连接，所述第二碳纳米管与第二电极电连接，所述第一电极和第二电极与电流探测元件电连接，所述电源与第一电极、第二电极电连接，所述第一电极、第二电极、电流探测元件以及电源形成一回路结构。

公开(公告)号：CN107002284B

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201580064055.1

申请日：2015-11-25

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 今井克宏 ,  岩井真 ,  下平孝直

IPC分类号： C30B29/38 ,  C23C16/01 ,  C30B9/00 ,  C30B25/18 ,  C30B33/00 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L33/0079 ,  C23C16/01 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4418 ,  C30B9/00 ,  C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  C30B33/02 ,  C30B33/04 ,  C30B33/06 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L33/007

摘要： 准备出包括蓝宝石基板和设置在该蓝宝石基板上的13族元素氮化物层的复合基板。13族元素氮化物层由氮化镓、氮化铝或氮化镓铝形成。复合基板满足关系式(1)、(2)及(3)。通过自蓝宝石基板侧对复合基板照射激光来分解蓝宝石基板与13族元素氮化物层的界面的晶格键。5.0≤(13族元素氮化物层的平均厚度(μm))/所述蓝宝石基板的直径(mm)≤10.0····(1)；0.1≤所述复合基板的翘曲量(mm)×(50/所述复合基板的直径(mm))2≤0.6····(2)；1.10≤所述13族元素氮化物层的厚度的最大值(μm)/所述13族元素氮化物层的厚度的最小值(μm)····(3)。

公开(公告)号：CN109648065A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201910104367.0

申请日：2019-02-01

申请人： 中国科学院金属研究所

发明人： 杨彦红 ,  孟杰 ,  王新广 ,  周亦胄 ,  孙晓峰

IPC分类号： B22D27/20 ,  B22C9/04 ,  C30B33/00

CPC分类号： B22D27/20 ,  B22C9/04 ,  C30B33/00

摘要： 本发明涉及熔模铸造技术，具体为一种单晶高温合金再结晶形成倾向性的评定方法。该评定方法的具体步骤如下：(1)设计具有不同厚度变截面的模具，将陶瓷材料与蜡进行组合，并制成相应的模壳；(2)在定向凝固炉中制成多种合金的单晶铸件；(3)将单晶铸件在一定温度下进行真空热处理；(4)分析铸件中各横截面中再结晶形成比例，定量评价单晶合金的再结晶形成能力。再结晶形成的壁厚越薄，且再结晶所占比例越大，表明合金的再结晶形成倾向性越强。从而，在不改变凝固条件以及不使用模拟技术的前提下，可以定量表征不同单晶高温合金再结晶的形成能力。

公开(公告)号：CN107849692A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680045271.6

申请日：2016-08-18

申请人： 学校法人冲绳科学技术大学院大学学园

发明人： S·施泰因豪尔 ,  V·达尔·辛格 ,  M·I·索万

IPC分类号： C23C16/40 ,  B01J37/02 ,  B82Y40/00

CPC分类号： B01J37/0226 ,  B01J23/892 ,  B01J23/8926 ,  B01J35/0013 ,  B01J35/06 ,  B01J37/14 ,  B01J37/347 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01G3/02 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/16 ,  C01P2004/80 ,  C23C16/40 ,  C30B29/16 ,  C30B29/60 ,  C30B33/00

摘要： 一种通过具有沉积室和与其连接的聚集室的真空沉积系统制造经纳米颗粒修饰的纳米线的方法，所述方法包括：在沉积室中安放金属部件；对氧气气氛下的沉积室中的金属部件进行热氧化，以在金属部件的表面上生长金属氧化物纳米线；在不破坏真空沉积系统的真空的情况下，在与沉积室连接的聚集室中产生催化金属颗粒簇的蒸气；和在不破坏真空沉积系统的真空的情况下，将所产生的催化金属颗粒簇输送到沉积室中，从而以由催化金属颗粒制成的催化金属纳米颗粒对金属氧化物纳米线进行修饰。

公开(公告)号：CN105556649B

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：CN201480051759.0

申请日：2014-05-30

申请人： 新日铁住金高新材料株式会社

发明人： 小岛清 ,  中林正史 ,  下村光太 ,  永畑幸雄

IPC分类号： H01L21/66 ,  C30B23/06 ,  C30B29/36

CPC分类号： G01N21/9505 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  G01L1/24 ,  G01N21/65 ,  G01N2201/06113 ,  H01L22/12

摘要： 本发明提供评价碳化硅(SiC)单晶晶片的内应力的方法、以及评价晶片的内应力来预测研磨完成后的SiC单晶晶片的翘曲的方法。在SiC单晶晶片面内的两点测定拉曼散射光的波数位移量，通过其差量来评价内应力。另外，翘曲的预测方法是事前预测利用升华再结晶法制造的碳化硅单晶晶片的翘曲的方法，使用所述的评价指标来预测SiC单晶晶片的翘曲。

公开(公告)号：CN104979184B

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201510176570.0

申请日：2012-10-02

申请人： 旭硝子株式会社

发明人： 吉田伊织 ,  竹宫聪 ,  朝长浩之

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/205 ,  C09K3/14 ,  C30B29/36 ,  C30B33/10

CPC分类号： C09G1/04 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02024 ,  H01L29/1608 ,  Y10T428/24355

摘要： 本发明涉及碳化硅单晶基板，其具备具有包含来源于结晶结构的原子台阶和平台的原子台阶‑平台结构的主面，所述原子台阶‑平台结构中，所述原子台阶的前端线部的平均线粗糙度相对于所述原子台阶的高度的比例为20％以下。

公开(公告)号：CN107564947A

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201610502944.8

申请日：2016-07-01

申请人： 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

发明人： 张金 ,  魏洋 ,  姜开利 ,  范守善

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L51/0048 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B29/46 ,  C30B33/00 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0562 ,  H01L51/4213 ,  Y10S977/75 ,  Y10S977/827 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/938 ,  Y10S977/954

摘要： 本发明提供一种纳米异质结构。该纳米异质结构包括一第一碳纳米管，该第一碳纳米管朝一第一方向延伸；一半导体层，该半导体层的厚度为1~100纳米；一第二碳纳米管，该第二碳纳米管设置于所述半导体层的表面，使半导体层设置于第一碳纳米管和第二碳纳米管之间，该第二碳纳米管朝一第二方向延伸，第二方向和第一方向形成一夹角，该夹角大于0度小于等于90度。

公开(公告)号：CN106835275A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710101532.8

申请日：2017-02-23

申请人： 哈尔滨工业大学

发明人： 朱嘉琦 ,  舒国阳 ,  代兵 ,  刘康 ,  赵继文 ,  姚凯丽 ,  王强 ,  王杨 ,  孙明琪 ,  杨磊 ,  雷沛 ,  韩杰才

IPC分类号： C30B29/04 ,  C30B25/14 ,  C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  C30B33/00 ,  C30B33/10

CPC分类号： C30B29/04 ,  C30B25/025 ,  C30B25/14 ,  C30B25/16 ,  C30B25/186 ,  C30B33/00 ,  C30B33/10

摘要： 一种采用垂直沉积模板制备单晶金刚石反蛋白石的方法，本发明涉及单晶金刚石反蛋白石的制备方法。本发明要解决现有的金刚石反蛋白石结构只能制备出多晶体，从而导致其力学、光学和热学综合性能的下降的问题。方法：一、金刚石晶片预处理；二、SiO2微球预处理；三、SiO2多层微球自组装；四、掩模板处理；五、反蛋白石单晶金刚石生长；六、生长后处理；七、掩模板去除。本发明用于一种采用垂直沉积模板制备单晶金刚石反蛋白石的方法。

公开(公告)号：CN106757350A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710080663.2

申请日：2017-02-15

申请人： 宁夏钜晶源晶体科技有限公司

发明人： 张学锋 ,  董学祥 ,  梁斌

IPC分类号： C30B29/30 ,  C30B33/00

CPC分类号： C30B29/30 ,  C30B33/00

摘要： 一种镁蒸气还原钽酸锂晶片的装置，包括炉体、旋转支架及真空装置，所述炉体内盛装有镁粉，所述真空装置与所述炉体连接，本发明的装置设置了炉体、内炉管、旋转支架及真空装置，通过旋转支架对钽酸锂晶片进行装夹，在还原过程中旋转钽酸锂晶片，保证蒸出的镁蒸汽均匀接触钽酸锂晶片，进一步保证了钽酸锂晶片还原的均匀性，通过真空装置实现了对镁蒸气还原钽酸锂晶片的装置的抽真空，实现了对镁粉进行气化，利用生成的镁蒸汽作为还原剂对钽酸锂晶片进行还原，大幅提升了钽酸锂晶片还原的均匀性，石墨材质的内炉管的表面不易形成氧化物膜，避免了内炉管的材料与还原剂气体发生反应。

公开(公告)号：CN106663643A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580030897.5

申请日：2015-03-16

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 荒谷崇

IPC分类号： H01L21/66 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00

CPC分类号： G01R31/2639 ,  C30B15/20 ,  C30B15/30 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  C30B33/005 ,  C30B33/02 ,  H01L22/12 ,  H01L22/14 ,  H01L22/20

摘要： 本发明提供一种半导体基板的缺陷区域的评价方法，其根据形成于半导体基板上的MOS结构的C‑V特性来评价半导体基板的缺陷区域，该评价方法的特征在于，预先使用已知缺陷区域的类型的半导体基板，在与评价作为评价对象的半导体基板的缺陷区域时相同的热处理条件、以及C‑V特性评价条件下，求出缺陷区域与平带电压或固定电荷密度的关系，在对作为评价对象的半导体基板的缺陷区域的评价中，根据由形成于半导体基板上的MOS结构的C‑V特性求出的平带电压或固定电荷密度，基于预先求出的缺陷区域与平带电压或固定电荷密度的关系，对作为评价对象的半导体基板的缺陷区域进行判定。由此，提供一种即使氧浓度低也能够以简便的方法判定半导体基板的缺陷区域的半导体基板的缺陷区域的评价方法。