公开(公告)号：CN106024855B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201610188505.4

申请日：2016-03-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H-J·舒尔策 ,  H·奥弗纳

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/223

CPC classification number: H01L29/36 ,  C30B29/06 ,  C30B31/06 ,  C30B33/00 ,  C30B33/005 ,  H01L21/02005

Abstract: 公开了半导体晶片和制造方法。半导体晶片包括：第一主表面和第二主表面，沿着竖直方向彼此相反；以及侧表面，环绕半导体晶片。在侧表面和半导体晶片的中心之间的垂直于竖直方向的横向距离包括第一部分和第二部分。第一部分从侧表面延伸到第二部分，并且第二部分从第一部分延伸到中心。第一部分中的氮和氧中的至少之一的平均浓度大于5x 1014cm‑3并且超过第二部分中的氮和氧中的至少之一的平均浓度(第二部分中的氮和氧中的至少之一的平均浓度的)多于20％。

公开(公告)号：CN109628994A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201910029192.1

申请日：2019-01-12

Applicant: 河南大学

Inventor： 朱宝华 ,  王桂霞 ,  张智豪 ,  顾玉宗

IPC: C30B29/02 ,  C30B1/10 ,  C30B33/00 ,  C09K11/70 ,  B82Y20/00

CPC classification number: C30B29/02 ,  B82Y20/00 ,  C09K11/70 ,  C30B1/10 ,  C30B33/00

Abstract: 本发明涉及一种正交黑磷晶体的制备方法及利用该正交黑磷晶体制备的黑磷量子点。所述正交晶系黑磷晶体的制备为：将红磷、单质Sn、与单质I2一同密封于石英管中，放于单温区管式炉中，通过优化的程序升温和降温制备黑磷单晶；黑磷量子点的制备为：将上述制备的黑磷单晶磨成粉末分散于NMP溶液中，搅拌，得到溶液A，将NaOH分散于NMP溶液中，搅拌均匀得到溶液B，将溶液A加入溶液B中，然后高温反应4～32h制备黑磷量子点。本发明成本较低，对设备要求低，易实现和较高的操作安全性，制得的黑磷单晶性能好，纯度高，为后续黑磷量子点的制备提供了高质量的黑磷源。而且黑磷量子点的制备可规模化，效率高，通过控制时间控制量子点尺寸的优点。

公开(公告)号：CN108930060A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201810722327.8

申请日：2012-11-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 薛森鸿 ,  陈步芳 ,  王祥保

IPC: C30B15/00 ,  C30B15/04 ,  C30B15/20 ,  C30B15/22 ,  C30B29/06 ,  C30B31/02 ,  C30B31/04 ,  C30B31/16 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/322 ,  H01L21/762 ,  H01L29/36 ,  H01L29/78

CPC classification number: C30B15/04 ,  C30B15/00 ,  C30B15/203 ,  C30B15/206 ,  C30B15/22 ,  C30B29/06 ,  C30B31/02 ,  C30B31/04 ,  C30B31/165 ,  C30B33/00 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3225 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/365 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种用于为半导体晶圆提供支承的系统和方法。实施例包括从半导体晶锭分离半导体晶圆之前，在半导体晶锭形成期间引入空位增强原料。空位增强原料在半导体晶锭内以高密度形成空位，并且所述空位在诸如退火的高温度工艺期间在半导体晶圆内形成体微缺陷。这些体微缺陷有助于在后续工艺期间提供支承和增强半导体晶圆并且有助于减少或者消除可能出现的指纹覆盖。本发明还提供了半导体结构和方法。

公开(公告)号：CN104272432B

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201380024083.1

申请日：2013-05-07

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  川合信

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/04 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L23/3735 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  C30B33/06 ,  H01L21/187 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L23/3731 ,  H01L23/3732 ,  H01L23/3738 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及放热基板，其特征在于，是由2层组成的复合基板，表层(第一层)1由单晶硅构成，处理基板(第二层)2由热导率比第一层高的材料构成，本发明涉及的放热基板给予高的放热性。

公开(公告)号：CN104781057B

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201380048864.4

申请日：2013-03-15

Applicant: 希波特公司 ,  首尔半导体股份有限公司

Inventor： 桥本忠朗 ,  艾德华·里特斯 ,  锡拉·霍夫

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/203 ,  B28D5/04 ,  B24B1/04 ,  C30B7/10 ,  C30B33/10

CPC classification number: H01L29/201 ,  C30B7/105 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  C30B33/10 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02019 ,  H01L29/2003

Abstract: 本发明揭示一种其中一个表面在视觉上可区别于另一个表面的第III族氮化物晶片(例如GaN、AlN、InN和其合金)。在利用机械方法(例如多线锯)从第III族氮化物块晶切割所述晶片后，化学蚀刻所述晶片以使所述晶片的一个表面在视觉上可区别于另一个表面。本发明还揭示一种制造此类晶片的方法。

公开(公告)号：CN107564979A

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201610502875.0

申请日：2016-07-01

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 张金 ,  魏洋 ,  姜开利 ,  范守善

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L51/4213 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C22C26/00 ,  C22C2026/002 ,  C30B29/46 ,  C30B33/00 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0562 ,  Y02E10/549 ,  Y10S977/75 ,  Y10S977/827 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/938 ,  Y10S977/954

Abstract: 一种光探测器，其包括一纳米异质结构、一第一电极、一第二电极、一电流探测元件及一电源，该纳米异质结构包括一第一碳纳米管、一半导体层及一第二碳纳米管，所述第一碳纳米管与第一电极电连接，所述第二碳纳米管与第二电极电连接，所述第一电极和第二电极与电流探测元件电连接，所述电源与第一电极、第二电极电连接，所述第一电极、第二电极、电流探测元件以及电源形成一回路结构。

公开(公告)号：CN107564946A

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201610502943.3

申请日：2016-07-01

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 张金 ,  魏洋 ,  姜开利 ,  范守善

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L51/0562 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B29/46 ,  C30B33/00 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/4213 ,  Y10S977/75 ,  Y10S977/827 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/938 ,  Y10S977/954

Abstract: 一种纳米晶体管，该纳米晶体管包括一源极、一漏极、一纳米异质结构及一栅极，该纳米异质结构与该源极和漏极电连接，该栅极通过一绝缘层与该纳米异质结构、源极及漏极绝缘设置，所述纳米异质结构包括：一第一碳纳米管，该第一碳纳米管朝一第一方向延伸；一半导体层，该半导体层的厚度为1~100纳米；一第二碳纳米管，该第二碳纳米管设置于所述半导体层的表面，使半导体层设置于第一碳纳米管和第二碳纳米管之间，该第二碳纳米管朝一第二方向延伸，第二方向和第一方向形成一夹角，该夹角大于0度小于等于90度。

公开(公告)号：CN107282931A

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201710562717.9

申请日：2017-07-11

Applicant: 广州克思曼研磨科技有限公司

Inventor： 雷云 ,  雷英喜

IPC: B22F5/00 ,  B22F1/00 ,  B22F3/02 ,  C30B33/00

CPC classification number: B22F5/00 ,  B22F1/0059 ,  B22F3/02 ,  B22F2001/0066 ,  B22F2005/001 ,  C30B33/00

Abstract: 本发明公开了一种专用研磨树脂铜盘，包括树脂结合剂15-37％、铜粉60-85％、固化剂0.4-1.5％、助剂0.6-2％。本发明的专用研磨树脂铜盘可以提升工件的研磨效率，提高研磨精度，节约研磨成本等，可以替代进口树脂铜盘。本发明还公开了一种专用研磨树脂铜盘的制备方法。

公开(公告)号：CN107151817A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201610120860.8

申请日：2016-03-03

Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司

Inventor： 肖德元 ,  张汝京

IPC: C30B15/00 ,  C30B29/06 ,  C23C16/34 ,  C23C16/513

CPC classification number: C30B15/22 ,  B24B7/228 ,  B24B9/065 ,  C30B15/04 ,  C30B15/203 ,  C30B29/06 ,  C30B30/04 ,  C30B33/00 ,  C30B15/00 ,  C23C16/345 ,  C23C16/513

Abstract: 本发明提供一种单晶硅的生长方法，是以柴氏拉晶法，将置于坩埚内的硅原料熔化而形成熔体，并提拉该熔体而使单晶硅生长的方法，在形成熔体时通入包括氩气气体；以及在提拉步骤中施加磁场。本发明亦提供一种以该单晶硅制备晶圆的方法。

公开(公告)号：CN106702492A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201710102563.5

申请日：2017-02-24

Applicant: 江西德义半导体科技有限公司

Inventor： 易德福 ,  守建川

IPC: C30B29/42 ,  C30B11/00 ,  C30B33/00

CPC classification number: C30B29/42 ,  C30B11/00 ,  C30B33/00

Abstract: 本发明公开了一种砷化镓超薄衬底及应用，所述砷化镓超薄衬底的形状为正六边形，所述砷化镓超薄衬底的内部包括至少两个边长依次减小的多孔正六边形，呈窝蜂状。其加工方法为材料提纯、多晶料制备、晶体生长、切片、磨边、研磨、腐蚀、粗抛和精抛、清洗、光刻腐蚀，该超薄砷化镓衬底应用于热核电池，可有效增强热核电池对放射源辐射能量的吸收效果，提高转换效率，电池输出的电压和电流可达到0‑4V、0.8‑2A。