公开(公告)号：CN108441940A

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201810193525.X

申请日：2013-09-13

Applicant: LG矽得荣株式会社

Inventor： 沈遇荣

IPC: C30B15/20 ,  C30B29/06 ,  C30B31/04 ,  H01L21/322 ,  H01L29/32

CPC classification number: H01L22/10 ,  C30B15/203 ,  C30B29/06 ,  C30B31/04 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3225 ,  H01L21/324 ,  H01L29/32

Abstract: 提供了一种硅单晶晶片。该硅单晶晶片包括被分成NiG区域和NIDP区域的IDP，其中，所述IDP区域为未检测到Cu基缺陷的区域，所述NiG区域为检测到Ni基缺陷的区域，以及所述NIPD区域为未检测到Ni基缺陷的区域。

公开(公告)号：CN106687625A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201580048867.7

申请日：2015-08-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 高岛祥 ,  宫原祐一 ,  岩崎淳

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/20

CPC classification number: C30B15/22 ,  C30B15/20 ,  C30B15/203 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明是一种单晶的制造方法，其特征在于，在将熔融液面上的炉内构造物设置于提拉室的状态下测量从位于所述熔融液面上的规定高度的基准高度位置到所述炉内构造物的下端部的距离，并求出该测量的距离与预先设定的从所述基准高度位置到所述炉内构造物的下端部的距离的差即下端部位置误差，通过将该下端部位置误差与从所述基准高度位置到熔融液面位置的距离相加，从而求出从所述熔融液面到所述基准高度位置的目标距离，使从所述熔融液面的初始位置到所述基准高度位置的距离成为所述目标距离，从而将所述间隔调整成规定距离。由此，即使未在炉内局部性地设置要求精度的位置、且更换构成炉内构造物的部件的情况下，也能够将熔液表面间隔调整成规定距离。

公开(公告)号：CN103578976B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201310341923.9

申请日：2013-08-07

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： T·米勒 ,  G·基辛格 ,  D·科特 ,  A·扎特勒

IPC: H01L21/322 ,  C30B15/00 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02

CPC classification number: C30B33/02 ,  C30B15/00 ,  C30B15/04 ,  C30B15/14 ,  C30B15/203 ,  C30B29/06 ,  H01L21/3225 ,  H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  Y10T428/24975

Abstract: 本发明涉及单晶硅半导体晶片及其制造方法。该半导体晶片具有不含BMD缺陷并且从半导体晶片的正面延伸至半导体晶片块体内的区域DZ以及包含BMD缺陷并且从DZ进一步延伸至半导体晶片块体内的区域。所述方法包括根据Czochralski法提拉硅单晶，将单晶加工成为经抛光的单晶硅基底晶片，对基底晶片快速的加热和冷却，对经过快速的加热和冷却的基底晶片缓慢的加热，及将该基底晶片在特定的温度下保持特定的时间。

公开(公告)号：CN104995340A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201480008259.9

申请日：2014-01-31

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 园川将 ,  佐藤亘 ,  三田村伸晃 ,  太田友彦

IPC: C30B29/06 ,  H01L21/322 ,  H01L21/66

CPC classification number: C30B15/203 ,  C30B15/04 ,  C30B15/14 ,  C30B29/06 ,  H01L21/3225 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明提供一种根据CZ法提拉N区域单晶硅棒的单晶硅棒的制造方法，对来自N区域单晶硅棒的样本晶圆实施使氧析出物表面化的热处理，通过进行实施选择蚀刻测定EOSF密度的EOSF检查，和调查浅坑的发生图案的浅坑检查，在根据样本晶圆的缺陷区域的判定结果调整提拉条件，提拉下一个N区域单晶硅棒时，在所述缺陷区域的判定中，在N区域的情况下，也判定是Nv区域内或Ni区域内的哪个部分。由此，提供一种即使不良不发生，也能够根据样本晶圆的检查结果，调整根据CZ法的N区域单晶硅的提拉条件的制造方法。

公开(公告)号：CN103147122A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201310072159.X

申请日：2007-05-18

Applicant: MEMC电子材料有限公司

Inventor： M·S·库尔卡尼

IPC: C30B15/20 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/00 ,  C30B15/14 ,  C30B15/20 ,  C30B15/203 ,  C30B15/206 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明涉及控制CZ生长过程中由硅单晶侧面诱发的附聚点缺陷和氧簇的形成。本发明还涉及制备单晶硅锭的方法，还涉及由其制成的锭块或晶片。在一个实施方案中，该方法包括控制生长速度v和如本文定义的有效或校正的轴向温度梯度，从而在该锭块的给定片段内，在该片段的相当大部分半径范围内，比率v/G有效或v/G校正基本接近其临界值，并在（i）固化和大约1250℃之间、和（ii）大约1250℃和大约1000℃之间控制该片段的冷却速率，以控制其中的本征点缺陷的径向并入效应，并由此在从大约锭片段的侧面向内径向延伸的环中限制附聚本征点缺陷和/或氧沉淀簇的形成。在这种或替代的实施方案中，可以控制轴向温度梯度和/或熔体/固体界面，以限制该环中的附聚本征点缺陷和/或氧沉淀簇的形成。

公开(公告)号：CN101360852B

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN200680051077.5

申请日：2006-12-21

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 江原幸治

IPC: C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/322

CPC classification number: H01L21/3225 ,  C30B15/04 ,  C30B15/203 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明提供一种单晶硅晶片的制造方法，是通过切克劳斯基法来提拉单晶硅晶棒，并对自该晶棒切出的晶片进行快速热处理的单晶硅晶片的制造方法，其预先对自该改变提拉速度而提拉而成的上述晶棒切出的晶片，改变热处理温度来进行快速热处理，接着进行氧化膜耐压测定，求出提拉速度及热处理温度和氧化膜耐压测定结果之间的关系，然后基于该关系，以在上述快速热处理后其径向全面可以成为N区域的方式，来决定提拉速度及热处理温度的条件，进行晶棒的提拉及快速热处理来制造硅单晶晶片。由此，可提供一种能效率良好且确实地制造单晶硅晶片的制造方法，能确保在晶片表层具有DZ层，且在晶片的基体区域形成氧析出物。

公开(公告)号：CN101198727B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200580050122.0

申请日：2005-11-08

Applicant: 胜高股份有限公司

Inventor： 稻见修一 ,  高濑伸光 ,  小暮康弘 ,  滨田建 ,  中村刚

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/20

CPC classification number: C30B15/20 ,  C30B15/203 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明的硅单晶的生长方法，其为通过直拉法生长根据ASTM-F121 1979测得的氧浓度为12×1017～18×1017个原子/cm3的硅单晶的方法。生长单晶的环境气体为惰性气体和含氢原子的物质的气体的混合气体。对生长中的硅单晶的温度进行控制，以使从熔点到1350℃的结晶中心部的轴向温度梯度Gc和从熔点到1350℃的结晶外周部的轴向温度梯度Ge之比Gc/Ge为1.1～1.4、所述结晶中心部的轴向温度梯度Gc为3.0～3.5℃/mm。

公开(公告)号：CN102146581A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201110027762.7

申请日：2011-01-20

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： G·拉明 ,  W·霍伊斯尔 ,  A·扎特勒 ,  A·米勒

IPC: C30B15/00 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/203 ,  C30B15/14 ,  C30B29/06 ,  Y10T428/21

Abstract: 由硅组成的半导体晶片的制造方法，其包括：从坩埚中所包含的熔体以一个拉伸速率拉伸具有直径增加的圆锥形区段及紧接着的直径至少为450mm且长度至少为800mm的圆柱形区段的单晶，在拉伸从圆锥形区段至圆柱形区段的过渡段时的拉伸速率比在拉伸圆柱形区段时的平均拉伸速率高至少1.8倍；以至少20kW的冷却功率冷却生长的单晶；从坩埚的侧壁向生长的单晶导入热量，其中在包围生长的单晶的挡热板与熔体表面之间存在高度至少为70mm的缝隙；及从圆柱形区段切割半导体晶片，其中多个半导体晶片包含从半导体晶片的中心向边缘延伸的具有v型缺陷的圆形区域。还涉及直径为450mm的由硅组成的半导体晶片，其包含从半导体晶片的中心向边缘延伸的具有v型缺陷的区域。

公开(公告)号：CN101187059B

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200710153795.X

申请日：2007-09-25

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： T·米勒 ,  M·韦伯 ,  G·基辛格

IPC: C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/322

CPC classification number: C30B15/203 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  Y10T428/24298 ,  Y10T428/26

Abstract: 本发明涉及具有良好的内在吸收能力的硅晶片及其制造方法，所述硅晶片在其整个体积内晶格空位是主要的点缺陷类型，该硅晶片具有宽度至少为该硅晶片半径的80％的基于其轴旋转对称的区域、密度为0至10cm-2的OSF种子以及在其内部的5×108cm-3至5×109cm-3的平均BMD密度，该BMD密度在该硅晶片的整个半径中在径向上最大改变10倍，而且该硅晶片至少在该硅晶片的正面上具有不含BMD的层，其特征在于，在该硅晶片的整个正面上第一BMD位于至少为5μm的深度，且该第一BMD位于平均至少8μm的深度。

公开(公告)号：CN101403137A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200810168223.3

申请日：2008-10-06

Applicant: 斯尔瑞恩公司

Inventor： 洪宁皓 ,  赵铉鼎 ,  李晟永 ,  申丞镐 ,  李洪雨

IPC: C30B15/20 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/14 ,  C30B15/203 ,  C30B15/206 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明涉及用于制造超低缺陷半导体单晶锭的方法，该方法使用利用将籽晶浸没在容纳在石英坩埚中的半导体熔体中、并在旋转籽晶的同时将其缓慢地提拉而通过固－液界面生长半导体单晶锭的Czochralski工艺，其中，通过根据单晶锭的长度随着单晶锭生长过程进展的变化来增加或减少半导体熔体的表面上的热区来控制无缺陷容许范围。