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公开(公告)号：CN104451889B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201410643571.7
申请日：2011-08-08
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: C30B33/02 , C30B33/04 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/3225 , C30B29/06 , C30B33/02
Abstract: 本发明涉及一种氧浓度为5×1017‑7.5×1017cm‑3的硅片，所述硅片在二选一进行以下热过程之后具有以下BMD密度：‑在780℃下处理3小时并随后在1000℃下处理16小时之后，BMD密度为至多1×108cm‑3；和‑在以1K/min的加热速率下将该硅片从500℃的起始温度加热到1000℃的目标温度并随后在1000℃下保持16小时之后，BMD密度为至少1×109cm‑3，本发明还涉及一种通过用闪光照射来生产所述硅片的方法。
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公开(公告)号：CN110869542A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201880045980.3
申请日：2018-06-25
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: C30B15/04 , C30B15/20 , C30B29/06 , H01L21/322 , C30B25/20
Abstract: 由单晶硅制成的半导体晶片，其根据新ASTM的氧浓度不低于4.9×1017原子/cm3且不超过6.5×1017原子/cm3，根据新ASTM的氮浓度不低于8×1012原子/cm3且不超过5×1013原子/cm3，其中所述半导体晶片的正面覆盖有由硅制成的外延层，其中所述半导体晶片包含八面体形状的BMD，通过IR断层摄影术确定其平均尺寸为13至35nm，其平均密度不低于3×108cm-3且不超过4×109cm-3。
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公开(公告)号：CN103578976B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201310341923.9
申请日：2013-08-07
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: H01L21/322 , C30B15/00 , C30B29/06 , C30B33/02
CPC classification number: C30B33/02 , C30B15/00 , C30B15/04 , C30B15/14 , C30B15/203 , C30B29/06 , H01L21/3225 , H01L29/04 , H01L29/16 , Y10T428/24975
Abstract: 本发明涉及单晶硅半导体晶片及其制造方法。该半导体晶片具有不含BMD缺陷并且从半导体晶片的正面延伸至半导体晶片块体内的区域DZ以及包含BMD缺陷并且从DZ进一步延伸至半导体晶片块体内的区域。所述方法包括根据Czochralski法提拉硅单晶，将单晶加工成为经抛光的单晶硅基底晶片，对基底晶片快速的加热和冷却，对经过快速的加热和冷却的基底晶片缓慢的加热，及将该基底晶片在特定的温度下保持特定的时间。
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公开(公告)号：CN102373509A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110229964.X
申请日：2011-08-08
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: C30B33/02 , C30B33/04 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/3225 , C30B29/06 , C30B33/02
Abstract: 本发明涉及一种氧浓度为5×1017-7.5×1017cm-3的硅片，所述硅片在二选一进行以下热过程之后具有以下BMD密度：-在780℃下处理3小时并随后在1000℃下处理16小时之后，BMD密度为至多1×108cm-3；和-在以1K/min的加热速率下将该硅片从500℃的起始温度加热到1000℃的目标温度并随后在1000℃下保持16小时之后，BMD密度为至少1×109cm-3，本发明还涉及一种通过用闪光照射来生产所述硅片的方法。
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公开(公告)号：CN110869542B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201880045980.3
申请日：2018-06-25
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: H01L21/322 , C30B15/04 , C30B15/20 , C30B29/06 , C30B25/20
Abstract: 由单晶硅制成的半导体晶片，其根据新ASTM的氧浓度不低于4.9×1017原子/cm3且不超过6.5×1017原子/cm3，根据新ASTM的氮浓度不低于8×1012原子/cm3且不超过5×1013原子/cm3，其中所述半导体晶片的正面覆盖有由硅制成的外延层，其中所述半导体晶片包含八面体形状的BMD，通过IR断层摄影术确定其平均尺寸为13至35nm，其平均密度不低于3×108cm‑3且不超过4×109cm‑3。
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公开(公告)号：CN102373509B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201110229964.X
申请日：2011-08-08
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: C30B33/02 , C30B33/04 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/3225 , C30B29/06 , C30B33/02
Abstract: 本发明涉及一种氧浓度为5×1017-7.5×1017cm-3的硅片，所述硅片在二选一进行以下热过程之后具有以下BMD密度：-在780℃下处理3小时并随后在1000℃下处理16小时之后，BMD密度为至多1×108cm-3；和-在以1K/min的加热速率下将该硅片从500℃的起始温度加热到1000℃的目标温度并随后在1000℃下保持16小时之后，BMD密度为至少1×109cm-3，本发明还涉及一种通过用闪光照射来生产所述硅片的方法。
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公开(公告)号：CN104451889A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410643571.7
申请日：2011-08-08
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: C30B33/02 , C30B33/04 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/3225 , C30B29/06 , C30B33/02
Abstract: 本发明涉及一种氧浓度为5×1017-7.5×1017cm-3的硅片，所述硅片在二选一进行以下热过程之后具有以下BMD密度：在780℃下处理3小时并随后在1000℃下处理16小时之后，BMD密度为至多1×108cm-3；和在以1K/min的加热速率下将该硅片从500℃的起始温度加热到1000℃的目标温度并随后在1000℃下保持16小时之后，BMD密度为至少1×109cm-3，本发明还涉及一种通过用闪光照射来生产所述硅片的方法。
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公开(公告)号：CN103578976A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310341923.9
申请日：2013-08-07
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: H01L21/322 , C30B15/00 , C30B29/06 , C30B33/02
CPC classification number: C30B33/02 , C30B15/00 , C30B15/04 , C30B15/14 , C30B15/203 , C30B29/06 , H01L21/3225 , H01L29/04 , H01L29/16 , Y10T428/24975 , H01L21/322
Abstract: 本发明涉及单晶硅半导体晶片及其制造方法。该半导体晶片具有不含BMD缺陷并且从半导体晶片的正面延伸至半导体晶片块体内的区域DZ以及包含BMD缺陷并且从DZ进一步延伸至半导体晶片块体内的区域。所述方法包括根据Czochralski法提拉硅单晶，将单晶加工成为经抛光的单晶硅基底晶片，对基底晶片快速的加热和冷却，对经过快速的加热和冷却的基底晶片缓慢的加热，及将该基底晶片在特定的温度下保持特定的时间。
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