-
公开(公告)号：CN119452463A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202380050361.4
申请日：2023-06-14
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 用于清洁半导体晶圆的清洁模块的盖子和方法，其中在清洁步骤期间，半导体晶圆以竖直定向的方式利用液体进行处理，盖子包括具有楔形横截面的主体、用于将盖子放置在清洁模块上的密封框架、覆盖主体并具有用于将半导体晶圆引入清洁模块的槽的罩和固定在罩上使得其能够在槽的上方移位的支架，其特征在于，盖子具有第一排放通道，该第一排放通道平行于槽并沿着支架的靠近槽的边缘边界机加工于支架的上侧面中；并且盖子具有面板，该面板能够在主体的上方和槽的上方移位；以及盖子具有第二排放通道，第二排放通道平行于槽并沿着面板的靠近槽的边缘边界机加工于面板的上侧面中。支架和面板相互推靠，以便在借助抓取系统放置或接收半导体晶圆期间，槽的宽度被限制在抓取系统的移动所必需的尺寸。
-
公开(公告)号：CN119082866A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411189269.9
申请日：2017-06-13
Applicant: 硅电子股份公司
Inventor： J·哈贝雷希特
IPC: C30B29/06 , H01L21/67 , C30B25/14 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及用于生产经涂布的半导体晶片的方法，其包括：将工艺气体经由第一气体入口沿着第一流动方向引入反应器腔室中并流经半导体材料的衬底晶片，以便在所述衬底晶片上沉积层，所述衬底晶片位于基座上，其中来自所述工艺气体的材料沉积在预热环上，所述预热环围绕所述基座布置；和包括从所述反应器腔室中取出经涂布的衬底晶片；特征在于，在从所述反应器腔室取出经涂布的衬底晶片之后，经由第一气体入口沿着第一流动方向将蚀刻气体引入所述反应器腔室中，并经由第二气体入口沿着与所述第一流动方向相交的另外的流动方向将蚀刻气体引入所述反应器腔室中，蚀刻气体流经所述预热环，由此从所述预热环去除所述材料沉淀，所述第一气体入口布置在所述第二气体入口之间。
-
公开(公告)号：CN115023328B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202180011525.3
申请日：2021-01-18
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: B28D5/04
Abstract: 本发明涉及用于在一系列分离工艺期间通过线锯从工件分离多个晶片的方法，一系列切片操作被细分为初始切割以及第一后续切割和第二后续切割，所述线锯包含锯切线的移动线区段的线网和调节装置，并且线网在两个线引导辊之间的平面中被拉伸，其中两个线引导辊中的每个线引导辊被安装在固定轴承与可移动轴承之间，所述方法包含：在切片操作中的每个切片操作期间，通过调节装置，在工作流体和磨蚀性地作用于所工件上的硬质物质的存在下，沿着垂直于工件轴线且垂直于线网的平面的进料方向，将各工件进料通过线网，其包含：在切片操作中的每个切片操作期间，两个线引导辊的可移动轴承的振荡轴向移动；以及根据校正曲线的要求，通过调节元件，将工件进料通过线网，同时工件沿着工件轴线位移，校正曲线包含振荡分量，所述振荡分量与可移动轴承的轴向移动对切下的晶片的形状所具有的作用相反。
-
公开(公告)号：CN115038823B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202180012478.4
申请日：2021-01-27
Applicant: 硅电子股份公司
Abstract: 用于根据切克劳斯基法提拉硅单晶的熔凝石英坩埚，其具有内侧，在该内侧上具有形成表面的熔凝石英的内层，所述内层提供有结晶促进剂，在指定用途在晶体提拉中加热所述熔凝石英坩埚时，所述结晶促进剂使熔凝石英结晶，以形成β‑方晶石，其特征在于，在距所述表面的距离d处，合成获得的SiO2的浓度C大于距所述表面的距离d2处合成获得的SiO2的浓度，其中d2大于d。
-
公开(公告)号：CN117396641A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202280038009.4
申请日：2022-05-11
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: C30B25/12
Abstract: 本发明涉及一种用于在沉积设备中在由半导体材料制成的衬底晶圆上沉积外延层的方法，所述方法包括：在沉积设备的基座上放置衬底晶圆，所述基座被预热环包围且以一定的间隙与其分隔开，并且由支撑轴保持；确定垂直穿过预热环的中心的轴线与垂直穿过基座的中心的轴线之间的偏心度；使沉积气体沿着从气体入口指向气体出口的流动方向在衬底晶圆的上方通过；使吹扫气体沿着预热环的下面和基座的下面通过；使支撑轴以一定的频率围绕旋转轴线旋转；其特征在于，使支撑轴以其旋转频率从起始位置移动到终止位置并返回到起始位置，其中在起始位置，支撑轴的旋转轴线沿着垂直穿过预热环的中心的轴线布置，从起始位置到终止位置的移动路径取决于偏心度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111993614B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202010462168.X
申请日：2020-05-27
Applicant: 硅电子股份公司
Abstract: 本发明主题是在多个切片操作期间借助线锯从工件切下多个晶圆的方法，线锯包括在两个线引导辊之间拉伸的锯切线的移动线区段的线网，线引导辊安装在固定和可移动轴承之间。另一主题是通过该方法获得的单晶硅半导体晶圆。该方法包括，在切片操作中，存在工作流体，存在硬质物质，抵靠线网沿着供给方向供给工件，硬质物质磨蚀作用在工件；在切片操作中，根据温度轮廓对线引导辊的固定轴承温度控制，温度轮廓要求温度作为切割深度的函数；在切片操作中，温度轮廓从有恒定温度过程的第一温度轮廓到第二温度轮廓的第一切换，第二温度轮廓与第一平均形状轮廓和参考晶圆的形状轮廓的差成比例，从根据第一温度轮廓切下的晶圆确定第一平均形状轮廓。
-
公开(公告)号：CN113966414B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202080043659.9
申请日：2020-06-02
Applicant: 硅电子股份公司
Abstract: 本发明涉及由硅单晶制备硅半导体晶片的方法，其氧浓度大于2×1017at/cm3且直径大于100μm的针孔浓度小于1.0×10‑51/cm3，碳浓度小于5.5×1014at/cm3，优选地小于4×1014at/cm3，铁浓度小于5.0×109at/cm3，优选小于1.0×109at/cm3，COP浓度小于1000缺陷/cm3以及LPIT浓度小于1缺陷/cm3，晶体直径大于200mm，优选地大于300mm。
-
公开(公告)号：CN113226679B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201980083797.7
申请日：2019-12-12
Applicant: 硅电子股份公司
Abstract: 本发明提供一种通过借助于线锯加工工件而从工件生产半导体晶片的方法，该方法包括：进给该工件通过线的布置，该线在线引导辊之间被张紧并沿行进方向移动；当该线接合到该工件内时产生切口；确定该切口的放置误差；和在该工件通过该线的布置的进给期间，根据沿该工件的纵轴线确定的放置误差来引起该工件的补偿移动。
-
公开(公告)号：CN110546752B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201880026354.X
申请日：2018-04-17
Applicant: 硅电子股份公司
Inventor： R·绍尔
IPC: H01L21/687 , C30B25/12
Abstract: 在半导体晶片的正面上沉积层期间保持具有取向切口的半导体晶片的基座及通过使用基座沉积层的方法。基座包含基座环和基座基底，基座环包含在半导体晶片背面的边缘区域中放置半导体晶片的放置区以及基座环的邻接放置区的阶梯状外边界。基座具有四个位置，基座在这些位置处的结构不同于基座在四个另外的位置处的结构，由四个位置之一至四个位置中的下一个的间隔为90°，并且由四个位置之一至下一个另外的位置的间隔为45°，四个位置之一是切口位置，基座在此位置处的结构不同于基座在基座的四个位置中的三个其他位置处的结构。
-
公开(公告)号：CN116075609A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202180056330.0
申请日：2021-07-16
Applicant: 硅电子股份公司
Inventor： H·黑希特
IPC: C30B25/08
Abstract: 本发明涉及一种用于在衬底晶圆上沉积半导体材料层的设备，所述设备包括：位于上穹顶与下穹顶之间的基环；在所述层的沉积期间用作所述衬底晶圆的支撑件的基座；气体入口和气体出口；排出气体管线以及用于在所述衬底晶圆的上侧表面上方传送工艺气体的气体供应管线；狭缝阀通道和狭缝阀门；以及用于提升和转动所述基座和所述衬底晶圆的提升和旋转装置，其特征在于，由不锈钢构成的所述设备的一个或多个组件被包含硅和氢的非晶层覆盖。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
665
records
(took 0.055 seconds)
