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公开(公告)号：CN110770878B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201880041753.3
申请日：2018-06-05
申请人： 硅电子股份公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/66 , H01L21/306 , B24B37/005 , B24B37/04 , B24B37/08 , B24B37/10 , B24B49/04 , B24B51/00 , B24B27/00 , C30B25/02 , C30B29/06
摘要： 本发明涉及一种处理半导体晶片(600)的方法，所述方法包括三个处理操作，即第一抛光操作，其中对所述半导体晶片(600)进行双面抛光，然后是第二抛光操作，其中对所述半导体晶片(600)进行化学机械抛光，然后是涂覆操作，其中对所述半导体晶片(600)进行外延沉积一个层，其中，所述三个处理操作中的每一个处理操作的至少一个操作参数在相应的处理操作中进行限定，具体地基于以下：基于在待处理的所述半导体晶片上确定的至少一个晶片参数；基于进行所述相应处理操作的处理装置的实际状态；和基于经历所述三个处理操作后对表征平坦度的晶片参数的状态的优化，而不是基于所述三个处理操作的每个处理步骤后对这些晶片参数的状态的优化。
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公开(公告)号：CN110785831A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201880041643.7
申请日：2018-06-04
申请人： 硅电子股份公司
摘要： 本发明涉及一种处理半导体晶片(600)的方法，其中将半导体晶片(600)放置在涂覆装置(300)中的基座(310)上，然后在处理操作中进行处理，其中在处理操作的蚀刻步骤中使蚀刻气体通过涂覆装置(300)。本发明还涉及一种用于控制处理半导体晶片(600)的涂覆装置(300)的控制系统(400)，涉及一种用于处理半导体晶片(600)的具有涂覆装置(300)的设备(500)，其包括控制系统，以及半导体晶片(600)。所述方法的特征在于，半导体晶片(600)的已经通过CMP进行抛光操作的第一面(FS)，或者半导体晶片(600)的与所述第一面相对的第二面(BS)在处理操作之前被涂覆保护层(601)。
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公开(公告)号：CN110770878A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201880041753.3
申请日：2018-06-05
申请人： 硅电子股份公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/66 , H01L21/306 , B24B37/005 , B24B37/04 , B24B37/08 , B24B37/10 , B24B49/04 , B24B51/00 , B24B27/00 , C30B25/02 , C30B29/06
摘要： 本发明涉及一种处理半导体晶片(600)的方法，所述方法包括三个处理操作，即第一抛光操作，其中对所述半导体晶片(600)进行双面抛光，然后是第二抛光操作，其中对所述半导体晶片(600)进行化学机械抛光，然后是涂覆操作，其中对所述半导体晶片(600)进行外延沉积一个层，其中，所述三个处理操作中的每一个处理操作的至少一个操作参数在相应的处理操作中进行限定，具体地基于以下：基于在待处理的所述半导体晶片上确定的至少一个晶片参数；基于进行所述相应处理操作的处理装置的实际状态；和基于经历所述三个处理操作后对表征平坦度的晶片参数的状态的优化，而不是基于所述三个处理操作的每个处理步骤后对这些晶片参数的状态的优化。
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公开(公告)号：CN115697607A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180041567.1
申请日：2021-05-27
申请人： 硅电子股份公司
摘要： 本发明涉及一种用于借助于线锯从工件(4)切出多个切片的方法，其中线阵列(2)在两个线引导辊(1)之间的平面中被张紧，其中所述两个线引导辊(1)中的每一个被安装在固定轴承(5)与浮动轴承(6)之间。所述方法包括借助于通过利用冷却介质润湿工件(4)控制工件(4)的温度经由线阵列(2)输送工件(4)，与此同时通过根据第一温度曲线的规范利用冷却流体控制固定轴承(5)的温度来使浮动轴承(6)同时轴向移动，并且与此同时根据第二修正曲线的规范借助于控制元件(15)使工件(4)沿着工件轴线移动。
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公开(公告)号：CN111319148B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN201911212943.X
申请日：2019-12-02
申请人： 硅电子股份公司
摘要： 本发明公开了通过借助于线锯处理工件而由工件制造半导体晶片的方法、线锯以及单晶硅半导体晶片。该方法包括：馈送所述工件通过线的布置，所述线在线导辊之间张紧同时被分成线组并沿运行方向移动；当所述线啮合进所述工件时产生切口；对于每一个所述线组，测定所述线组的切口的放置误差；以及对于每一个所述线组，通过激活至少一个驱动元件，在馈送所述工件通过所述线的布置期间，沿着垂直于所述线组的线的运行方向的方向，根据所测定的线组的切口的放置误差来引起所述线组的线的补偿移动。
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公开(公告)号：CN111319148A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201911212943.X
申请日：2019-12-02
申请人： 硅电子股份公司
摘要： 本发明公开了通过借助于线锯处理工件而由工件制造半导体晶片的方法、线锯以及单晶硅半导体晶片。该方法包括：馈送所述工件通过线的布置，所述线在线导辊之间张紧同时被分成线组并沿运行方向移动；当所述线啮合进所述工件时产生切口；对于每一个所述线组，测定所述线组的切口的放置误差；以及对于每一个所述线组，通过激活至少一个驱动元件，在馈送所述工件通过所述线的布置期间，沿着垂直于所述线组的线的运行方向的方向，根据所测定的线组的切口的放置误差来引起所述线组的线的补偿移动。
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公开(公告)号：CN113226679B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201980083797.7
申请日：2019-12-12
申请人： 硅电子股份公司
摘要： 本发明提供一种通过借助于线锯加工工件而从工件生产半导体晶片的方法，该方法包括：进给该工件通过线的布置，该线在线引导辊之间被张紧并沿行进方向移动；当该线接合到该工件内时产生切口；确定该切口的放置误差；和在该工件通过该线的布置的进给期间，根据沿该工件的纵轴线确定的放置误差来引起该工件的补偿移动。
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公开(公告)号：CN113226679A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980083797.7
申请日：2019-12-12
申请人： 硅电子股份公司
摘要： 本发明提供一种通过借助于线锯加工工件而从工件生产半导体晶片的方法，该方法包括：进给该工件通过线的布置，该线在线引导辊之间被张紧并沿行进方向移动；当该线接合到该工件内时产生切口；确定该切口的放置误差；和在该工件通过该线的布置的进给期间，根据沿该工件的纵轴线确定的放置误差来引起该工件的补偿移动。
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公开(公告)号：CN110785831B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201880041643.7
申请日：2018-06-04
申请人： 硅电子股份公司
摘要： 本发明涉及一种处理半导体晶片(600)的方法，其中将半导体晶片(600)放置在涂覆装置(300)中的基座(310)上，然后在处理操作中进行处理，其中在处理操作的蚀刻步骤中使蚀刻气体通过涂覆装置(300)。本发明还涉及一种用于控制处理半导体晶片(600)的涂覆装置(300)的控制系统(400)，涉及一种用于处理半导体晶片(600)的具有涂覆装置(300)的设备(500)，其包括控制系统，以及半导体晶片(600)。所述方法的特征在于，半导体晶片(600)的已经通过CMP进行抛光操作的第一面(FS)，或者半导体晶片(600)的与所述第一面相对的第二面(BS)在处理操作之前被涂覆保护层(601)。
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公开(公告)号：CN116169011A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310209234.6
申请日：2018-06-04
申请人： 硅电子股份公司
摘要： 本发明涉及一种处理半导体晶片(600)的方法，其中将半导体晶片(600)放置在涂覆装置(300)中的基座(310)上，然后在处理操作中进行处理，其中在处理操作的蚀刻步骤中使蚀刻气体通过涂覆装置(300)。本发明还涉及一种用于控制处理半导体晶片(600)的涂覆装置(300)的控制系统(400)，涉及一种用于处理半导体晶片(600)的具有涂覆装置(300)的设备(500)，其包括控制系统，以及半导体晶片(600)。所述方法的特征在于，半导体晶片(600)的已经通过CMP进行抛光操作的第一面(FS)，或者半导体晶片(600)的与所述第一面相对的第二面(BS)在处理操作之前被涂覆保护层(601)。
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