公开(公告)号：CN108930060A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201810722327.8

申请日：2012-11-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 薛森鸿 ,  陈步芳 ,  王祥保

IPC: C30B15/00 ,  C30B15/04 ,  C30B15/20 ,  C30B15/22 ,  C30B29/06 ,  C30B31/02 ,  C30B31/04 ,  C30B31/16 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/322 ,  H01L21/762 ,  H01L29/36 ,  H01L29/78

CPC classification number: C30B15/04 ,  C30B15/00 ,  C30B15/203 ,  C30B15/206 ,  C30B15/22 ,  C30B29/06 ,  C30B31/02 ,  C30B31/04 ,  C30B31/165 ,  C30B33/00 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3225 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/365 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种用于为半导体晶圆提供支承的系统和方法。实施例包括从半导体晶锭分离半导体晶圆之前，在半导体晶锭形成期间引入空位增强原料。空位增强原料在半导体晶锭内以高密度形成空位，并且所述空位在诸如退火的高温度工艺期间在半导体晶圆内形成体微缺陷。这些体微缺陷有助于在后续工艺期间提供支承和增强半导体晶圆并且有助于减少或者消除可能出现的指纹覆盖。本发明还提供了半导体结构和方法。

公开(公告)号：CN105121713B

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201480023134.3

申请日：2014-04-15

Applicant: 胜高科技股份有限公司

Inventor： 鸣岛康人 ,  久保田利通 ,  小川福生 ,  宇都雅之

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/04 ,  C30B15/20

CPC classification number: C30B15/04 ,  B28D5/0011 ,  C30B15/206 ,  C30B25/10 ,  C30B25/186 ,  C30B29/06

Abstract: 单晶的制造方法，其利用了单晶提拉装置，所述单晶提拉装置具备：腔室、配置在该腔室内且能够容纳向硅熔液中添加红磷而成的掺杂剂添加熔液的坩埚、以及使籽晶接触前述掺杂剂添加熔液后进行提拉的提拉部，以单晶的电阻率达到0.7mΩ・cm以上且0.9mΩ・cm以下的方式向硅熔液中添加红磷，按照对由单晶得到的评价硅晶片实施在1200℃的氢气气氛中加热30秒的热处理后，评价硅晶片中产生的凹坑数量达到0.1个/cm2以下的方式任意地控制单晶温度达到570℃±70℃的范围内的时间并提拉单晶。

公开(公告)号：CN104995340B

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201480008259.9

申请日：2014-01-31

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 园川将 ,  佐藤亘 ,  三田村伸晃 ,  太田友彦

IPC: C30B29/06 ,  H01L21/322 ,  H01L21/66

CPC classification number: C30B15/203 ,  C30B15/04 ,  C30B15/14 ,  C30B29/06 ,  H01L21/3225 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明提供一种根据CZ法提拉N区域单晶硅棒的单晶硅棒的制造方法，对来自N区域单晶硅棒的样本晶圆实施使氧析出物表面化的热处理，通过进行实施选择蚀刻测定EOSF密度的EOSF检查，和调查浅坑的发生图案的浅坑检查，在根据样本晶圆的缺陷区域的判定结果调整提拉条件，提拉下一个N区域单晶硅棒时，在所述缺陷区域的判定中，在N区域的情况下，也判定是Nv区域内或Ni区域内的哪个部分。由此，提供一种即使不良不发生，也能够根据样本晶圆的检查结果，调整根据CZ法的N区域单晶硅的提拉条件的制造方法。

公开(公告)号：CN103608496B

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：CN201280028191.1

申请日：2012-04-13

Applicant: GTAT ,  IP控股有限责任公司

Inventor： B·K·约翰逊 ,  J·P·德卢卡 ,  W·L·卢特尔

IPC: C30B15/04 ,  C30B15/20 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/04 ,  C30B15/002 ,  C30B15/12 ,  C30B29/06 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521 ,  Y10T117/1052 ,  Y10T117/1056

Abstract: 本发明揭露一种柴氏生长系统，包括坩埚；硅传送系统，包括具有传送点位于该坩埚上的进料机并且传送可控制的硅量至该坩埚；及至少一种掺杂机制，可控制地传送至少一种掺杂物材料至该进料机。该系统可以包括二或更多种各装载不同掺杂物材料的掺杂机制，且因此可用于制备具有多重掺杂物的硅锭。所得的锭具有沿其轴实质上固定的掺杂浓度。此外也揭露至少一种包括至少一种掺杂物材料的硅锭的柴氏生长方法，该方法较佳为连续柴氏生长法。

公开(公告)号：CN106715766B

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201580046213.0

申请日：2015-08-27

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 安村健 ,  橘昇二

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/04

CPC classification number: C30B15/04 ,  C30B15/00 ,  C30B15/22 ,  C30B29/06 ,  C30B35/007 ,  H01L31/028 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明的目的在于开发一种通过含有碳来抑制结晶缺陷的单晶硅的制造方法，采用该方法，碳容易地向硅融液的混合、熔解。本发明的单晶硅的制造方法是从收纳在坩锅内的硅融液中拉制出单晶硅的同时使其成长的单晶硅体的制造方法，使用利用西门子法制造出的多晶硅棒中的位于棒末端的与碳制芯线保持部件之间的接触附近部的破碎物，来作为该硅原料的至少一部分。

公开(公告)号：CN107151817A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201610120860.8

申请日：2016-03-03

Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司

Inventor： 肖德元 ,  张汝京

IPC: C30B15/00 ,  C30B29/06 ,  C23C16/34 ,  C23C16/513

CPC classification number: C30B15/22 ,  B24B7/228 ,  B24B9/065 ,  C30B15/04 ,  C30B15/203 ,  C30B29/06 ,  C30B30/04 ,  C30B33/00 ,  C30B15/00 ,  C23C16/345 ,  C23C16/513

Abstract: 本发明提供一种单晶硅的生长方法，是以柴氏拉晶法，将置于坩埚内的硅原料熔化而形成熔体，并提拉该熔体而使单晶硅生长的方法，在形成熔体时通入包括氩气气体；以及在提拉步骤中施加磁场。本发明亦提供一种以该单晶硅制备晶圆的方法。

公开(公告)号：CN104245883B

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201380020816.4

申请日：2013-04-18

Applicant: 株式会社光波 ,  国立研究开发法人物质·材料研究机构

Inventor： 渡边诚 ,  猪股大介 ,  青木和夫 ,  岛村清史 ,  恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉

IPC: C09K11/80 ,  C09K11/08 ,  C30B15/04 ,  C30B29/28 ,  H01L33/50

CPC classification number: C09K11/7774 ,  C30B15/00 ,  C30B15/04 ,  C30B29/28 ,  H01L33/501 ,  H01L33/502 ,  H01L33/505 ,  H01L33/507 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 作为本发明的一个实施方式的目的之一，提供量子效率优异的荧光体及其制造方法以及使用该荧光体的发光装置。作为一实施方式，提供激励光的波长为460nm时的25℃的量子效率是92％以上、包括以YAG晶体为母晶体的单晶的荧光体。

公开(公告)号：CN106591939A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201510667035.5

申请日：2015-10-15

Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司

Inventor： 肖德元 ,  张汝京

IPC: C30B15/04 ,  C30B29/06 ,  C30B30/04

CPC classification number: C30B15/203 ,  C30B15/04 ,  C30B15/30 ,  C30B15/305 ,  C30B29/06 ,  C30B30/04 ,  C30B33/00

Abstract: 本发明提出了一种单晶硅及晶圆的形成方法，在采用直拉法形成单晶硅锭时，对熔融状的硅中通入包含氘原子的气体，使氘原子存储在单晶硅锭的间隙中，降低氧元素及其他杂志的含量，采用单晶硅锭形成晶圆后，在晶圆上形成的器件时，氘能够扩散出，并与界面处等悬空键进行结合，形成较为稳定的结构，从而避免热载流子的穿透，降低漏电流，提高器件的性能与可靠性。

公开(公告)号：CN105992840A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201480062812.7

申请日：2014-10-16

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 添田聪 ,  中野真二 ,  池田光市

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/04 ,  C30B30/04

CPC classification number: C30B15/203 ,  C30B15/04 ,  C30B15/14 ,  C30B15/206 ,  C30B29/06 ,  C30B30/04

Abstract: 本发明为一种单晶硅的制造方法，其是基于CZ法来制造N型单晶硅，所述CZ法具有使籽晶体取向坩埚中的硅熔液进行着液的引晶工序、以及之后提拉所述籽晶并使直径变细的缩颈工序，在该N型单晶硅的制造中，根据所述引晶时的温度与所述缩颈时的温度的差来预测所述硅熔液中的掺杂剂浓度，并基于该预测出的硅熔液中的掺杂剂浓度来控制提拉单晶的电阻率。由此，提供一种单晶硅的制造方法，其能够高效地制造所希望电阻率的单晶硅。

公开(公告)号：CN105951173A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201610364925.3

申请日：2016-05-30

Applicant: 上海超硅半导体有限公司

Inventor： 李秦霖 ,  刘浦锋 ,  宋洪伟 ,  陈猛

IPC: C30B15/04 ,  C30B15/20 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/04 ,  C30B15/20 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明提供一种N型单晶硅晶锭的制造方法，其特征在于在Cz法N型单晶硅硅锭提拉生长过程，通过缓慢且连续地向石英坩埚中添加相反导电类型的掺杂元素，提高晶锭中相反导电类型元素的浓度，抵消因分凝引起的熔体中主掺杂元素浓度的快速升高而使晶锭中增多的电子型载流子，从而解决在晶锭生长末期电阻率快速下降的问题。通过该发明，可以得到轴向电阻率波动小于30Ω•cm的N型单晶硅晶锭。