公开(公告)号：CN106715765A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201580053049.6

申请日：2015-04-08

Applicant: 胜高股份有限公司

Inventor： 鸣岛康人 ,  宇都雅之 ,  久保田利通

IPC: C30B15/22 ,  C30B15/04 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/04 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/24 ,  C30B15/203 ,  C30B15/206 ,  C30B15/22 ,  C30B25/02 ,  C30B25/20 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明的单晶的制造方法，该方法进行：直体部形成工序，其通过使籽晶与以单晶的电阻率达到0.9mΩ·cm以下的方式向硅熔体中添加红磷的掺杂剂添加熔体接触后提拉所述籽晶，从而形成单晶的直体部；及切割分离工序，在所述直体部的上端的温度为590℃以上的状态下，将单晶从掺杂剂添加熔体切割分离。

公开(公告)号：CN105401213A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510876763.7

申请日：2015-12-03

Applicant: 河南西格马晶体科技有限公司

Inventor： 李县辉 ,  徐军 ,  吴锋 ,  唐慧丽 ,  周森安 ,  安俊超 ,  李豪

IPC: C30B15/20 ,  C30B15/10 ,  C30B29/20

CPC classification number: C30B15/206 ,  C30B15/10 ,  C30B29/20

Abstract: 本发明涉及一种利用坩埚上升提拉法制备大片状蓝宝石单晶体的方法，本方法采用上端开口的扁平状结构坩埚，坩埚的两侧对称水平布置多个电阻式发热体，发热体包围坩埚形成两个温区，即结晶区和位于结晶区下方的熔融区，两个温区独立加热、独立控温、独立在面板上显示温度，通过控制结晶区的温度使晶体生长的界面温度符合蓝宝石晶体生长的最佳温度范围，本发明通过坩埚从下向上移动精确控制晶体生长界面温度，可以制备大尺寸片状蓝宝石单晶体，且蓝宝石单晶体的生长周期短、成品率高、晶体利用率高、生产成本低，制备的大片状蓝宝石单晶体能够满足一些大尺寸特殊光学窗口的要求。

公开(公告)号：CN103147122B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310072159.X

申请日：2007-05-18

Applicant: MEMC电子材料有限公司

Inventor： M·S·库尔卡尼

IPC: C30B15/20 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/00 ,  C30B15/14 ,  C30B15/20 ,  C30B15/203 ,  C30B15/206 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明涉及控制CZ生长过程中由硅单晶侧面诱发的附聚点缺陷和氧簇的形成。本发明还涉及制备单晶硅锭的方法，还涉及由其制成的锭块或晶片。在一个实施方案中，该方法包括控制生长速度v和如本文定义的有效或校正的轴向温度梯度，从而在该锭块的给定片段内，在该片段的相当大部分半径范围内，比率v/G有效或v/G校正基本接近其临界值，并在（i）固化和大约1250℃之间、和（ii）大约1250℃和大约1000℃之间控制该片段的冷却速率，以控制其中的本征点缺陷的径向并入效应，并由此在从大约锭片段的侧面向内径向延伸的环中限制附聚本征点缺陷和/或氧沉淀簇的形成。在这种或替代的实施方案中，可以控制轴向温度梯度和/或熔体/固体界面，以限制该环中的附聚本征点缺陷和/或氧沉淀簇的形成。

公开(公告)号：CN103173857B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201210558695.6

申请日：2012-12-20

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： 中居克彦 ,  大久保正道 ,  坂本光

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/00 ,  H01L29/30 ,  B28D5/00

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/04 ,  C30B15/206 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明是硅晶体基底及其制造方法。提供硅单晶基底，所述硅单晶基底在基底中有均匀的阻抗，在基底表面层有较少的BMD，并且在基底厚度的中心有适中的BMD。硅单晶基底通过切割用佐克拉斯基方法生长的硅单晶所形成，所述基底具有以下特征。硅单晶基底第一主表面中心的电阻率不低于50Ω·cm，并且第一主表面的电阻率变化率不大于3%。位于第一主表面与50μm深的平面之间的区域中的氧沉淀物块体微缺陷的平均密度低于1×108/cm3。位于离第一主表面300μm深的平面与400μm深的平面之间的区域中的氧沉淀物块体微缺陷的平均密度不低于1×108/cm3且不大于1×109/cm3。

公开(公告)号：CN104695019A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201410737734.8

申请日：2014-12-05

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 新谷尚史 ,  滨口优 ,  山形则男 ,  美浓轮武久

IPC: C30B29/36 ,  C30B11/00

CPC classification number: C30B13/02 ,  C30B9/10 ,  C30B11/08 ,  C30B13/14 ,  C30B15/02 ,  C30B15/10 ,  C30B15/206 ,  C30B17/00 ,  C30B19/04 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明的利用溶液法的碳化硅的晶体生长方法中，作为Si-C溶液的收容部，使用以SiC为主要成分的坩埚。使Si-C溶液中含有金属元素M(M为选自由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Lu组成的第一组、由Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu组成的第二组、由Al、Ga、Ge、Sn、Pb、Zn组成的第三组的至少一组中的至少一种金属元素)，加热坩埚，使源于作为坩埚的主要成分的SiC的Si和C从与Si-C溶液接触的坩埚表面的高温区域向Si-C溶液内溶出。由此，抑制在与Si-C溶液接触的坩埚表面的SiC多晶的析出。

公开(公告)号：CN102031557B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201010510963.8

申请日：2010-10-08

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： 中居克彦 ,  T·米勒 ,  碇敦 ,  W·冯阿蒙 ,  M·韦伯

IPC: C30B15/04 ,  H01L21/02

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/02 ,  C30B15/04 ,  C30B15/20 ,  C30B15/206 ,  Y10T428/12528

Abstract: 本发明的目的是在其中加入氢的情况下，抑制并防止由硅基底晶片的空隙产生的外延层缺陷。上述问题通过包括以下步骤的制备外延晶片的方法解决：通过切克劳斯基方法生长硅晶体的步骤，包括加入氢和氮到硅熔体中，并且从硅熔体生长氮浓度为3×1013cm-3-3×1014cm-3的硅晶体的步骤；机械加工所述硅晶体制备硅基底的步骤；以及在硅基底表面上形成外延层的步骤。

公开(公告)号：CN101148777B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200710058315.1

申请日：2007-07-19

Applicant: 任丙彦 ,  任丽

Inventor： 任丙彦 ,  任丽

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/00

CPC classification number: C30B15/14 ,  C30B15/206 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/1052

Abstract: 本发明涉及一种直拉法生长掺镓硅单晶的方法和装置。该装置是专门用于生长掺镓硅单晶热场装置。单晶炉中装料，降籽晶，下降引细径，晶转提拉，等径生长，控制压力、拉速、氩气流速和晶转，调埚位保持导流筒下沿与液面之间的距离和埚转，按常规工艺调节、收尾和冷却；其中细径拉速为1.5～6.5mm/分钟，细径长度不小于160mm，细径直径≤3mm；转肩拉速1.6～2.6mm/分钟，转肩1/2后拉速调至1.2mm/分钟。本发明掺镓硅单晶的电阻率在投料量42～45公斤的Φ16″热装置下生长的Φ150mm，P 硅单晶的电阻率为0.5Ω·cm～3Ω·cm，从头部至尾部完全分布在所需的电阻率范围之内，为高效太阳能电池的提高效率并抑制效率衰减创造了工业化的基础。

公开(公告)号：CN101886289A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN201010154972.8

申请日：2010-03-30

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： P·菲拉尔

IPC: C30B15/00

CPC classification number: C30B15/14 ,  C30B13/28 ,  C30B15/00 ,  C30B15/10 ,  C30B15/203 ,  C30B15/206 ,  C30B15/305 ,  C30B21/06 ,  C30B27/02 ,  C30B28/10 ,  C30B29/06 ,  C30B30/04 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1068

Abstract: 本发明涉及一种从熔体中生长硅单晶的方法和装置。所述方法包括：在坩埚中提供所述熔体；在熔体上施加水平磁场，所述磁场在场中心C具有磁感应B；将气体在所述硅单晶与热遮蔽体之间导向熔体自由表面；并且控制所述气体流过以基本上垂直于所述磁感应B的方向延伸的熔体自由表面区域。所述的装置包括：用于承载熔体的坩埚；用于在熔体上施加水平磁场磁系统，所述磁场在磁场中心C处具有磁感应B；围绕硅单晶的热遮蔽体，该热遮蔽体具有与面对熔体自由表面的底盖连接的低端，该低端相对于坩埚轴M具有非轴对称形状，从而在硅单晶和热遮蔽体之间导向熔体自由表面的气体被底盖驱使流过熔体自由表面，所述熔体自由表面按基本上垂直于磁感应B的方向进行延伸。

公开(公告)号：CN100547122C

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200610139269.3

申请日：1998-04-09

Applicant: MEMC电子材料有限公司

Inventor： R·法尔斯特 ,  S·A·马克格拉夫 ,  S·A·麦克奎德 ,  J·C·霍尔泽 ,  P·穆提 ,  B·K·约翰逊

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/00

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/00 ,  C30B15/14 ,  C30B15/203 ,  C30B15/206 ,  C30B33/00 ,  H01L21/3225 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T428/21

Abstract: 本发明涉及毛坯或晶片形式的单晶硅，它含有第一轴对称区域，该区域内空位是占优势的本征点缺陷并且基本没有空位类本征点缺陷的附聚，其中第一轴对称区域包括中轴或有至少大约15mm的宽度，还涉及其制备方法。

公开(公告)号：CN100510200C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200510120430.8

申请日：2002-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴在勤

IPC: C30B15/00

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/14 ,  C30B15/203 ,  C30B15/206 ,  C30B33/00 ,  H01L21/3225 ,  Y10S117/911 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1052 ,  Y10T117/1068 ,  Y10T117/1072 ,  Y10T117/1088 ,  Y10T428/12458 ,  Y10T428/12528 ,  Y10T428/21

Abstract: 本发明公开了一种用于生长单晶硅锭的Czochralski拉晶设备，其包括加热室壳、加热室壳内用于装盛熔融硅的坩埚、加热室壳内坩埚附近用以夹持籽晶的籽晶夹具以及加热室壳内环绕坩埚的加热器。还在加热室壳内设置环形的热屏蔽护套，该护套包括彼此分离的内和外热屏蔽护套壁，以及连接内和外热屏蔽护套壁的热屏蔽护套顶和热屏蔽护套底，热屏蔽护套顶从内热屏蔽护套壁到外热屏蔽护套壁向上倾斜，而热屏蔽护套底从内热屏蔽护套壁到外热屏蔽护套壁向下倾斜。环形热屏蔽护套还在其中在外屏蔽护套壁与热屏蔽护套底的相交处包括切口。在坩埚内，支撑元件支撑热屏蔽护套。