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公开(公告)号：CN101675507B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200880014413.8
申请日：2008-05-01
申请人： 硅电子股份公司
IPC分类号： H01L21/322
CPC分类号： H01L21/3225 , C30B29/06 , C30B33/02 , Y10T428/26
摘要： 本发明提供硅晶片及其制造方法，其中在器件制造过程中滑移位错和翘曲的产生均被抑制。本发明的硅晶片包含八面体BMD，在存在于距硅晶片表面不小于50μm的深度的BMD中，对角线尺寸为10nm至50nm的BMD的密度不小于1×1012/cm3，BSF的密度不大于1×108/cm3。本发明硅晶片的间隙氧浓度为不小于4×1017个原子/cm3至不大于6×1017个原子/cm3，而对角线尺寸不小于200nm的BMD的密度为不大于1×107个原子/cm3。
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公开(公告)号：CN101024895A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710002219.5
申请日：2007-01-12
申请人： 硅电子股份公司
IPC分类号： C30B29/06 , C30B25/02 , H01L21/20 , H01L21/322
摘要： 本发明的目的是提供一种制造外延晶片的方法，该方法允许在基板的径向部分均匀产生氧沉淀物，并且外延层的晶体质量优异。本发明还提供一种制造外延晶片的方法，其特征在于，使用氮浓度为5×1014～5×1015个原子/cm3和碳浓度为1×1016～1×1018个原子/cm3的加有氮和碳的硅单晶基板作为衬底，在制造硅单晶过程中具有其中衬底整个表面成为OSF区的晶体生长条件，在晶体生长过程中以1100～1000℃间不小于4℃/分钟的冷却速度提位，并通过外延方法在衬底表面上沉积硅单晶层。
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公开(公告)号：CN103282555B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201180063344.1
申请日：2011-11-10
申请人： 硅电子股份公司
CPC分类号： H01L29/04 , C30B15/00 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/02532 , Y10T428/21
摘要： 提供通过Czochralski法制造p型硅单晶的硅单晶制造方法，由该硅单晶可以获得电阻率高、电阻率径向均匀性良好且电阻率变化小的晶片。该p型硅单晶2是通过Czochralski法由其中硼浓度不大于4E14个原子/cm3且磷浓度与硼浓度的比例不小于0.42且不大于0.50的初期硅熔体生长的。
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公开(公告)号：CN103173857A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201210558695.6
申请日：2012-12-20
申请人： 硅电子股份公司
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/04 , C30B15/206 , C30B33/02
摘要： 本发明是硅晶体基底及其制造方法。提供硅单晶基底，所述硅单晶基底在基底中有均匀的阻抗，在基底表面层有较少的BMD，并且在基底厚度的中心有适中的BMD。硅单晶基底通过切割用佐克拉斯基方法生长的硅单晶所形成，所述基底具有以下特征。硅单晶基底第一主表面中心的电阻率不低于50Ω·cm，并且第一主表面的电阻率变化率不大于3%。位于第一主表面与50μm深的平面之间的区域中的氧沉淀物块体微缺陷的平均密度低于1×108/cm3。位于离第一主表面300μm深的平面与400μm深的平面之间的区域中的氧沉淀物块体微缺陷的平均密度不低于1×108/cm3且不大于1×109/cm3。
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公开(公告)号：CN101768776B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200910221758.7
申请日：2009-11-16
申请人： 硅电子股份公司
摘要： 问题提供了由具有氧化膜的优异耐压特性和高C模式特性的硅晶体构成的硅晶片。另外，提供了用于制备所述硅晶片的方法。解决方案具有氮和氢的硅晶片，其特征在于：相对于总的空隙数，存在等于或多于50％构成泡状空隙聚集体的多个空隙；空隙密度大于2x104/cm3且低于1x105/cm3的V1区占硅晶片总面积的等于或小于20％；空隙密度为5x102-2x104/cm3的V2区占硅晶片总面积的等于或多于80％；并且内部微缺陷的密度为等于或高于5x108/cm3。
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公开(公告)号：CN101240447A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200710194066.9
申请日：2007-11-30
申请人： 硅电子股份公司
摘要： 本发明涉及能够在器件制造过程中抑制滑移位错及翘曲的产生的硅晶片及其制造方法。在包括板状BMD的硅晶片内，存在于距离该硅晶片表面的深度为50μm或更大的位置上的BMD中，对角线长度在10nm至120nm范围内的BMD的密度为1×1011/cm3或更高，存在于距离该硅晶片表面的深度为50μm或更大的位置上的BMD中，对角线长度为750nm或更大的BMD的密度为1×107/cm3或更低，而间隙氧浓度为5×1017个原子/cm3或更低。
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公开(公告)号：CN101768777B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200910266368.1
申请日：2009-12-24
申请人： 硅电子股份公司
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00 , C30B33/02 , Y10T428/24942 , Y10T428/2822 , Y10T428/31855
摘要： 本发明提供可以在器件制造过程中同时抑制滑移位错和翘曲的产生的硅晶片及其制造方法。根据本发明的硅晶片是具有八面体BMD的硅晶片。位于比距该硅晶片表面20μm的深度更浅的位置处且对角线长度为200nm以上的BMD的浓度为2×109/cm3以下，而位于比50μm的深度更深的位置处且对角线长度为10nm以上至50nm以下的BMD的浓度为1×1012/cm3以上。
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公开(公告)号：CN103237930A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201180056597.6
申请日：2011-12-05
申请人： 硅电子股份公司
CPC分类号： H01L21/02664 , C30B15/203 , C30B29/06
摘要： 提供了制造退火晶片的方法，所述方法能在退火之后避免残留的空洞以及在退火晶片上形成的氧化物膜的TDDB特性的劣化，并且可以扩大硅单晶中能够含有的氮浓度的范围。在制造退火晶片的方法中，控制拉晶条件，使得拉晶速度V与晶体生长的轴方向上的平均温度梯度G之间的比例V/G不小于0.9×(V/G)crit且不大于2.5×(V/G)crit，并且将拉晶炉内的氢气分压设定为不小于3帕且小于40帕。硅单晶的氮浓度大于5×1014个原子/cm3且不大于6×1015个原子/cm3，碳浓度不小于1×1015个原子/cm3且不大于9×1015个原子/cm3，并且热处理在杂质浓度不大于5ppma的稀有气体气氛中进行，或在非氧化气氛中进行。
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