发明授权
- 专利标题： 硅单晶制造方法、硅单晶和晶片
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申请号： CN201180063344.1申请日： 2011-11-10
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公开(公告)号： CN103282555B公开(公告)日： 2016-08-17
- 发明人: 中居克彦 , 大久保正道
- 申请人： 硅电子股份公司
- 申请人地址： 德国慕尼黑
- 专利权人： 硅电子股份公司
- 当前专利权人： 硅电子股份公司
- 当前专利权人地址： 德国慕尼黑
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 李振东; 过晓东
- 优先权： 2010-293594 2010.12.28 JP; 2011-128562 2011.06.08 JP
- 国际申请： PCT/EP2011/069808 2011.11.10
- 国际公布： WO2012/089392 EN 2012.07.05
- 进入国家日期： 2013-06-28
- 主分类号： C30B15/00
- IPC分类号： C30B15/00 ; C30B29/06 ; C30B33/02
摘要：
提供通过Czochralski法制造p型硅单晶的硅单晶制造方法，由该硅单晶可以获得电阻率高、电阻率径向均匀性良好且电阻率变化小的晶片。该p型硅单晶2是通过Czochralski法由其中硼浓度不大于4E14个原子/cm3且磷浓度与硼浓度的比例不小于0.42且不大于0.50的初期硅熔体生长的。
公开/授权文献
- CN103282555A 硅单晶制造方法、硅单晶和晶片 公开/授权日：2013-09-04
IPC分类:
