公开(公告)号：CN118922590A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202380019587.8

申请日：2023-01-19

申请人： 硅电子股份公司

发明人： Z·加拉兹卡 ,  S·甘朔 ,  M·比克尔曼 ,  T·施罗德 ,  W·黑克尔

IPC分类号： C30B15/10 ,  C30B15/14 ,  C30B15/20 ,  C30B29/16

摘要： 用于尤其是通过柴可拉斯基法生产从熔体中生长出来的导电块状β‑Ga2O3单晶的方法和设备。为了生长高导电率、大直径(大于一英寸)并结合长度超过25mm的β‑Ga2O3单晶(7)，为生长炉提供在1μm至3μm的近红外谱区中具有低辐射反射率(R)的内隔热件(8)，其降低了返回到正在生长的单晶(7)的热反射，并因此增加了从正在生长的单晶(7)的热耗散。低反射率可以通过高发射率或高透射率来实现。此外，β‑Ga2O3单晶(7)以随着生长的进行动态地降低的速率生长，以动态地降低结晶潜热和将从正在生长的单晶(7)耗散的热量。

公开(公告)号：CN118830056A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202380024850.2

申请日：2023-02-15

申请人： 硅电子股份公司

发明人： B·墨菲 ,  S·B·塔帕

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/322 ,  H01L21/265

摘要： 一种制造用于在其上构建III‑V族器件的衬底晶圆的方法，该方法包括提供硅单晶晶圆；在硅单晶晶圆的顶部表面下方形成吸除区域；形成表示衬底晶圆的顶部部分的富氮钝化层。

公开(公告)号：CN118318288A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202280075217.1

申请日：2022-10-28

申请人： 硅电子股份公司

发明人： D·布罗克 ,  A·屈恩施泰特尔

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/306

摘要： 本发明涉及一种清洗半导体晶片表面的方法，按给定顺序包括以下步骤：(1)用臭氧水进行清洗的第一清洗步骤，和随后使用纯化水的冲洗步骤；(2)第二清洗步骤，包括使用臭氧水的处理步骤，然后是使用含HF液体的处理步骤，其中所述第二清洗步骤可以重复进行多次；(3)用臭氧水进行清洗的第三清洗步骤，和随后使用纯化水的冲洗步骤；(4)干燥步骤，其中干燥所述半导体晶片的表面。所述方法在所述第一清洗步骤之前还包括直接使用水的初步清洗步骤，使得所述半导体晶片的一侧面在所述第一清洗步骤开始时仍然是湿的。

公开(公告)号：CN110785831B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN201880041643.7

申请日：2018-06-04

申请人： 硅电子股份公司

发明人： A·拜尔 ,  C·韦伯 ,  S·韦尔施

IPC分类号： H01L21/02 ,  C30B25/00 ,  C30B29/00 ,  C30B33/00

摘要： 本发明涉及一种处理半导体晶片(600)的方法，其中将半导体晶片(600)放置在涂覆装置(300)中的基座(310)上，然后在处理操作中进行处理，其中在处理操作的蚀刻步骤中使蚀刻气体通过涂覆装置(300)。本发明还涉及一种用于控制处理半导体晶片(600)的涂覆装置(300)的控制系统(400)，涉及一种用于处理半导体晶片(600)的具有涂覆装置(300)的设备(500)，其包括控制系统，以及半导体晶片(600)。所述方法的特征在于，半导体晶片(600)的已经通过CMP进行抛光操作的第一面(FS)，或者半导体晶片(600)的与所述第一面相对的第二面(BS)在处理操作之前被涂覆保护层(601)。

公开(公告)号：CN117412847A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202280038727.1

申请日：2022-05-19

申请人： 硅电子股份公司

发明人： A·马里昂 ,  G·格鲁普米勒 ,  J·马尔 ,  S·米克 ,  J·马林斯

IPC分类号： B28D5/04

摘要： 一种方法切割半导体晶圆。所述方法包括：将半导体锭料切割成工件；以及使用具有固定磨料颗粒线的线栅将工件锯切成切片，同时将工件朝向线栅移动。在工件与线栅初次接触时，初始切割速度小于2毫米/分钟，冷却剂流量小于0.1升/小时，并且线速度大于20米/秒。然后，工件被引导通过线栅，直到达到第一切割深度，然后冷却剂流量被增大到至少2000升/小时。在工件与线栅初次接触直至圆柱体的直径的一半的切割深度期间，切割速度被降低到小于初始切割速度的70％，然后被增大。

公开(公告)号：CN117178075A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202280028029.3

申请日：2022-04-04

申请人： 硅电子股份公司

发明人： R·亨斯特 ,  J·哈贝雷希特

IPC分类号： C23C16/44

摘要： 公开了在沉积室中生产具有从气相沉积的外延层的半导体晶片的方法，其包括通过对所述沉积室进行蚀刻，从所述沉积室中去除已经在先前的涂覆操作期间沉积在所述沉积室中的材料；连续进行涂覆操作，并且每个操作都需要在所述沉积室中将外延层沉积在衬底晶片上，包括使第一沉积气体的第一气流在所述衬底晶片上方传递，以形成具有外延层的半导体晶片；在连续进行的每个所述涂覆操作之前、期间或之后，将第二沉积气体的第二气流传递到各衬底晶片或具有外延层的各半导体晶片的边缘区域，其中对至少一个工艺参数作出改变，其效果是，经由所述第二沉积气体的传递，所述边缘区域中的材料沉积作为自从所述沉积室中去除材料以后所进行的涂覆操作的次数的函数而增加。

公开(公告)号：CN117083421A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202280019703.1

申请日：2022-02-25

申请人： 硅电子股份公司

发明人： H·黑希特 ,  M·劳尔 ,  K·利希滕埃格 ,  W·埃德迈尔

IPC分类号： C30B25/08

摘要： 一种在系统的沉积反应器的腔室中生产外延层晶圆的方法，包括：在沉积反应器的腔室中在衬底晶圆上重复性地沉积外延层，从而形成第一数量的外延层晶圆；并且同时，通过利用冲刷气体冲刷沉积反应器的替换腔室在系统外部制备所述替换腔室；中断外延层在衬底晶圆上的重复性沉积；由所述替换腔室替换所述腔室；以及在沉积反应器的替换腔室中继续外延层在衬底晶圆上的重复性沉积，从而生产第二数量的外延层晶圆。

公开(公告)号：CN109075056B

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN201780022321.3

申请日：2017-03-23

申请人： 硅电子股份公司

发明人： F·赫茨尔维默尔

IPC分类号： H01L21/306 ,  G01N1/32 ,  H01L21/67

摘要： 用于腐蚀位于腐蚀腔室内的可旋转的板上的半导体晶片的表面层的方法和装置，其中，通过以下述方式将腐蚀气体引入到腐蚀腔室中来获得表面的均匀腐蚀：使腐蚀气体的流不直接指向晶片，而是能够在与待腐蚀的半导体晶片的表面接触之前首先散布在腐蚀腔室内。

公开(公告)号：CN116209792A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202180061160.5

申请日：2021-06-30

申请人： 硅电子股份公司

发明人： D·策姆克 ,  S·巴拉内茨屈 ,  T·莱曼 ,  K·曼格尔贝格尔

IPC分类号： C30B15/10

摘要： 一种用于生产半导体晶片的单晶硅晶体片，其长度不小于8cm且不大于50cm，直径不小于280mm且不大于320mm，其中由其生产的半导体晶片中没有尺寸不大于30μm的针孔的比例大于96.2％。

公开(公告)号：CN116169011A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202310209234.6

申请日：2018-06-04

申请人： 硅电子股份公司

发明人： A·拜尔 ,  C·韦伯 ,  S·韦尔施

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  C30B29/06 ,  C30B25/02 ,  C30B33/00 ,  C30B33/12

摘要： 本发明涉及一种处理半导体晶片(600)的方法，其中将半导体晶片(600)放置在涂覆装置(300)中的基座(310)上，然后在处理操作中进行处理，其中在处理操作的蚀刻步骤中使蚀刻气体通过涂覆装置(300)。本发明还涉及一种用于控制处理半导体晶片(600)的涂覆装置(300)的控制系统(400)，涉及一种用于处理半导体晶片(600)的具有涂覆装置(300)的设备(500)，其包括控制系统，以及半导体晶片(600)。所述方法的特征在于，半导体晶片(600)的已经通过CMP进行抛光操作的第一面(FS)，或者半导体晶片(600)的与所述第一面相对的第二面(BS)在处理操作之前被涂覆保护层(601)。