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发明公开
用于生产导电块状β-GA2O3单晶的方法和设备以及导电块状β-GA2O3单晶审中-公开

公开(公告)号：CN118922590A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202380019587.8

申请日：2023-01-19

申请人： 硅电子股份公司

发明人： Z·加拉兹卡 , S·甘朔 , M·比克尔曼 , T·施罗德 , W·黑克尔

IPC分类号： C30B15/10 , C30B15/14 , C30B15/20 , C30B29/16

摘要： 用于尤其是通过柴可拉斯基法生产从熔体中生长出来的导电块状β‑Ga2O3单晶的方法和设备。为了生长高导电率、大直径(大于一英寸)并结合长度超过25mm的β‑Ga2O3单晶(7)，为生长炉提供在1μm至3μm的近红外谱区中具有低辐射反射率(R)的内隔热件(8)，其降低了返回到正在生长的单晶(7)的热反射，并因此增加了从正在生长的单晶(7)的热耗散。低反射率可以通过高发射率或高透射率来实现。此外，β‑Ga2O3单晶(7)以随着生长的进行动态地降低的速率生长，以动态地降低结晶潜热和将从正在生长的单晶(7)耗散的热量。