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公开(公告)号：CN117916410A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202280059751.3
申请日：2022-07-29
Applicant: 硅电子股份公司
Abstract: 一种用于生产硅单晶体的工艺，包括：在悬浮区装置中安装硅进料棒，进料棒具有不小于230mm且不大于270mm的直径，安装具有底部边缘和比进料棒的直径大不小于30mm且不大于50mm的量的内径的第一空心圆柱体，安装具有顶部边缘和比单晶体的目标直径大不小于20mm且不大于60mm的量的内径的第二空心圆柱体，提拉单晶体的具有不小于290mm且不大于310mm的目标直径的圆柱形部分，其中进料棒在熔化前沿处形成外部熔化边缘，并且单晶棒在生长侧形成结晶边缘，其中提拉速度不小于1.3mm/min且不大于1.5mm/min，优选地不小于1.35mm/min且不大于1.45mm/min，其中第一空心圆柱体的底部边缘距外部熔化边缘的竖直距离小于2mm，第二圆柱体的顶部边缘突出超过结晶边缘不小于1mm且不大于10mm的量。
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公开(公告)号：CN102174710A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110063018.2
申请日：2008-01-18
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/203
Abstract: 本发明涉及用于制造硅半导体晶片的方法，其包括由坩埚内所含的熔体拉伸在相界面处生长的单晶，并从所拉伸的单晶切割半导体晶片。在拉伸单晶期间传导热量至相界面的中心，并控制从相界面的中心直至边缘的比例V/G的径向分布，其中G是垂直于相界面的温度梯度，而V是由熔体拉伸单晶的拉伸速率。控制比例V/G的径向分布，从而补偿单晶内与相界面相邻的热机械应力场对于固有点缺陷产生的影响。本发明还涉及可利用该方法制造的不含缺陷的硅半导体晶片。
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公开(公告)号：CN102126175A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010583577.1
申请日：2010-12-08
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: B24B29/02 , H01L21/304 , B28D5/00
CPC classification number: H01L21/02024 , C30B15/04 , C30B29/06 , C30B33/00
Abstract: 本发明涉及制造半导体晶片的方法，其包括由熔体(2)拉伸由半导体材料组成的单晶(3)，由单晶(3)切割半导体晶片(9)并且抛光所述半导体晶片(9)，其特征在于，利用包含牢固粘结的发挥磨料作用的固体材料的抛光垫进行抛光，在抛光期间添加的抛光剂不包含发挥磨料作用的固体材料并且pH值在9.5至12.5之间，以及在晶体生长期间以强烈的且空间上高频的波动的掺杂剂浓度产生单晶(3)的边缘区域，而以低的且空间上低频的波动的掺杂剂浓度产生中心区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118922590A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202380019587.8
申请日：2023-01-19
Applicant: 硅电子股份公司
Abstract: 用于尤其是通过柴可拉斯基法生产从熔体中生长出来的导电块状β‑Ga2O3单晶的方法和设备。为了生长高导电率、大直径(大于一英寸)并结合长度超过25mm的β‑Ga2O3单晶(7)，为生长炉提供在1μm至3μm的近红外谱区中具有低辐射反射率(R)的内隔热件(8)，其降低了返回到正在生长的单晶(7)的热反射，并因此增加了从正在生长的单晶(7)的热耗散。低反射率可以通过高发射率或高透射率来实现。此外，β‑Ga2O3单晶(7)以随着生长的进行动态地降低的速率生长，以动态地降低结晶潜热和将从正在生长的单晶(7)耗散的热量。
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公开(公告)号：CN101302646B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200810003542.9
申请日：2008-01-18
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/203
Abstract: 本发明涉及用于制造硅半导体晶片的方法，其包括由坩埚内所含的熔体拉伸在相界面处生长的单晶，并从所拉伸的单晶切割半导体晶片。在拉伸单晶期间传导热量至相界面的中心，并控制从相界面的中心直至边缘的比例V/G的径向分布，其中G是垂直于相界面的温度梯度，而V是由熔体拉伸单晶的拉伸速率。控制比例V/G的径向分布，从而补偿单晶内与相界面相邻的热机械应力场对于固有点缺陷的产生的影响。本发明还涉及可利用该方法制造的不含缺陷的硅半导体晶片。
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公开(公告)号：CN117677737A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202280050682.X
申请日：2022-07-12
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: C30B25/16 , C23C16/52 , C23C16/455 , C23C16/40 , C30B29/16
Abstract: 一种在衬底上生长β‑Ga2O3层的方法，包括以下步骤：(1)提供衬底，(2)使用氧气和包含Ga的前体以第一生长速率进行第一沉积循环，所述第一沉积循环具有至少3个原子层的β‑Ga2O3且最多20个原子层的β‑Ga2O3的厚度，其中使用由测得的第一层表面反射率和对应的第一层厚度组成的多个元组来确定层表面反射率的回归曲线，以及(3)以预定的第二生长速率进行第二沉积循环，其包括测量第二层厚度和第二层表面反射率，所述预定的第二生长速率由第一生长速率乘以校正因子F确定，其中所述校正因子F大于被计算为Ll＝0.995‑Ref×0.475的下限Ll并且小于被计算为Lu＝1‑Ref×0.25的上限Lu，其中Ref表示由从测得的第二层表面反射率与根据在第二层厚度处评估的回归曲线外推的层表面反射率的商计算出来的无量纲层表面反射率指数。
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公开(公告)号：CN102174710B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201110063018.2
申请日：2008-01-18
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/203
Abstract: 本发明涉及用于制造硅半导体晶片的方法，其包括由坩埚内所含的熔体拉伸在相界面处生长的单晶，并从所拉伸的单晶切割半导体晶片。在拉伸单晶期间传导热量至相界面的中心，并控制从相界面的中心直至边缘的比例V/G的径向分布，其中G是垂直于相界面的温度梯度，而V是由熔体拉伸单晶的拉伸速率。控制比例V/G的径向分布，从而补偿单晶内与相界面相邻的热机械应力场对于固有点缺陷的产生的影响。本发明还涉及可利用该方法制造的不含缺陷的硅半导体晶片。
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公开(公告)号：CN101302646A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810003542.9
申请日：2008-01-18
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/203
Abstract: 本发明涉及用于制造硅半导体晶片的方法，其包括由坩埚内所含的熔体拉伸在相界面处生长的单晶，并从所拉伸的单晶切割半导体晶片。在拉伸单晶期间传导热量至相界面的中心，并控制从相界面的中心直至边缘的比例V/G的径向分布，其中G是垂直于相界面的温度梯度，而V是由熔体拉伸单晶的拉伸速率。控制比例V/G的径向分布，从而补偿单晶内与相界面相邻的热机械应力场对于固有点缺陷的产生的影响。本发明还涉及可利用该方法制造的不含缺陷的硅半导体晶片。
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