公开了在沉积室中生产具有从气相沉积的外延层的半导体晶片的方法，其包括通过对所述沉积室进行蚀刻，从所述沉积室中去除已经在先前的涂覆操作期间沉积在所述沉积室中的材料；连续进行涂覆操作，并且每个操作都需要在所述沉积室中将外延层沉积在衬底晶片上，包括使第一沉积气体的第一气流在所述衬底晶片上方传递，以形成具有外延层的半导体晶片；在连续进行的每个所述涂覆操作之前、期间或之后，将第二沉积气体的第二气流传递到各衬底晶片或具有外延层的各半导体晶片的边缘区域，其中对至少一个工艺参数作出改变，其效果是，经由所述第二沉积气体的传递，所述边缘区域中的材料沉积作为自从所述沉积室中去除材料以后所进行的涂覆操作的次数的函数而增加。