公开(公告)号：CN101187058B

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200710153492.8

申请日：2007-09-20

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： 中居克彦 ,  W·V·阿蒙 ,  福岛圣 ,  H·施密特 ,  M·韦伯

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/02 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02

CPC classification number: H01L21/3225 ,  C30B15/206 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  Y10T428/24992

Abstract: 本发明提供其中滑移位错及翘曲均被抑制得极小且适合于直径增大的高品质硅晶片及其制造方法。获得存在于与硅晶片表面的距离等于或大于20μm的深位置处的尺寸为20nm至40nm的BMD的密度在5×1011/cm3至5×1013/cm3的范围内且尺寸为300nm或更大的BMD的密度等于或小于1×107/cm3的硅晶片。

公开(公告)号：CN101240447B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN200710194066.9

申请日：2007-11-30

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： 中居克彦 ,  福岛圣

IPC: C30B29/06 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明涉及能够在器件制造过程中抑制滑移位错及翘曲的产生的硅晶片及其制造方法。在包括板状BMD的硅晶片内，存在于距离该硅晶片表面的深度为50μm或更大的位置上的BMD中，对角线长度在10nm至120nm范围内的BMD的密度为1×1011/cm3或更高，存在于距离该硅晶片表面的深度为50μm或更大的位置上的BMD中，对角线长度为750nm或更大的BMD的密度为1×107/cm3或更低，而间隙氧浓度为5×1017个原子/cm3或更低。

公开(公告)号：CN101240447A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200710194066.9

申请日：2007-11-30

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： 中居克彦 ,  福岛圣

IPC: C30B29/06 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明涉及能够在器件制造过程中抑制滑移位错及翘曲的产生的硅晶片及其制造方法。在包括板状BMD的硅晶片内，存在于距离该硅晶片表面的深度为50μm或更大的位置上的BMD中，对角线长度在10nm至120nm范围内的BMD的密度为1×1011/cm3或更高，存在于距离该硅晶片表面的深度为50μm或更大的位置上的BMD中，对角线长度为750nm或更大的BMD的密度为1×107/cm3或更低，而间隙氧浓度为5×1017个原子/cm3或更低。

公开(公告)号：CN101187058A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200710153492.8

申请日：2007-09-20

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： 中居克彦 ,  W·v·阿蒙 ,  福岛圣 ,  H·施密特 ,  M·韦伯

IPC: C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/322

CPC classification number: H01L21/3225 ,  C30B15/206 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  Y10T428/24992

Abstract: 本发明提供其中滑移位错及翘曲均被抑制得极小且适合于直径增大的高品质硅晶片及其制造方法。获得存在于与硅晶片表面的距离等于或大于20μm的深位置处的尺寸为20nm至40nm的BMD的密度在5×1011/cm3至5×1013/cm3的范围内且尺寸为300nm或更大的BMD的密度等于或小于1×107/cm3的硅晶片。