问题提供了由具有氧化膜的优异耐压特性和高C模式特性的硅晶体构成的硅晶片。另外，提供了用于制备所述硅晶片的方法。解决方案具有氮和氢的硅晶片，其特征在于：相对于总的空隙数，存在等于或多于50％构成泡状空隙聚集体的多个空隙；空隙密度大于2x104/cm3且低于1x105/cm3的V1区占硅晶片总面积的等于或小于20％；空隙密度为5x102-2x104/cm3的V2区占硅晶片总面积的等于或多于80％；并且内部微缺陷的密度为等于或高于5x108/cm3。