公开(公告)号：CN101024895A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710002219.5

申请日：2007-01-12

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： 中居克彦 ,  福原浩二

IPC: C30B29/06 ,  C30B25/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/322

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种制造外延晶片的方法，该方法允许在基板的径向部分均匀产生氧沉淀物，并且外延层的晶体质量优异。本发明还提供一种制造外延晶片的方法，其特征在于，使用氮浓度为5×1014～5×1015个原子/cm3和碳浓度为1×1016～1×1018个原子/cm3的加有氮和碳的硅单晶基板作为衬底，在制造硅单晶过程中具有其中衬底整个表面成为OSF区的晶体生长条件，在晶体生长过程中以1100～1000℃间不小于4℃/分钟的冷却速度提位，并通过外延方法在衬底表面上沉积硅单晶层。

公开(公告)号：CN101016651B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200610172531.4

申请日：2006-12-27

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： 中居克彦 ,  福原浩二

IPC: C30B33/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/477

CPC classification number: H01L21/3225 ,  C30B15/04 ,  C30B15/203 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02

Abstract: 于晶体生长期间在1100至1000℃的冷却速率为4℃/分钟或更高的情况下拉伸掺氮的硅单晶基材，其中氮浓度为1×1014原子/cm3至5×1015原子/cm3，且V/G满足作为硅单晶制造期间的晶体生长条件的预定条件，该基材在非氧化气氛中实施热处理。

公开(公告)号：CN101024895B

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN200710002219.5

申请日：2007-01-12

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： 中居克彦 ,  福原浩二

IPC: C30B29/06 ,  C30B25/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/322

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种制造外延晶片的方法，该方法允许在基板的径向部分均匀产生氧沉淀物，并且外延层的晶体质量优异。本发明还提供一种制造外延晶片的方法，其特征在于，使用氮浓度为5×1014～5×1015个原子/cm3和碳浓度为1×1016～1×1018个原子/cm3的加有氮和碳的硅单晶基板作为衬底，在制造硅单晶过程中具有其中衬底整个表面成为OSF区的晶体生长条件，在晶体生长过程中以1100～1000℃间不小于4℃/分钟的冷却速度提位，并通过外延方法在衬底表面上沉积硅单晶层。

公开(公告)号：CN101016651A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200610172531.4

申请日：2006-12-27

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： 中居克彦 ,  福原浩二

IPC: C30B33/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/477

CPC classification number: H01L21/3225 ,  C30B15/04 ,  C30B15/203 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02

Abstract: 于晶体生长期间在1100至1000℃的冷却速率为4℃/分钟或更高的情况下拉伸掺氮的硅单晶基材，其中氮浓度为1×1014原子/cm3至5×1015原子/cm3，且V/G满足作为硅单晶制造期间的晶体生长条件的预定条件，该基材在非氧化气氛中实施热处理。