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公开(公告)号：CN107881553A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201610874607.1
申请日：2016-09-30
申请人： 上海新昇半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种拉晶炉，包括：一用于装纳熔融硅料的坩埚；一可于所述坩埚上方上下移动的籽晶夹头；一位于所述坩埚上方的热屏，所述热屏具有一开口；其中，所述籽晶夹头在垂直于其移动方向上的最大截面尺寸为所形成的晶棒于同一方向上的最大截面尺寸的0.8～1.2倍。本发明提供的拉晶炉中，由于用于加持籽晶的籽晶夹头的尺寸与所形成的晶棒的晶体尺寸差异较小，从而在生长晶体的初始阶段，可减小所形成的晶体经由热屏的开口暴露出的面积，进而可有效抑制了热量的大量散失，抑制了所形成的晶冠以及靠近晶冠的晶体中缺陷的形成。
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公开(公告)号：CN104011271B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201280063685.3
申请日：2012-07-10
申请人： 硅电子股份公司
CPC分类号： C30B15/02 , C30B15/10 , C30B15/22 , C30B29/06 , C30B35/002
摘要： 提供了制造单晶硅的方法，其能够在采用由同一坩埚中的原料熔体提拉多根单晶硅的多重提拉法生长单晶硅时减少单晶硅的位错的产生。解决问题的手段：制造单晶硅的方法涉及采用通过Czochralski法在腔室内由同一坩埚(8)中的原料熔体(7)提拉多根单晶硅(1)的多重提拉法制造单晶硅(1)的方法，该方法包括省略掉单晶硅(1)的尾部的形成的至少一部分并由所述原料熔体分离出单晶硅的步骤，其中将在坩埚(8)的内壁上形成的钡的添加量控制在特定的范围内。
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公开(公告)号：CN106868583A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201510909607.6
申请日：2015-12-10
申请人： 有研半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种石英坩埚。该石英坩埚的坩埚壁包括坩埚底壁、弧度过渡区及圆柱周壁三个部分，从坩埚内表面侧至外表面侧具有透明石英层和不透明石英层，其中，透明石英层的气泡含有率小于0.3％，不透明石英层的气泡含有率为0.6％以上。本发明的石英坩埚的弧度过渡区的透明层厚度是圆柱周壁处的透明层厚度的1.2-1.6倍。本发明通过石英坩埚的弧度过渡区的热传导特性抑制石英坩埚中弧度过渡区的硅熔体的流动能力，硅单晶的氧含量均匀性得到改善。采用本发明的石英坩埚，从坩埚外侧进行加热时，可抑制石英坩埚底部熔融硅的温度偏差，减少石英坩埚底部硅熔体浮力，抑制硅熔体的向单晶生长界面的热对流，获得氧含量均匀的硅单晶。
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公开(公告)号：CN106567124A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610623682.0
申请日：2016-08-02
申请人： 环球晶圆股份有限公司
摘要： 本发明提供一种掺杂器、长晶炉以及使用长晶炉的方法，用于熔化一固态的原料，所述长晶炉包括：一炉体；一坩埚设置于所述炉体内，用于容置所述原料；一加热装置用于加热所述坩埚，使所述原料熔化而形成一熔融原料；一储料桶用于容置一掺杂物，且所述储料桶具有一出口；一阻料器设置于所述储料桶且位于所述出口处，所述阻料器受控制而开启或封闭所述出口；一第一进料管穿设所述炉体，且具有一入料口与一出料口，所述入料口连通所述储料桶的出口；一冷却装置设置于所述第一进料管，用于对所述第一进料管内部进行冷却。
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公开(公告)号：CN104364427B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201380029424.4
申请日：2013-04-25
申请人： 信越半导体股份有限公司
发明人： 岛田聪郎
CPC分类号： C30B15/10 , C30B15/00 , C30B15/14 , C30B29/06 , C30B35/00 , Y10T117/1032 , Y10T117/1068
摘要： 本发明提供一种单晶制造装置，是根据直拉法而构成的单晶制造装置，且具备坩埚，其容置原料熔液；圆筒状加热器，其围绕该坩埚并加热原料熔液；主腔室，其容纳这些构件；电极，其从该主腔室的底部插入，支持前述圆筒状加热器且供给电力；及，盛漏托盘，其配设于前述主腔室的底部，容置从前述坩埚中漏出的原料熔液；并且，所述单晶制造装置的特征在于：液漏罩配设于前述坩埚的下方且前述电极的上方的位置处，所述液漏罩防止从前述坩埚中漏出的原料熔液滴落于前述电极上。由此，可以提供一种单晶制造装置，所述单晶制造装置可以保护电极，以避免接触到从坩埚中液漏的原料熔液，所述电极支持圆筒状加热器。
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公开(公告)号：CN105849320A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480071168.X
申请日：2014-12-25
申请人： 胜高股份有限公司
CPC分类号： C30B15/10 , C03B19/095 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57
摘要： [课题]提供抑制高温下的变形的石英玻璃坩埚及其制造方法。[解決手段]石英玻璃坩埚1具有：圆筒状的直筒部10a、在直筒部10a的下端形成的角部10c、和隔着角部10c与直筒部10a连接的底部10b。另外，石英玻璃坩埚1具备：构成外层的内包气泡的不透明层11、和构成内层的除去了气泡的透明层12。至少直筒部10a中的不透明层11与透明层12的边界面在上下方向上形成周期的波面。
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公开(公告)号：CN105603510A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201610074673.0
申请日：2016-02-03
申请人： 江苏浩瀚蓝宝石科技有限公司
摘要： 一种单晶生长炉，包括水冷提拉杆，所述水冷提拉杆内设有籽晶，水冷提拉杆下端设有坩埚，坩埚内设有晶体，坩埚底部设有干锅支撑，坩埚侧面及底部设有加热器，加热器四周设有保温屏，保温屏与坩埚顶部的坩埚口之间设有反射屏，保温屏底部设有底座，底座及保温屏外部设有壳体；本发明的优点是晶体生长炉结构简单，绝热层的绝热效果好，保温效果好，节约能源，晶体生长均匀。
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公开(公告)号：CN105220223A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201410312751.7
申请日：2014-07-02
申请人： 攀时(上海)高性能材料有限公司 , 攀时奥地利公司
IPC分类号： C30B15/10
CPC分类号： C30B35/002 , C30B11/002 , C30B15/10 , C30B15/14 , C30B29/20 , C30B35/007
摘要： 本发明涉及一种用于单晶培养的坩埚，该坩埚由W、Mo、Re、这些金属的合金或基础合金构成；本发明还涉及一种坩埚(2)的制造方法，对此坩埚(2)的指向外侧的外表面(4)的至少一部分至少局部地包含具有5至500μm之间平均花纹深度(a)的凹凸花纹。
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公开(公告)号：CN102858708B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180004906.5
申请日：2011-12-02
申请人： FTB研究所株式会社
CPC分类号： C30B15/10 , C03C17/3417 , C30B29/06 , Y10T117/1032
摘要： 本发明提供一种硅结晶生长用石英坩埚的涂敷方法，该涂敷方法能够将析晶涂层上形成的针孔直径抑制在较小水平。在本发明的涂敷方法中，在硅结晶生长用石英坩埚的内表面形成厚度为80μm以上且4mm以下的无气泡石英层，并且使用碱土金属氢氧化物包覆所述无气泡石英层的表面，然后，加热至上述表面发生析晶的温度以上。上述包覆可以通过使所述内表面浸渍到所述碱土金属氢氧化物的溶液中来进行。此外，上述加热可以在向所述硅结晶生长用石英坩埚中填充熔融原料的固体原料之前进行。
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