公开(公告)号：CN107075720B

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201580049436.2

申请日：2015-09-24

Applicant: 株式会社SUMCO

Inventor： 须藤俊明 ,  北原贤 ,  佐藤忠广 ,  北原江梨子 ,  渡边贵

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/10

CPC classification number: G01N3/307 ,  C03B19/095 ,  C30B15/10 ,  C30B29/06 ,  C30B35/002 ,  G01N2203/001 ,  G01N2203/0035 ,  G01N2203/0064

Abstract: 提供一种可以在与实际使用状况尽可能接近的状态下进行检查的石英玻璃坩埚的破坏检查方法和是否良好的判定方法。根据本发明的石英玻璃坩埚的破坏检查方法，自动中心冲头10的前端部碰撞石墨基座2上支撑的单晶硅提拉用的石英玻璃坩埚1的内表面，并且评价通过所述自动中心冲头10在内表面的一点上瞬间施加负荷时的内表面的裂痕的状态。

公开(公告)号：CN105378156B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201380077568.7

申请日：2013-06-30

Applicant: 胜高股份有限公司

Inventor： 须藤俊明 ,  佐藤忠广 ,  北原贤 ,  北原江梨子

IPC: C30B15/10 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B29/06 ,  C03B19/095 ,  C30B15/10 ,  Y02P40/57

Abstract: 本发明提供一种氧化硅玻璃坩埚，是具有上端开口且沿垂直方向延伸的近似圆筒形的直筒部、弯曲了的底部、以及连结所述直筒部与所述底部并且曲率大于所述底部的角部的坩埚，所述坩埚的内表面具有将槽状的谷夹设于脊部与脊部之间的凹凸结构，所述脊部与脊部的平均间隔为5～100μm。

公开(公告)号：CN105712614A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201610087281.8

申请日：2010-08-09

Applicant: 日本超精石英株式会社

Inventor： 须藤俊明 ,  铃木江梨子 ,  岸弘史 ,  藤田刚司

IPC: C03B20/00 ,  C30B15/10 ,  C30B29/06

CPC classification number: C25B11/12 ,  C03B19/09 ,  C03B19/095 ,  C04B35/52 ,  C25B11/0405 ,  Y02P40/57 ,  C03B20/00 ,  C30B15/10 ,  C30B29/06

Abstract: 在氧化硅玻璃坩埚的制造工程中，提供可防止内表面特性的降低的氧化硅玻璃坩埚的制造装置，以及氧化硅玻璃坩埚的制造方法。本发明的氧化硅玻璃坩埚的制造装置，具备限定氧化硅玻璃坩埚的外形的模具，具有多个电极以及电力供给单元的电弧放电单元，上述多个电极各自分别具有朝向上述模具的前端部，作为该前端部的相反侧端部的他端部，以及设置与上述前端部与上述他端部之间的弯曲部。

公开(公告)号：CN103476974B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201280018220.6

申请日：2012-10-02

Applicant: 信越石英株式会社

Inventor： 山形茂

IPC: C30B29/06 ,  C03B20/00 ,  C03C3/06 ,  C30B15/10

CPC classification number: C30B15/10 ,  C03B19/095 ,  C03C3/06 ,  C03C17/004 ,  C03C17/02 ,  C03C2201/30 ,  C03C2203/10 ,  C30B15/02 ,  C30B29/06 ,  Y02P40/57 ,  Y10T117/1032

Abstract: 本发明涉及一种单晶硅提拉用二氧化硅容器，其具有由含有气泡的不透明二氧化硅玻璃所构成的外层、及由实质上不含气泡的透明二氧化硅玻璃所构成的内层，并具有底部、弯曲部及直胴部，其特征在于，在前述内层的表面形成有槽，所述槽自至少前述底部的一部分，经由前述弯曲部，延续到至少前述直胴部的一部分。由此，提供一种单晶硅提拉用二氧化硅容器及此种二氧化硅容器的制造方法，所述单晶硅提拉用二氧化硅容器可降低提拉的单晶硅中的被称为孔隙或针孔的缺陷。

公开(公告)号：CN105264124A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201380077075.3

申请日：2013-05-31

Applicant: 胜高股份有限公司

Inventor： 须藤俊明 ,  北原贤 ,  相场秋广 ,  奥州谷和司 ,  吉田文枝 ,  旭冈真喜子 ,  北原江梨子 ,  佐藤忠广

IPC: C30B15/10

CPC classification number: C30B15/10 ,  C03B19/095 ,  C30B29/06 ,  C30B35/002 ,  Y02P40/57

Abstract: 一种氧化硅玻璃坩埚及其制造方法，即便在长时间的高温条件下使用，也能抑制变形。氧化硅玻璃坩埚具备：上端开口并且沿铅垂方向延伸的基本上圆柱形的直筒部、弯曲的底部、及连结所述直筒部和所述底部且曲率比所述底部大的角部，所述氧化硅玻璃坩埚在内侧具备透明层并且在其外侧具备气泡层，在所述透明层的内表面侧具备残留压缩应力的压缩应力层、和以平缓的应力变化率与所述压缩应力层邻接的残留拉伸应力的拉伸应力层。

公开(公告)号：CN102485973B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201110412184.9

申请日：2011-11-30

Applicant: 日本超精石英株式会社

Inventor： 须藤俊明 ,  岸弘史 ,  铃木江梨子

IPC: C30B15/10

CPC classification number: C30B15/10 ,  C03B19/095 ,  Y10T117/1032

Abstract: 本发明提供一种能够抑制杂质混入硅熔液，可以抑制氧化硅玻璃坩埚的压曲和沉入的氧化硅玻璃坩埚。根据本发明，提供一种用于提拉单晶硅的氧化硅玻璃坩埚，其中，从上述坩埚壁的外表面朝向内表面的厚度为2mm的区域的氧化硅玻璃，其在拉曼光谱中492cm-1处的峰值的面积强度I1和606cm-1处的峰值的面积强度I2之比I2/I1为0.67～1.17。

公开(公告)号：CN104926086A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510367519.8

申请日：2015-06-29

Applicant: 江苏华尔石英材料股份有限公司

Inventor： 刘福鸿 ,  冯涛

IPC: C03B20/00

CPC classification number: C03B19/095

Abstract: 本发明公开一种大直径石英坩埚熔制电极装置，包括石墨模具和石墨电极组件，所述石墨电极组件包括插入石墨模具中的六根石墨电极，六根石墨电极的顶端竖直连接于电极上方的铜棒，所述各个铜棒的顶端分别通过夹爪夹紧，六个夹爪的一端均匀地连接于底盘，夹爪的另一端与丝杆螺母连接，丝杆转动带动丝杆螺母上升下降，丝杆螺母拉动六个夹爪带动铜棒打开闭合。本发明能够提高坩埚熔制温度及提供大面积的热源，保证大尺寸石英坩埚外形尺寸的形成，提高坩埚内表面玻璃化结构，大大提高了石英坩埚的质量。

公开(公告)号：CN102471926B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201080037429.8

申请日：2010-08-20

Applicant: 日本超精石英株式会社

Inventor： 须藤俊明 ,  吉冈拓麿 ,  岸弘史 ,  藤田刚司 ,  神田稔 ,  铃木光一 ,  北原贤

IPC: C30B29/06 ,  C03B20/00 ,  C30B15/10

CPC classification number: C04B41/5022 ,  C03B5/025 ,  C03B19/02 ,  C03B19/09 ,  C03B19/095 ,  C03C17/004 ,  C03C17/02 ,  C03C2217/213 ,  C03C2218/13 ,  C03C2218/17 ,  C04B35/185 ,  C04B41/009 ,  C04B41/86 ,  C04B2235/6027 ,  C30B15/10 ,  C30B29/06 ,  C30B35/002 ,  Y02P40/57 ,  Y10T117/1032 ,  C04B41/4527

Abstract: 提供适用于耐热强度高且长时间的提拉，并且能以低成本制造的坩埚及其制造方法。复合坩埚(10)具有以氧化铝和氧化硅作为主成分的莫来石所构成的坩埚本体(11)以及形成于坩埚本体(11)的内表面侧的透明氧化硅玻璃层(12)，作为坩埚的基本材料使用莫来石(3Al2O3·2SiO2)，透明氧化硅玻璃层(12)的厚度比坩埚本体(11)的厚度薄。坩埚本体(11)能根据粉浆滑浇铸法来形成，透明氧化硅玻璃层(12)能根据喷涂法来形成。

公开(公告)号：CN102531344B

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201110404846.8

申请日：2011-12-01

Applicant: 日本超精石英株式会社

Inventor： 须藤俊明 ,  吉冈拓磨 ,  铃木光一 ,  山崎真介

IPC: C03B19/09

CPC classification number: C03B19/095 ,  C03B19/066 ,  C30B11/002 ,  C30B15/10 ,  Y10T428/131 ,  Y10T428/1314 ,  Y10T428/1317

Abstract: 本发明提供一种利用废玻璃制造具有透明层的氧化硅玻璃坩埚的方法。根据本发明，一种氧化硅玻璃坩埚的制造方法，用于制造单晶或多晶硅锭，所述坩埚具备玻璃化工序，其中，对具有坩埚形状的氧化硅粉末烧结体，从坩埚内面侧对所述氧化硅粉末烧结体进行电弧熔化而使对所述氧化硅粉末烧结体的厚度方向上的全部或局部进行玻璃化，并且具备：(1)进行所述电弧熔化时从外面侧对所述氧化硅粉末烧结体进行减压，(2)进行所述电弧熔化时在所述氧化硅粉末烧结体的内面散布氧化硅粉而在内面侧形成合成氧化硅玻璃层，之中的至少一种工序。

公开(公告)号：CN102531345B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201110396959.8

申请日：2011-12-02

Applicant: 日本超精石英株式会社

Inventor： 须藤俊明 ,  岸弘史 ,  长谷部幸太

IPC: C03B20/00

CPC classification number: C03B19/095 ,  C03B29/02 ,  Y02P40/57

Abstract: 本发明提供一种氧化硅玻璃坩埚的制造方法包含：向模具(10)内供给氧化硅粉末来形成氧化硅粉层(11)的氧化硅粉末供给工序；用多根碳电极(13)进行电弧放电来熔化氧化硅粉层(11)的电弧熔化工序；将各碳电极前端与供给到模具(10)内的氧化硅粉层(11)的靶面之间的垂直距离分别设定为等距离，以吹入靶面的电弧火焰来进行表面除去的火焰抛光工序。本发明还提供一种氧化硅玻璃坩埚的制造装置。本发明提供一种坩埚内表面的气泡和杂质少，且能够获得单晶硅的高结晶化率的氧化硅玻璃坩埚的制造方法及制造装置。