公开(公告)号：CN105964992B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201610350059.2

申请日：2012-09-14

申请人： 思利科材料有限公司

发明人： A·努里 ,  K·欧纳杰拉

IPC分类号： B22D27/04 ,  C01B33/037 ,  C30B11/00 ,  C30B29/06

CPC分类号： B22D27/045 ,  C01B33/02 ,  C01B33/037 ,  C30B11/002 ,  C30B11/003 ,  C30B23/00 ,  C30B23/025 ,  C30B29/06 ,  C30B29/36 ,  C30B35/002

摘要： 本发明涉及定向凝固系统和方法。本发明涉及一种使用快速定向凝固而提纯材料的装置和方法。所示的设备和方法提供了对在定向凝固过程中的温度梯度和冷却速率的控制，这产生更高纯度的材料。本发明的装置和方法可用于制备用于诸如太阳能电池的太阳能应用的硅材料。模具(801)通过壁结构(802)和基底(804)限定。系统(800)还包括顶部加热器(820)用以控制熔融硅(801)的热梯度和冷却速度。壁结构(801)包括从模具(801)的边缘到与底部(804)面接的界面的厚度渐缩。

公开(公告)号：CN108149313A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201611105064.3

申请日：2016-12-05

申请人： 青岛小米星电子科技有限公司

发明人： 曲立辉

IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B29/06

CPC分类号： C30B11/003 ,  C30B11/002 ,  C30B29/06

摘要： 本发明公开了一种硅锭的铸造方法，包括步骤：在坩埚中进行装料，底层原料包括多晶硅粉、中间层原料由单晶硅片拼接而成、上层原料为多晶硅料；将坩埚置于铸锭炉中并抽真空，将多晶硅粉烧结使单晶硅片固定；控制炉内的垂直温度梯度，使单晶硅片的上部部分熔化、并使多晶硅料熔化；控制炉内的垂直温度梯度，使晶粒沿着未熔化的单晶硅片向上生长并得到硅锭。本发明能提高硅锭的晶粒尺寸、提高由硅锭制成的硅电池片的光电转换效率，能降低生产成本。

公开(公告)号：CN107311668A

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201710333146.1

申请日：2017-05-12

申请人： 上海大学

发明人： 张浩 ,  李重河 ,  鲁雄刚 ,  李凯 ,  阿里·瓦杰德 ,  周路海

IPC分类号： C04B35/66 ,  C04B35/622 ,  C04B35/48 ,  C04B35/04 ,  B22C1/00 ,  B22C9/04 ,  C30B11/00 ,  B28B1/38

CPC分类号： C04B35/66 ,  B22C1/00 ,  B22C9/04 ,  B28B1/38 ,  C04B35/04 ,  C04B35/48 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6028 ,  C04B2235/606 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C30B11/002

摘要： 本发明公开了一种MgO-BaZrO3复合型壳、应用及其制备方法，采用BaZrO3为面层，MgO为背层材料制备MgO-BaZrO3复合型壳，在精密铸造定向凝固工艺中使用，在高活性合金精密铸造及定向凝固过程中，型壳能经受的环境更加恶劣的考验，本发明复合型壳在强度、高温稳定性等方面性能优势明显，对于高温下具有较高化学活性的钛、锆等合金而言，本发明精密铸造及定向凝固用型壳还具备高的化学稳定性，能有效防止在定向凝固过程中型壳材料与合金熔体反应，本发明所提供的型壳与石墨、CaO、ZrO2、Al2O3等普通型壳相比，可以降低高活性合金与型壳材料的界面反应程度，铸件表面的光洁度高，具有重要的产业价值。

公开(公告)号：CN107266064A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710333119.4

申请日：2017-05-12

申请人： 上海大学

发明人： 李重河 ,  鲁雄刚 ,  陈光耀 ,  宓保森 ,  王世华 ,  张捷宇

IPC分类号： C04B35/48 ,  C04B35/44 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  B22C1/00 ,  B22C9/04 ,  C30B11/00

CPC分类号： C04B35/48 ,  B22C1/00 ,  B22C9/04 ,  C04B35/44 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C30B11/002

摘要： 本发明公开了一种MgAl2O4-CaZrO3复合型壳、应用及其制备方法，型壳的造型材料包括CaZrO3、铝镁尖晶石、钇溶胶、硅溶胶、表面活性剂硬脂酸、消泡剂正丁醇。型壳的面层材料为CaZrO3，背层材料为铝镁尖晶石。该复合模壳具有料浆性能稳定，涂敷性能好，易于保存，模壳耐高温、抗热震性好、化学稳定性高等特点，制备的铸件表面污染层薄，尺寸精度高等特点。适合在精密铸造和定向凝固中应用，具有很高的耐火度，高温稳定性、高温强度和抗热震性优异，具有重要的产业价值。

公开(公告)号：CN103361713B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201310248053.0

申请日：2008-06-04

申请人： 弗赖贝格化合物原料有限公司

发明人： S·艾希勒 ,  T·宾格尔 ,  M·布特 ,  R·吕曼 ,  M·舍费尔-奇甘

IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B29/42

CPC分类号： H01L29/36 ,  C30B11/002 ,  C30B11/003 ,  C30B11/007 ,  C30B29/42 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1092 ,  Y10T428/12

摘要： 本发明涉及一种晶体，包括半导体材料砷化镓，所述晶体具有位错密度的一种分布并且代表位错密度的腐蚀坑密度的全局的标准偏差在垂直于晶体纵轴线的平面内小于晶体的腐蚀坑密度的平均值的17.6%，其中全局的标准偏差的确定基于特征长度5mm；并且所述晶体具有电阻率的一种分布并且全局的标准偏差在垂直于晶体纵轴线的平面内小于晶体的电阻率的平均值的5.3%，其中全局的标准偏差的确定基于特征长度10mm。

公开(公告)号：CN103442825B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201280013618.0

申请日：2012-03-07

申请人： 康萨克公司

发明人： 格雷姆·A·基奥

IPC分类号： B22D7/12 ,  B22D27/02 ,  B22D41/005

CPC分类号： F27B14/061 ,  B22D11/001 ,  B22D11/115 ,  B22D11/141 ,  B22D23/06 ,  B22D27/02 ,  C30B11/001 ,  C30B11/002 ,  C30B11/003 ,  C30B29/06 ,  F27B14/10 ,  F27B14/14

摘要： 一种用于电磁铸造过程中产生铸块的开底式电感应冷却坩埚，该开底式电感应冷却坩埚具有开槽式壁，该开槽式壁在围绕该坩埚的部分外部高度的一个或多个感应线圈下方延伸。在壁槽和底部连接构件的底部开口和底部终端附近的该坩埚的开槽式壁外围提供底部磁屏蔽。

公开(公告)号：CN106211779A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201680000932.3

申请日：2016-03-18

申请人： 日本结晶光学株式会社

发明人： 户塚大辅

IPC分类号： C09K11/00 ,  C09K11/61 ,  G01T1/20 ,  G01T1/202 ,  G21K4/00

CPC分类号： G01T1/2023 ,  C09K11/7435 ,  C30B11/002 ,  C30B11/003 ,  C30B11/065 ,  C30B29/12 ,  G01T1/20 ,  G01T1/202 ,  G21K4/00

摘要： 本发明涉及具有将CsI(碘化铯)作为母体且含有铊(Tl)和铋(Bi)的结晶的闪烁体，其可提供一种能够在维持高输出的同时进一步提高余辉特性的新型闪烁体。本发明提出了一种闪烁体，其是具有将CsI(碘化铯)作为母体并含有Tl、Bi和O而成的结晶的闪烁体，其特征在于，上述结晶中的相对于Cs的Bi含有浓度a为0.001at.ppm≦a≦5at.ppm，上述结晶中的相对于I的O含有浓度b和上述结晶中的相对于Cs的Bi含有浓度a之比例(a/b)为0.005×10-4～200×10-4。

公开(公告)号：CN106149046A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610669690.9

申请日：2016-08-15

申请人： 哈尔滨工业大学

发明人： 杨春晖 ,  马天慧 ,  朱崇强 ,  雷作涛

IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B28/14 ,  C30B29/46

CPC分类号： C30B29/46 ,  C30B11/00 ,  C30B11/002 ,  C30B28/14

摘要： 硒化镓的多晶合成方法和单晶生长方法，它涉及中远红外非线性材料的多晶合成和单晶生长方法。它是要解决现有的GaSe多晶合成的化学计量偏移大和产率低及自发成核阶段易形成无效晶核与单晶生长方向不确定的技术问题。多晶合成：把单质Ga放在小舟中，再把它放到石英管的一端，Se放在石英管的另一端，抽真空后熔封，放在水平双温区管式电阻炉中合成，得到GaSe多晶，其化学计量比为1：(1～1.05)，产率大于97％。单晶生长：将GaSe多晶加入到PBN坩埚中，然后将PBN坩埚竖直放在石英管中，抽真空后熔封，再放在垂直双温区管式电阻炉中，单晶生长结束后获得GaSe单晶。可用作中远红外激光材料实现8～10μm激光输出。

公开(公告)号：CN106062258A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201480076252.0

申请日：2014-10-08

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 神田乔之 ,  小南信也 ,  上野雄一郎 ,  石津崇章 ,  清野知之 ,  高桥勋

IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B29/12

CPC分类号： C30B13/08 ,  C01G15/00 ,  C30B11/00 ,  C30B11/002 ,  C30B11/007 ,  C30B13/14 ,  C30B13/16 ,  C30B29/12 ,  C30B29/42 ,  C30B29/46 ,  C30B29/48 ,  C30B35/002 ,  C30B35/007

摘要： 作为用于晶体培养的晶体培养用坩埚(10)，使用一种坩埚，其具备：保持原料(20)的保持部(12)；回收使保持于保持部(12)的原料(20)气化了时的初级馏出物(24)的初级馏出物回收部(14)；对使保持于保持部(12)的原料(20)气化了时的主馏出物进行凝缩的主馏出物凝缩部(16)；以及对由主馏出物凝缩部(16)凝缩后的原料熔液(28)所构成的主馏出物(30)进行保持且在使晶体从所保持的主馏出物(30)培养时用于生成晶体的晶体培养部(18)。由此，能够实现半导体晶体的原料的高纯度化，并且能够提高晶体的制造效率。

公开(公告)号：CN102859051B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201180016917.5

申请日：2011-03-11

申请人： 吉坤日矿日石金属株式会社

发明人： 朝日聪明 ,  野田朗

IPC分类号： C30B29/48 ,  C01B19/04 ,  C22C1/02 ,  C30B11/00

CPC分类号： C22C1/02 ,  C30B11/002 ,  C30B29/48

摘要： 本发明提供II-VI族化合物半导体多晶的合成方法，其中，即使不使用石英安瓿作为多晶合成中使用的容器，也可以进行合成，由此在不降低收率的情况下，可以实现容器的大型化，实现成本降低。其中，将两种以上原料元素放入到半密闭型pBN制内侧容器(6a)内，进而将该内侧容器放入到半密闭型耐热性外侧容器(6b)中，并配置在具有加热机构(7)的高压炉(1)内，对高压炉内进行排气并用规定压力的惰性气体充满后，利用加热机构加热外侧容器和内侧容器使其升温，使内侧容器内的原料元素熔解、反应后，缓慢降低温度，由此使多晶生长。