公开(公告)号：CN1965758A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610146550.X

申请日：2006-11-15

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 清野知之 ,  横井一磨 ,  高桥勋 ,  上野雄一郎

IPC: A61B6/00 ,  G01T1/24 ,  G01T3/08

CPC classification number: G01T1/243 ,  A61B6/037 ,  G01T1/24 ,  G01T1/249 ,  G01T1/2928

Abstract: 本发明提供一种能量分辨率优越的核医学诊断装置及核医学诊断方法。核医学诊断装置，具有通过由导电性粒子及树脂粘合剂构成的导电性粘接剂(21A)粘接半导体元件(S)和金属制的导电部件(22、23)的粘接结构，还具备将放射线入射到上述半导体元件(S)时所产生的电荷从上述导电部件(22、23)经上述导电性粘接剂(21A)通过检测电路(30)作为信号导出的结构，其特征在于，设有：用于使至少流过上述导电性粘接剂(21A)的电流比入射了放射线时所产生的电荷形成的电流大的通电机构(40)；以及保护上述检测电路(30)不受由该通电机构(40)流过的电流的影响的保护电路(31)。

公开(公告)号：CN1916660A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200610115747.7

申请日：2006-08-15

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 清野知之 ,  柳田宪史 ,  高井俊明 ,  依田智子 ,  松岛直树

IPC: G01T1/24 ,  G01T3/08

CPC classification number: G01T1/2985 ,  A61B6/037 ,  G01T1/243 ,  G01T1/244 ,  G01T1/249

Abstract: 本发明提供一种能量分辨能力及时间精度优良的放射线半导体检测器、放射线检测模块及核医学诊断装置。半导体放射线检测器(21)具有将碲化镉的板状元件(211)和金属制的导电部件(22、23)利用导电性粘接剂(21A)粘接，并将碲化镉的板状元件(211)和导电部件(22、23)交替叠层的构造，其特征在于：导电性粘接剂(21A)的纵弹性模量是350MPa～1000MPa，且导电部件(22、23)由其线膨胀系数在5×10－6/℃～7×10－6/℃的范围的材料构成。

公开(公告)号：CN106062258B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201480076252.0

申请日：2014-10-08

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 神田乔之 ,  小南信也 ,  上野雄一郎 ,  石津崇章 ,  清野知之 ,  高桥勋

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/12

CPC classification number: C30B13/08 ,  C01G15/00 ,  C30B11/00 ,  C30B11/002 ,  C30B11/007 ,  C30B13/14 ,  C30B13/16 ,  C30B29/12 ,  C30B29/42 ,  C30B29/46 ,  C30B29/48 ,  C30B35/002 ,  C30B35/007

Abstract: 作为用于晶体培养的晶体培养用坩埚(10)，使用一种坩埚，其具备：保持原料(20)的保持部(12)；回收使保持于保持部(12)的原料(20)气化了时的初级馏出物(24)的初级馏出物回收部(14)；对使保持于保持部(12)的原料(20)气化了时的主馏出物进行凝缩的主馏出物凝缩部(16)；以及对由主馏出物凝缩部(16)凝缩后的原料熔液(28)所构成的主馏出物(30)进行保持且在使晶体从所保持的主馏出物(30)培养时用于生成晶体的晶体培养部(18)。由此，能够实现半导体晶体的原料的高纯度化，并且能够提高晶体的制造效率。

公开(公告)号：CN106062258A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201480076252.0

申请日：2014-10-08

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 神田乔之 ,  小南信也 ,  上野雄一郎 ,  石津崇章 ,  清野知之 ,  高桥勋

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/12

CPC classification number: C30B13/08 ,  C01G15/00 ,  C30B11/00 ,  C30B11/002 ,  C30B11/007 ,  C30B13/14 ,  C30B13/16 ,  C30B29/12 ,  C30B29/42 ,  C30B29/46 ,  C30B29/48 ,  C30B35/002 ,  C30B35/007

Abstract: 作为用于晶体培养的晶体培养用坩埚(10)，使用一种坩埚，其具备：保持原料(20)的保持部(12)；回收使保持于保持部(12)的原料(20)气化了时的初级馏出物(24)的初级馏出物回收部(14)；对使保持于保持部(12)的原料(20)气化了时的主馏出物进行凝缩的主馏出物凝缩部(16)；以及对由主馏出物凝缩部(16)凝缩后的原料熔液(28)所构成的主馏出物(30)进行保持且在使晶体从所保持的主馏出物(30)培养时用于生成晶体的晶体培养部(18)。由此，能够实现半导体晶体的原料的高纯度化，并且能够提高晶体的制造效率。

公开(公告)号：CN105874353A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201480063626.5

申请日：2014-10-08

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 高桥勋 ,  小南信也 ,  清野知之

IPC: G01T1/24 ,  G01T1/161

CPC classification number: G01T1/241 ,  A61B6/42 ,  G01T1/161 ,  G01T1/24

Abstract: 放射线检测元件(1)具备以铊离子与溴离子结合而成的化合物即离子电子混合传导体为原材料的结晶部(10)、在该结晶部(10)的一个面上形成的金属电极(13a)、以及在与形成有该金属电极(13a)的面相对的面上形成的金属电极(13b)，结晶部(10)在形成有金属电极(13a、13b)的面上具有金属含有部(12)，所述金属含有部(12)含有将溴元素选择性地去除以使铊离子成为中性而得到的铊。由此，可提供抑制了极化所引起的问题的产生、可实用的放射线检测元件及其制造方法。

公开(公告)号：CN101046513A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710078804.3

申请日：2007-02-15

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 横井一磨 ,  雨宫健介 ,  小桥启司 ,  清野知之 ,  石津崇章 ,  高桥勋

IPC: G01T1/16 ,  G01T1/161 ,  G01T1/166 ,  A61B6/03

CPC classification number: G01T7/005 ,  A61B6/037 ,  G01T1/1644 ,  G01T1/247 ,  G01T1/249

Abstract: 本发明涉及一种能量校准方法、能量感兴趣区域的设定方法、放射线检测装置及核医学诊断装置。在现有技术中发现了如下问题：由于俘获损失噪声的左右非对称性，因其他噪声(电子噪声等)量的变动即使对于相同入射能量波峰分布的最频值也变动；以及即使其他噪声量一定也由于俘获损失噪声的波峰依赖性而使计测波峰为非线性。本发明的目的在于解决上述问题，提供一种对于电子噪声量的变动等稳定且线性的能量基准。本发明提供一种能量校准方法，用多个具有峰值分布的最频值和平均值不同的值的放射线检测器检测来自校准线源的一定能量的放射线照射，校准利用来自上述校准线源的一定能量的放射线照射而得到的关于各放射线检测器的波峰分布内的平均值使其相同。