公开(公告)号：CN107254715A

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201710281775.4

申请日：2011-12-16

申请人： 株式会社电装

发明人： 徳田雄一郎 ,  原一都 ,  小岛淳

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B25/14

CPC分类号： C30B29/36 ,  C30B25/14 ,  C30B25/165 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1008

摘要： 一种制造碳化硅单晶(20)的装置通过从籽晶的下面供应原料气体(3)来在籽晶(5)上生长碳化硅单晶。该装置包括加热容器(8)和定位于加热容器中的基部(9)。籽晶安装于基部上。该装置还包括用于引起净化气体沿着加热容器的内壁表面流动的第一入口(8b)、用于将净化气体供应至第一入口的净化气体源(14)、用于引起净化气体沿着基部的外壁表面流动的第二入口(93)、以及用于支撑基部以及用于将净化气体从基部的下面供应至基部的机构(11)。

公开(公告)号：CN103155101B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201180049192.X

申请日：2011-09-14

申请人： 应用材料公司

发明人： D·P·布尔 ,  A·杜博斯特 ,  A·戈德

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/0075 ,  C30B25/16 ,  C30B29/40 ,  G01K11/20 ,  G01K2217/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67248 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

摘要： 本发明提供例如在发光二极管(LED)的制造期间控制外延生长参数的设备与方法。实施例包括对III-V族薄膜在当基板在高温下处于多腔室群集工具的移送室中时生长之后的PL测量。在其他实施例中，当所述基板安置于所述移送室中时，执行薄膜厚度测量、非接触电阻率测量及粒子和/或粗糙度测量。藉由基于来自安置于所述III-V族薄膜下方的GaN基极层的发射来估计高温，而将在所述移送室中执行的测量中的一个或更多个测量在温度上校正至室温。在其他实施例中，温度校正基于所述GaN基极层的吸收能带边缘，所述吸收能带边缘由所收集的白光反射光谱来确定。然后，将经温度校正的测量方法用于控制生长工艺。

公开(公告)号：CN102664160B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201110330672.5

申请日：2011-10-20

申请人： 硅电子股份公司

发明人： E·道布 ,  R·凯斯 ,  M·科勒斯勒 ,  T·洛赫

IPC分类号： H01L21/687 ,  H01L21/02 ,  C30B33/02

CPC分类号： H01L21/68735 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/3225 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1016

摘要： 公开了一种用于在半导体晶片的热处理过程中支撑由单晶硅构成的半导体晶片的支撑环，包括：外侧表面、内侧表面、和从外侧表面延伸到内侧表面的用于放置半导体晶片的弯曲表面，如果弯曲表面被设计用于放置具有300mm的直径的半导体晶片，则所述弯曲表面的曲率半径不小于6000mm、不大于9000mm，或如果弯曲表面被设计用于放置具有450mm的直径的半导体晶片，则所述弯曲表面的曲率半径不小于9000mm、不大于14000mm。本发明还公开了一种用于这种半导体晶片的热处理的方法和一种由单晶硅构成的热处理后的半导体晶片。

公开(公告)号：CN103261493A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201180055458.1

申请日：2011-11-17

申请人： 思利科材料有限公司

发明人： S·尼科尔 ,  D·史密斯

IPC分类号： C30B28/06 ,  C01B33/037 ,  C30B29/06 ,  H01L31/18

CPC分类号： F27B14/10 ,  B22D27/045 ,  C30B11/002 ,  C30B11/003 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1016 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1092

摘要： 本发明涉及使用定向固化用于纯化硅的装置和方法。所述装置可以用于硅的定向固化多于一次而没有故障。本发明的装置和方法可以用于制造用于太阳能电池的硅晶体。

公开(公告)号：CN103205802A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201310066601.8

申请日：2005-02-25

申请人： 索拉克斯有限公司

发明人： 大卫·L·本德

IPC分类号： C30B15/00 ,  C30B15/20 ,  C30B15/10 ,  C30B15/02 ,  C30B29/06

CPC分类号： C30B15/12 ,  C30B15/002 ,  C30B15/02 ,  C30B15/04 ,  C30B15/10 ,  C30B15/14 ,  C30B15/22 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1032 ,  Y10T117/1052 ,  Y10T117/1056 ,  Y10T117/1068 ,  Y10T117/1072 ,  Y10T117/108 ,  Y10T117/1088 ,  Y10T117/1092

摘要： 用于单晶锭连续生长的基于Czochralski法的改进系统，包括低长宽比、大直径以及基本平坦的坩埚，该坩埚包括围绕晶体的任选堰。低长宽比坩埚基本消除对流并减少最终单晶硅锭中的氧含量。独立的水平可控硅预熔化室为生长坩埚提供熔融硅的连续源，有利地消除了在晶体提拉过程中对垂直移动以及坩埚抬升系统的需求。坩埚下面的多个加热器建立横跨熔体的相应热区。分别控制各加热器的热输出以提供横跨熔体以及在晶体/熔体界面处的最佳热分布。提供多个晶体提拉室用于连续加工和高生产量。

公开(公告)号：CN101305116B

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN200680039620.X

申请日：2006-08-25

申请人： 晶体系统公司

发明人： F·施米德 ,  C·P·哈塔克 ,  D·B·乔伊斯

IPC分类号： C30B35/00 ,  C30B17/00

CPC分类号： C30B11/007 ,  C30B29/06 ,  C30B29/20 ,  C30B29/42 ,  Y10S117/90 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1016 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1028 ,  Y10T117/1072 ,  Y10T117/1092

摘要： 为了减少向坩埚底部的热量输入和独立于热量输入来控制热量吸取，当晶体生长时可以在加热元件和坩埚之间以受控制的速度升高护罩。其它的步骤可以包括移动坩埚，但是该过程可以避免必须移动坩埚。温度梯度通过仅仅屏蔽加热元件的一部分而产生；例如，圆柱形的元件底部可以被屏蔽以使传递到坩埚底部的热量比到顶部的少，从而导致坩埚内的稳定的温度梯度。

公开(公告)号：CN102899723A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210395316.6

申请日：2005-06-14

申请人： 克里公司

发明人： J·R·杰尼

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B23/00 ,  C30B33/00 ,  B24B7/22 ,  B24B9/06

CPC分类号： C30B29/36 ,  C30B23/00 ,  C30B23/025 ,  C30B33/00 ,  H01L21/324 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1016 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/31

摘要： 本发明公开了单一多型体的单晶碳化硅晶片，其直径大于75毫米，并小于125毫米，电阻率大于10000ohm-cm，微管密度小于200cm-2，并且浅能级掺杂剂的总浓度小于5E16cm-3。

公开(公告)号：CN101618970B

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN200910142445.2

申请日：2009-06-16

申请人： 揖斐电株式会社

发明人： 加藤秀树 ,  鹿野治英 ,  安田正弘

IPC分类号： C30B15/10 ,  C04B35/83 ,  C04B35/52

CPC分类号： C30B35/002 ,  C30B11/002 ,  C30B15/10 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1032 ,  Y10T117/1052

摘要： 本发明提供了坩埚保持部件和及其制造方法。所述坩埚保持部件包含：中空网状体，所述中空网状体通过将多根绳股编织成相对于所述网状体的轴线斜向对齐而形成，所述绳股的每一根均包含多根碳纤维，所述网状体包含双层开口部，在该双层开口部中，所述网状体的一侧在其圆周部向内或向外折叠从而与所述网状体的另一侧重叠；和基质，所述基质充填在所述网状体的所述碳纤维之间的空隙中。

公开(公告)号：CN102664160A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201110330672.5

申请日：2011-10-20

申请人： 硅电子股份公司

发明人： E·道布 ,  R·凯斯 ,  M·科勒斯勒 ,  T·洛赫

IPC分类号： H01L21/687 ,  H01L21/02 ,  C30B33/02

CPC分类号： H01L21/68735 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/3225 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1016

摘要： 公开了一种用于在半导体晶片的热处理过程中支撑由单晶硅构成的半导体晶片的支撑环，包括：外侧表面、内侧表面、和从外侧表面延伸到内侧表面的用于放置半导体晶片的弯曲表面，如果弯曲表面被设计用于放置具有300mm的直径的半导体晶片，则所述弯曲表面的曲率半径不小于6000mm、不大于9000mm，或如果弯曲表面被设计用于放置具有450mm的直径的半导体晶片，则所述弯曲表面的曲率半径不小于9000mm、不大于14000mm。本发明还公开了一种用于这种半导体晶片的热处理的方法和一种由单晶硅构成的热处理后的半导体晶片。

公开(公告)号：CN1943918B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200610121557.6

申请日：2006-08-22

申请人： 雅马哈株式会社

发明人： 林高广

IPC分类号： B22D27/04 ,  H01L35/34

CPC分类号： H01L35/34 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1036

摘要： 一种制备热电材料的方法包括下述步骤。可以将热电原材料填充到第一模具的空腔内，使得填充到所述空腔内的热电原材料具有第一和第二尺寸。所述第一尺寸可以沿第一方向界定。所述第二尺寸可以沿第二方向界定。所述第二方向可以垂直于所述第一方向。所述第一尺寸可以大于等于所述第二尺寸。可以在至少为600℃/min.的冷却速率下，沿平行于所述第二方向的单轴方向使填充于所述空腔内的热电原材料冷却。