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公开(公告)号：CN109305661A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201710644806.8
申请日：2017-07-27
Applicant: 南京工业大学
CPC classification number: C01B25/02 , C01P2002/72 , C01P2002/82 , C30B23/00 , C30B29/02
Abstract: 本发明涉及正交晶系黑磷单晶制备方法，具体为：将三元磷锡碘催化剂和红磷混合，置于反应器中，排除空气封紧后通过程序升温和降温制备黑磷，其中三元磷锡碘催化剂可以预先大量生产，且以之为催化剂获得的黑磷结晶性能好，纯度高，产率高达99％，催化剂能够重复使用，为后续的黑磷应用发展提供极大的便利。
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公开(公告)号：CN108754606A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810633727.1
申请日：2018-06-20
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种具有磁热效应的CrBr3单晶及其制备方法和应用，属于磁制冷材料技术领域。所述制备方法将CrBr3多晶原料放入石英管中，抽高真空；将石英管水平放入二温区管式炉内，然后同时将管式炉源区和生长区升温，恒温后冷却至室温，得到CrBr3单晶。本发明制备方法的合成温度低，设备简单，制造工艺简单，气相输运过程有利于材料的纯化，因此单晶纯度高，质量好。制备得到单晶材料在33K具有铁磁到顺磁的二级相变，在外加磁场下性能稳定，具有大的磁熵变和相对制冷能力。本发明为磁制冷的发展和应用提供了制备参数，可用于高能物理、低温工程精密仪器、电力工业等技术领域。
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公开(公告)号：CN108315815A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810459170.4
申请日：2018-05-15
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明公开了一种锑烯的制备方法，包括以下步骤：在小石英试管中放入体积1/3到1/2纯度为99.99％的Sb粉，将二氧化硅衬底放置在石英舟上，然后将小石英试管和石英舟都放入大石英试管中，再将上述大石英试管水平放置在管式炉中，使装有Sb粉的小石英试管位于加热区，放置有二氧化硅衬底的石英舟位于非加热区；将管式炉中的空气全部排净后保持真空泵打开并在管式炉中一边连续通入N2；设定管式炉程序，使管式炉加热到650℃～700℃内某一温度后，保持该温度30min～120min，再关闭管式炉，使大石英试管在管式炉中冷却至室温后取出，得到生长在二氧化硅衬底上的锑烯材料。利用本发明所述方法制备的锑烯具有大尺寸、晶体质量良好的优点，是一种可控、重复性好的制备方法。
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公开(公告)号：CN105358744B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201480037439.X
申请日：2014-05-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36
CPC classification number: C30B23/025 , C30B23/00 , C30B23/02 , C30B29/36
Abstract: 在本发明中，制造碳化硅单晶衬底(10)的方法包括以下步骤。制备具有主表面(2a)并且由碳化硅制成的籽晶(2)，以及碳化硅原材料(3)。通过在维持在碳化硅原材料(3)中的任意两点之间的温度梯度为30℃/cm或更小的同时，升华碳化硅原材料(3)，使碳化硅单晶(1)在主表面(2a)上生长。籽晶(2)的主表面(2a)为{0001}面或相对于{0001}面具有10°或更小偏离角的面，并且主表面(2a)具有20/cm2或更大的螺旋位错密度。因此，提供能实现提高的晶体质量的碳化硅单晶衬底和其制造方法。
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公开(公告)号：CN107974712A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711122061.5
申请日：2017-11-14
Applicant: 山东天岳先进材料科技有限公司
IPC: C30B29/36 , C30B23/00 , C01B32/984
Abstract: 本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种半绝缘碳化硅单晶的制备方法。本发明通过在原料中掺杂浅能级受主元素IIIA族元素，在晶体生长过程中采用掺杂SiC原料长晶，将浅能级受主元素引入SiC晶体中，从而达到对浅能级施主杂质的充分补偿，实现SiC晶体的半绝缘特性。使用本发明生长半绝缘SiC晶体无需通过快速降温实现高浓度点缺陷的引入，从而减小了晶体应力，提高了晶体质量；较低浓度的点缺陷减少了电学性能的不稳定性；此外，通过控制掺杂浓度，可以实现对晶体电阻率的可控调节。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107747130A
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201710996898.6
申请日：2017-10-20
Applicant: 绍兴文理学院
Inventor： 窦卫东
Abstract: 一种在铜膜修饰石墨烯基底上制备酞菁单晶薄膜的方法，属于石墨烯技术领域。本发明可用于制备高性能有机场效应器件。在有机场效应器件中，石墨烯常用作电极涂层，利用石墨烯的高电导率及其对有机分子薄膜的结晶诱导作用，提高器件中载流子的注入和传输效率，从而改善器件性能。石墨烯基底通常会诱导酞菁分子形成垂直于石墨烯基底的π-π堆栈结构，这种堆栈结构不利于载流子在平行于基底表面的横向方向上传输。本技术通过在石墨烯基底上修饰厚度为1纳米的铜纳米颗粒薄层，可以实现具有单晶结构，且分子π-π堆栈方向平行于石墨烯基底的酞菁单晶薄膜可控生长。
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公开(公告)号：CN107059130A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710262861.0
申请日：2017-04-20
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种减少碳化硅单晶中包裹体的新型坩埚及利用坩埚生长单晶的方法，包括外坩埚和坩埚盖，在外坩埚内设置有内坩埚，所述的内坩埚包括底部和侧壁，侧壁为双层侧壁，双层侧壁包括内壁和外壁，内壁上设置有贯穿内壁的小孔，双层侧壁上端口设置有密封内壁与外壁之间夹层的环形端盖。本发明的内坩埚将处于高温位置容易碳化的SiC粉料封闭于内坩埚的内壁与外壁之间的夹层中，粉料碳化后的微小碳颗粒不能输运到籽晶表面，同时内腔中的粉料对夹层中热解的气相起到过滤作用，避免了碳颗粒传输到SiC单晶表面，从而大大减少SiC单晶中的碳包裹体，生长得到厚度为20mm的SiC单晶无碳包裹体生成。
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公开(公告)号：CN105246826B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201380076003.7
申请日：2013-11-27
Applicant: 太平洋水泥株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: C30B23/025 , C01B32/956 , C01P2004/50 , C01P2004/60 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C30B23/00 , C30B29/36
Abstract: 提供一种碳化硅粉末，其用作升华再结晶法的原料的情况下，升华速度快且未升华而残存的碳化硅的量少，因此能够提高碳化硅单晶的生产率，并且碳化硅单晶(例如单晶晶片)能够大型化。碳化硅粉末是勃氏比表面积为250～1,000cm2/g的碳化硅粉末，该碳化硅粉末的总量中，粒度超过0.70mm且为3.00mm以下的碳化硅粉末的比例为50体积％以上。通过将碳化硅粉末5收容至坩埚1内并加热使其升华，能够使碳化硅的单晶6形成于设置于上盖3的底面部分的籽晶4上。
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公开(公告)号：CN106245110A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610750958.1
申请日：2016-08-30
Applicant: 河北同光晶体有限公司
Abstract: 本发明涉及一种减少SiC晶体生长中缺陷产生的方法，是在常用的物理气相传输法生长碳化硅单晶的基础上做进一步改进，包括（：1）配制石墨胶；（2）用单面刀片把石墨胶均匀的涂在籽晶非生长面和石墨板的粘接面，然后上石墨胶的两个面叠在一起，尽少量的石墨胶将石墨板与籽晶粘接好（；3）加热使石墨胶固化。本发明的有益效果是：解决了气孔与高温碳化后的粘合剂之间导热性的差异将导致的籽晶背面温度分布不均匀问题，减少了晶体生长过程中由背面蒸发导致的六方空洞缺陷，极大地提高了碳化硅晶体质量及产率。
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公开(公告)号：CN106222739A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610822043.7
申请日：2016-09-13
Applicant: 山东省科学院能源研究所
IPC: C30B23/00
CPC classification number: C30B23/00
Abstract: 本发明涉及一种改善物理气相传输法晶体生长炉温度场分布的装置，包括晶体生长炉，所述晶体生长炉包括中频电源、接触电极、加热线圈、保温层和石墨坩埚，所述保温层设置有倒置漏斗形的温度监测孔，温度监测孔的上部和下部为圆柱状，上部的圆柱通过圆锥面与下部的圆柱相连接，下部的圆柱的直径大于上部的圆柱的直径。另外，保温层外侧还设置有阻磁装置。本发明由于温度监测孔的特殊形状，降低了晶体的径向温度梯度，进而减小生长过程中的热应力，同时增加了轴向温度梯度，在一定程度上提高晶体生长速度，并且还避免了轴向温度梯度的不均匀性；并且本发明增加了硅钢片阻磁装置，减小了加热功率，保障了操作人员的安全。
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