公开(公告)号：CN103258986B

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201310036349.6

申请日：2013-01-30

申请人： 精工爱普生株式会社

发明人： 市川祐永

IPC分类号： H01M4/13 ,  H01M4/139 ,  H01M4/36 ,  H01M10/0525

CPC分类号： H01M4/366 ,  C30B23/02 ,  C30B29/22 ,  H01M4/131 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/525 ,  Y02E60/122

摘要： 本发明提供能够容易地进行来自电解质的Li离子的插入/脱离的电极活性物质层及电极体，并且提供电池容量及电池输出优异的锂离子二次电池以及电极活性物质层的制造方法。本发明的电极活性物质层(1)是由层状结晶的电极活性物质(11)构成的锂离子二次电池用的电极活性物质层(1)，其特征在于，所述层状结晶的电极活性物质(11)在电极活性物质层(1)的层方向上取向，并在表面具有多个贯通孔(12)。贯通孔的直径优选在10μm以上5000μm以下。

公开(公告)号：CN105951178A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201610276819.X

申请日：2016-04-29

申请人： 中国工程物理研究院材料研究所

发明人： 冯卫 ,  刘琴 ,  谢东华 ,  朱燮刚 ,  陈秋云 ,  谭世勇

IPC分类号： C30B23/02 ,  C30B29/02 ,  C30B29/16 ,  C30B33/00 ,  C30B33/02 ,  C01B19/04

CPC分类号： C30B23/02 ,  C01B19/004 ,  C01P2002/72 ,  C30B29/02 ,  C30B29/16 ,  C30B33/005 ,  C30B33/02

摘要： 本发明属于薄膜制备领域。公开一种制备立方相三氧化二铈单晶薄膜的方法。该三氧化二铈为(Mn0.5Fe0.5)2O3结构，空间群为206。该方法包括：提供一单晶钨(110)衬底，并对其表面进行清洁处理，以获得原子级平整的表面；提供铈(Ce) 蒸发源，并在处理后的单晶钨(110)衬底表面沉积Ce，在处理后的单晶钨(110)衬底表面获得厚度为2~5纳米的Ce单晶薄膜；在室温下氧化Ce单晶薄膜，获得CeO2；在真空环境中对CeO2进行退火处理，退火温度900℃，时间为15~30分钟，获得(001)面的Ce2O3单晶薄膜。本发明获得了（001）面的立方相Ce2O3单晶薄膜，是对现有催化模型体系研究的补充。

公开(公告)号：CN105745364A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201480061900.5

申请日：2014-10-14

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 堀勉 ,  佐佐木信 ,  本家翼 ,  川濑智博

IPC分类号： C30B29/36 ,  B24B27/06 ,  B28D5/04 ,  C30B33/00 ,  H01L21/304

CPC分类号： B28D5/045 ,  B24B27/0633 ,  C30B23/02 ,  C30B23/025 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  C30B33/06

摘要： 提供了一种碳化硅锭(1)，其包括端表面(1a)和与端表面(1a)相反端表面(1b)。在碳化硅锭(1)中，端表面(1a)和端表面(1b)在生长方向上彼此面对，并且所述生长方向上的氮浓度梯度不小于1×1016cm?4且不大于1×1018cm?4。

公开(公告)号：CN103378224B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201210122618.6

申请日：2012-04-25

申请人： 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

发明人： 魏洋 ,  范守善

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L21/36 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/188 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/02 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/005

摘要： 本发明涉及一种外延结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一支持外延层生长的外延生长面；在所述基底的外延生长面设置一石墨烯层，所述石墨烯层使所述外延生长面部分被覆盖且部分被暴露；以及在基底的外延生长面被暴露的部分生长外延层。

公开(公告)号：CN103329248B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201180063194.4

申请日：2011-12-16

申请人： 佳能安内华股份有限公司

发明人： 醍醐佳明 ,  石桥启次

IPC分类号： H01L21/203 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L21/02631 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/345 ,  C30B23/005 ,  C30B23/02 ,  C30B25/06 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007

摘要： 提供一种用于利用溅射法来在α-Al2O3基板上外延生长高质量的III族氮化物半导体薄膜的外延膜形成方法。在根据本发明实施方式的外延膜形成方法中，在配置于溅射设备(1)的配备有加热器电极(104)和偏置电极(103)的基板保持件(111)上的α-Al2O3基板上形成III族氮化物半导体薄膜的外延膜的情况下，在利用加热器电极(104)使α-Al2O3基板维持为预定温度的状态下向靶材电极(102)施加高频电力并且向偏置电极(103)施加高频偏置电力。此时，高频电力和高频偏置电力的施加是以在该高频电力和该高频偏置电力之间不会发生频率干涉的方式进行的。

公开(公告)号：CN105122385A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201480022226.X

申请日：2014-05-26

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 藤田利晃 ,  田中宽 ,  长友宪昭

IPC分类号： H01C7/04 ,  C01G31/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C30B29/38 ,  G01K7/22 ,  H01C17/12

CPC分类号： H01C7/008 ,  C01B21/0602 ,  C01P2006/32 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/5826 ,  C30B23/02 ,  C30B29/38 ,  G01K7/22 ,  H01C7/006 ,  H01C7/04 ,  H01C17/12

摘要： 本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器，该热敏电阻用金属氮化物材料能够在非烧成条件下直接成膜于薄膜等上，且具有高耐热性而可靠性较高。本发明的热敏电阻用金属氮化物材料是用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：VxAlyNz表示的金属氮化物构成，其中，0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.4≤z≤0.5、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。该热敏电阻用金属氮化物材料的制造方法具有成膜工序，所述成膜工序使用V-Al合金溅射靶在含氮气氛中进行反应性溅射而成膜。

公开(公告)号：CN104695021A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201510097755.2

申请日：2015-03-05

申请人： 湖南大学

发明人： 潘安练 ,  樊晓鹏 ,  朱小莉

IPC分类号： C30B29/46 ,  C30B23/02 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

CPC分类号： C30B29/46 ,  C30B23/02

摘要： 本发明涉及一种层状螺旋WS2二维纳米材料及其制备方法，属于层状二维纳米材料制备技术领域。本发明所述层状螺旋WS2二维纳米材料是通过螺旋位错的生长将相邻的WS2层连接在一起；所述WS2层呈三角形。本发明首次用一种简单的方法合成了组分均一层状螺旋WS2二维纳米材料。所得产品结晶质量高，便于应用于纳米级功能性光电子器件。

公开(公告)号：CN104350128A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201380028405.X

申请日：2013-05-29

申请人： 崇高种子公司

发明人： 前田智彦 ,  寺前文晴 ,  难波江宏一

IPC分类号： C09K11/65 ,  C09K11/02 ,  H01L33/32

CPC分类号： C09K11/655 ,  C09K11/02 ,  C09K11/65 ,  C30B23/00 ,  C30B23/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/32 ,  H01L33/502 ,  H01L33/507

摘要： 本发明提供提高了发光效率的SiC荧光材料及其制造方法以及发光元件。荧光材料由碳原子配置于立方体位置和六方体位置的SiC晶体构成，并添加有施主杂质和受主杂质，以使与立方体位置的碳原子置换的施主杂质相对于与六方体位置的碳原子置换的施主杂质的比例，比晶体构造中的立方体位置相对于六方体位置的比例大。

公开(公告)号：CN103843160A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201280048166.X

申请日：2012-08-28

申请人： 欧司朗光电半导体有限公司

发明人： 约阿希姆·赫特功 ,  卡尔·恩格尔 ,  贝特霍尔德·哈恩 ,  安德烈亚斯·魏玛 ,  彼得·施陶斯

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L21/20 ,  C23C14/06 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  C30B23/06 ,  C30B29/40

CPC分类号： H01L33/007 ,  C23C14/0617 ,  C30B23/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2924/00

摘要： 在方法的至少一个实施形式中，所述方法设计成用于制造光电子半导体芯片（10），尤其是发光二极管。该方法至少包括下述步骤：提供硅生长衬底（1）；借助于溅镀在生长衬底（1）上生成III族氮化物缓冲层（3），和在缓冲层（3）上方生长具有有源层（2a）的III族氮化物半导体层序列（2）。

公开(公告)号：CN103460340A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201280017098.0

申请日：2012-02-10

申请人： 陶氏环球技术有限责任公司 ,  加利福尼亚技术学院

发明人： G·M·金博尔 ,  J·P·博斯科 ,  H·A·沃特 ,  N·S·刘易斯 ,  M·W·德格洛特 ,  J·C·斯特文斯

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C14/24

CPC分类号： H01L31/18 ,  C30B23/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02409 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/0321 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/068 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548

摘要： 本发明提供了制造磷属元素化物组合物、特别是光活性的和/或半导体的磷属元素化物的方法。在许多实施方式中，这些组合物是待整合到广泛的微电子器件中的生长在广泛的合适衬底上的薄膜的形式，所述微电子器件包括光伏器件、光电探测器、发光二极管、β辐生伏特器件、热电器件、晶体管、其他光电子器件等等。总的来说，本发明从合适的源化合物制备这些组合物，其中在第一加工区中蒸气流源自于源化合物，所述蒸气流在不同于第一加工区的第二加工区中进行处理，然后处理过的蒸气流，任选与一种或多种其他成分组合，用来在合适的衬底上生长磷属元素化物薄膜。