知搜-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

142 条记录 (耗时 0.016 秒)

    AlN薄膜生长方法
    1.
    发明公开
    AlN薄膜生长方法 无效

    公开(公告)号：CN109326506A

    公开(公告)日：2019-02-12

    申请号：CN201810985762.X

    申请日：2018-08-28

    申请人： 晶能光电(江西)有限公司

    发明人： 练发东 ,  涂逵

    IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C23C14/06 ,  C23C14/35

    CPC分类号： H01L21/0242 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/35 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/67253

    摘要： 本发明提供了一种AlN薄膜生长方法，包括：S1在生产单元中包含的多个载盘中依次放置生长衬底；S2按照次序将一个载盘传入PVD设备；S3将靶材上多余的AlN膜层清除；S4通过溅射工艺在载盘中的生长衬底表面生长预设厚度的AlN薄膜；S5将载盘移出PVD设备进行冷却；S6判断是否生产单元中所有载盘的AlN薄膜生长结束，若是，结束该生产单元AlN薄膜的生长，否则，跳转至步骤S2，有效避免因靶材上AlN层过厚影响后续的溅射工艺，且可以连续生产，不需要每隔一定炉次进行以此AlN清除和预沉积工艺，大大提高了产出效率，增加了工艺的稳定性。

    增加活性氮辅助制备GaN薄膜的脉冲激光沉积系统及方法
    3.
    发明公开
    增加活性氮辅助制备GaN薄膜的脉冲激光沉积系统及方法 无效

    公开(公告)号：CN107937872A

    公开(公告)日：2018-04-20

    申请号：CN201711200060.8

    申请日：2017-11-24

    申请人： 广西大学

    发明人： 莫观孔 ,  沈晓明 ,  何欢 ,  符跃春

    IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/28

    CPC分类号： C23C14/0617 ,  C23C14/28

    摘要： 一种增加活性氮辅助制备GaN薄膜的脉冲激光沉积系统，在脉冲激光沉积系统的靶台邻近处安装有环形通气管，环形通气管与进气管连通，环形通气管靠近圆心一侧的管壁上分布有多个出气孔。当沉积GaN薄膜时，在所述脉冲激光沉积系统中，从进气管通入氮气，环形通气管使氮气集中在靶台上的靶材表面附近，激光烧蚀靶材的同时与氮气相互作用，使氮气活化，形成富含活化氮的等离子体羽辉，从而在衬底上沉积质量良好的GaN薄膜。利用本发明所述脉冲激光沉积系统及方法制备的GaN薄膜缺陷少，氮含量高，稳定性好，质量优良。

    一种圆锯片表面的复合纳米涂层
    4.
    发明公开
    一种圆锯片表面的复合纳米涂层 有权

    公开(公告)号：CN107354438A

    公开(公告)日：2017-11-17

    申请号：CN201710510147.9

    申请日：2017-06-28

    申请人： 缙云县先锋工具有限公司

    发明人： 卢敏 ,  卢胜

    IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/16 ,  C23C14/06 ,  C23C14/02

    CPC分类号： C23C14/3464 ,  C23C14/025 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/165

    摘要： 本发明属于刀具技术领域，具体公开了一种圆锯片表面的复合纳米涂层以及制备方法，由里向外依次包括底层、缓冲层、加强层、耐温层，其中底层为金属Ti层，缓冲层为TiN层，加强层为多个TiAlN层与TiCrN层交替设置形成的复合层，耐温层为TiAlCrN层，缓冲层包括与金属Ti层贴合的第一TiN层、设于第一TiN层外的第二TiN层，耐温层中Ti、Al、Cr三者的原子比例为Ti:Al:Cr=60:37:3。本发明的复合纳米硬度更高，摩擦系数低，耐磨性能好，耐高温性能好，能满足圆锯片较大的切削速度，复合纳米涂层内部的应力小、强度高、与圆锯片基体之间的粘结强度高。

    一种提高圆锯片切削速度的多层复合涂层
    5.
    发明公开
    一种提高圆锯片切削速度的多层复合涂层 有权

    公开(公告)号：CN107354437A

    公开(公告)日：2017-11-17

    申请号：CN201710510107.4

    申请日：2017-06-28

    申请人： 缙云县先锋工具有限公司

    发明人： 卢敏 ,  卢胜

    IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/16 ,  C23C14/06 ,  C23C14/02

    CPC分类号： C23C14/3464 ,  C23C14/025 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/165

    摘要： 本发明属于刀具技术领域，具体公开了一种提高圆锯片切削速度的多层复合涂层以及制备方法，由里向外依次包括底层、缓冲层、加强层、耐磨层，其中底层为Ti金属层，缓冲层为TiN层，加强层为多个TiAlN单层与TiCoN单层交替设置形成的复合层，耐磨层为TiAlCoN层，缓冲层由里向外依次包括第一TiN层、第二TiN层，其中第一TiN层贴靠Ti金属层，第二TiN层贴靠加强层，耐磨层中Ti、Al、Co三者的原子比例为Ti:Al:Co=60:30:10。本发明的多层复合涂层的硬度高，摩擦系数低，耐磨性能好，耐高温性能好，能满足圆锯片较大的切削速度，多层复合涂层内部的应力小、强度高、与圆锯片基体之间的粘结强度高。

    一种基于掺铕氮化铝的光致发光薄膜的制备方法
    9.
    发明公开
    一种基于掺铕氮化铝的光致发光薄膜的制备方法 无效

    公开(公告)号：CN106191795A

    公开(公告)日：2016-12-07

    申请号：CN201610527673.1

    申请日：2016-07-01

    申请人： 嘉兴学院

    发明人： 张勇 ,  刘文

    IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  C23C14/06 ,  C09K11/77

    CPC分类号： Y02B20/181 ,  C23C14/35 ,  C09K11/7728 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/5806

    摘要： 本发明公开了一种基于掺铕氮化铝的光致发光薄膜的制备方法，所述的基于掺铕氮化铝的光致发光薄膜主要是通过射频磁控溅射的方法制备；所述射频磁控溅射的工作气压为0.3Pa～0.5Pa；所述射频磁控溅射的退火温度为25℃～900℃；所述射频磁控溅射的溅射功率为120W～160W；所述的溅射靶材由纯度为99.999％的Al和纯度为99.95％的Eu金属熔合制成；所述的溅射气体为99.999％的高纯度Ar，所述的反应气体为99.999％的高纯度N2；本底真空为3×10-5Pa，气体分压比为N2:Ar＝1:3；选用2in.×2in.的n型件，可以在单一的Eu掺杂的AlN薄膜中同时辐射出红光、绿光和紫光这三色光，进而实现白发发射，使实现彩色发光器件成为可能。(100)Si作为衬底材料。本发明通过控制制备条

    一种铝芯导线表面镀硅工艺
    10.
    发明公开
    一种铝芯导线表面镀硅工艺 无效

    公开(公告)号：CN106119774A

    公开(公告)日：2016-11-16

    申请号：CN201610555578.2

    申请日：2016-07-14

    申请人： 安徽樵森电气科技股份有限公司

    发明人： 王波 ,  王运安

    IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C23C14/02 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  C23C28/04 ,  C23G1/12

    CPC分类号： C23C14/0617 ,  C23C14/021 ,  C23C14/34 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  C23C28/04 ,  C23G1/125

    摘要： 一种铝芯导线表面镀硅工艺，包括表面预处理，清洗、烘干，溅射氮化铝层缓冲层，在缓冲层上蒸镀硅薄层，在纯氮气氛的退火炉中进行退火步骤。通过在铝芯导线表面先溅射一层缓冲层再蒸镀一层硅薄层，使得铝芯导线与硅薄层具有很好的兼容性，克服了金属铝与硅的晶格失配等缺陷，硅薄层使得铝芯导线外表面不易氧化，在与铜线导线连接时不会产生电化腐蚀、发热量小，同时突破了传统输电导线的结构设计，在铝芯导线外表面覆盖一层半导体层再用绝缘层包裹，输电时产生的电能损失更少，即使绝缘外层有破损也不会发生漏电或者引发触电事故，本发明的工艺方法具有工艺路线简单，成本低廉，适宜于大批量生产等优点。