压电体薄膜层叠基板
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104078560B

    公开(公告)日:2017-12-01

    申请号:CN201410048610.9

    申请日:2014-02-11

    Abstract: 本发明提供一种压电体薄膜层叠基板,其使用非铅系压电体,可获得具有高的压电特性并且每个元件的压电特性的偏差小的压电体薄膜元件。本发明的压电体薄膜层叠基板的特征在于,是在基板上至少依次层叠有密合层、下部电极层和非铅系压电体薄膜层的压电体薄膜层叠基板,前述非铅系压电体薄膜层由铌酸锂钾钠(组成式(NaxKyLiz)NbO3,0<x<1、0<y<1、0≤z≤1、x+y+z=1)形成,前述基板的与前述密合层对置的面的表面粗糙度按最大高度Rz计为2nm以下,前述密合层由第4族元素的非晶质氧化物或者第5族元素的非晶质氧化物形成,其厚度为1nm以上2nm以下且为前述基板表面的最大高度Rz以上。

    应变层的生长方法以及带有应变层的衬底

    公开(公告)号:CN103745915A

    公开(公告)日:2014-04-23

    申请号:CN201310721032.6

    申请日:2013-12-24

    CPC classification number: H01L41/39 H01L41/081

    Abstract: 本发明提供了一种应变层的生长方法以及带有应变层的衬底。所述方法包括如下步骤:提供衬底,所述衬底包括支撑层,支撑层表面的埋层以及埋层表面的顶层半导体层;在顶层半导体层中形成贯通的腐蚀窗口;在顶层半导体层的腐蚀窗口处形成桥接条,所述桥接条包括上电极层、下电极层以及压电材料层;通过腐蚀窗口腐蚀埋层,以使桥接条和部分的顶层半导体层悬空;在所述上电极层和下电极层之间施加电压,使所述压电材料层发生形变,从而使悬空的顶层半导体层发生应变。本发明的优点在于,利用了压电材料的逆压电现象,即外加电场会在压电材料中引入明显的尺寸改变的特性,通过桥接条引入足够的应变力,是一种低成本而高效的方法。

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