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公开(公告)号:CN102859736B
公开(公告)日:2014-12-03
申请号:CN201180019166.2
申请日:2011-06-14
申请人: 松下电器产业株式会社
IPC分类号: H01L41/187 , H01L41/09 , H01L41/113 , B41J2/14 , C01G23/00 , C01G29/00 , C23C14/02 , C23C14/08 , G01C19/5607
CPC分类号: C01G23/006 , B41J2/14274 , C01G29/006 , C01P2002/50 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , C23C14/0021 , C23C14/025 , C23C14/088 , G01C19/5621 , G01C19/5628 , H01L41/0973 , H01L41/1136 , H01L41/1871
摘要: 本发明的目的在于提供含有非铅强介电材料、具有低介电损失和与PZT相同的高压电性能的压电体膜及其制造方法。本发明的压电体膜具备具有(111)取向的(NaxBiy)TiO0.5x+1.5y+2-BaTiO3层(0.30≤x≤0.46且0.51≤y≤0.62)。
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公开(公告)号:CN102113145B
公开(公告)日:2013-06-05
申请号:CN201080001737.5
申请日:2010-01-13
申请人: 松下电器产业株式会社
IPC分类号: H01L41/09 , H01L41/27 , H01L41/39 , B41J2/045 , B41J2/055 , B41J2/16 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/34 , G01C19/5628
CPC分类号: B41J2/14233 , B41J2202/03 , C23C14/024 , C23C14/08 , G01C19/5628 , H01L41/094 , H01L41/316 , H01L41/318 , H01L41/319 , Y10T29/42
摘要: 本发明提供包括不含铅的强介电材料的压电体薄膜,即,表现出与锆钛酸铅(PZT)同等水平的高压电性能的压电体薄膜及其制造方法,本发明的压电体薄膜具备有(001)取向的LaNiO3膜、由有(001)取向,用化学式ABO3(A用(Bi,Na)1-xCx(0≤x<1)表示,B是Ti或者TiZr,C是Na以外的碱金属)表示的化合物构成的界面层、有(001)取向的(Bi,Na,Ba)TiO3膜,顺序叠层所述LaNiO3膜、所述界面层以及所述(Bi,Na,Ba)TiO3膜。
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公开(公告)号:CN102640315A
公开(公告)日:2012-08-15
申请号:CN201180004799.6
申请日:2011-06-14
申请人: 松下电器产业株式会社
IPC分类号: H01L41/187 , B41J2/14 , H01L41/09 , H01L41/113
CPC分类号: H01L41/187 , B41J2/14032 , G01C19/5621 , G01C19/5628 , H01L41/0478 , H01L41/0815 , H01L41/0973 , H01L41/1136 , H01L41/316
摘要: 本发明的压电体膜具备具有(001)取向的NaxLa1-xNiO3-x层和具有(001)取向的(Na,Bi)TiO3-BaTiO3层,x为0.01以上0.1以下,NaxLa1-xNiO3-x(0.01≤x≤0.1)层和(Na,Bi)TiO3-BaTiO3层被叠层。本发明的目的在于提供一种含有无铅强介电材料、具有低介电损失和与PZT同样的高压电性能的压电体膜及其制造方法。
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公开(公告)号:CN102473809A
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN201180002711.7
申请日:2011-04-15
申请人: 松下电器产业株式会社
摘要: 本发明提供发光二极管,其同时达成从窗电极层抽取光的光抽取效率的提高和与p型GaN接触的窗电极层的接触电阻的降低。n型氮化物半导体层、多重量子阱层、p型氮化物半导体层、窗电极层和p侧电极,以此顺序层叠,n侧电极与n型氮化物半导体层电连接,窗电极层具有单晶n型ITO透明电极膜和单晶n型ZnO透明电极膜,p侧氮化物半导体层与单晶n型ITO透明电极膜接触,单晶n型ITO透明电极膜与单晶n型ZnO透明电极膜接触,p侧电极与单晶n型ZnO透明电极膜电连接,单晶n型ITO透明电极膜不仅含有In还含有Ga,单晶n型ITO透明电极膜具有0.08以上0.5以下的Ga/(In+Ga)摩尔比,单晶n型ITO透明电极膜具有1.1nm以上55nm以下的厚度。
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公开(公告)号:CN102414854A
公开(公告)日:2012-04-11
申请号:CN201180001918.2
申请日:2011-01-06
申请人: 松下电器产业株式会社
IPC分类号: H01L41/113 , H01L41/187 , H01L41/22 , H02N2/00
CPC分类号: H02N2/186 , H01L41/1134
摘要: 本发明提供具备相对于外部振动难以损坏的两端固定式振动梁、并且发电量大、制造比较容易的压电发电元件,该元件具备支承体、带状的振动梁、压电体层和电极,振动梁的第一和第二端部固定在支承体上,压电体层和电极配置在振动梁的表面,振动梁在未振动的状态下在1个平面内伸展,具有从固定在支承体上的第一端部伸展的第一部分、从第二端部伸展的第二部分、连接第一部分中的与上述端部相反一侧的端部和第二部分中的与上述端部相反一侧的端部的第三部分,有从与上述平面垂直的方向观察时,第一部分伸展的第一方向和第二部分伸展的第二方向分别为接近上述端部的方向,具有相对于连接两个端部的中心之间的直线超过0°小于90°的角度,第三部分与上述直线交叉1次的形状。
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公开(公告)号:CN102165618A
公开(公告)日:2011-08-24
申请号:CN201080002741.3
申请日:2010-03-03
申请人: 松下电器产业株式会社
IPC分类号: H01L41/09 , B41J2/045 , B41J2/055 , B41J2/16 , G01C19/56 , G01P9/04 , H01L41/08 , H01L41/18 , H01L41/187 , H01L41/22
CPC分类号: B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1631 , B41J2/1642 , B41J2/1645 , B41J2/1646 , B41J2002/14258 , G01C19/5628 , H01L41/0478 , H01L41/0815 , H01L41/1136 , H01L41/187 , H01L41/316 , H01L41/319
摘要: 本发明提供含有无铅铁电材料的、表现出与锆钛酸铅(PZT)相同等级的高压电性能的压电体薄膜及其制造方法。本发明的压电体薄膜具备:具有(001)取向的LaNiO3膜、具有(001)取向的NaNbO3膜和具有(001)取向的(Bi,Na,Ba)TiO3膜,上述LaNiO3膜、上述NaNbO3膜和上述(Bi,Na,Ba)TiO3膜依此顺序层叠。
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公开(公告)号:CN100453318C
公开(公告)日:2009-01-21
申请号:CN200410096283.0
申请日:2004-11-26
申请人: 松下电器产业株式会社
CPC分类号: B41J2/14233 , B41J2/14282 , B41J2202/03 , H01L41/0815 , H01L41/094 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/316
摘要: 本发明提供一种低成本、压电特性高且耐湿性高的压电元件。压电元件(20)包括第1电极膜(2)、由在第1电极膜(2)上形成的第1压电体薄膜(3)和在第1压电体薄膜(3)上形成的第2压电体薄膜(4)构成的压电体层叠膜(10)、在第2压电体薄膜(4)上形成的第2电极膜(5)。第1及第2压电体薄膜(3、4)是结晶成长方向从压电体层叠膜(10)厚度方向一侧朝向另一侧的柱状颗粒集合体。第1压电体薄膜(3)Pb含量少于第2压电体薄膜(4)Pb含量。第2压电体薄膜(4)的柱状颗粒平均剖面直径大于第1压电体薄膜(3)的柱状颗粒平均剖面直径。压电体层叠膜(10)厚度对第2压电体薄膜(4)的柱状颗粒平均剖面直径之比为20以上60以下。
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公开(公告)号:CN1771611A
公开(公告)日:2006-05-10
申请号:CN200580000228.X
申请日:2005-02-21
申请人: 松下电器产业株式会社
IPC分类号: H01L41/09 , B41J2/045 , B41J2/055 , G01C19/56 , G01P9/04 , H01L41/08 , H01L41/18 , H01L41/22
摘要: 本发明公开了一种压电体元件、喷墨头、角速度传感器、它们的制造方法及喷墨式记录装置。压电体元件,包括:两个电极膜、和被这些电极膜夹着的由(111)面优先取向的两层压电体薄膜构成的压电体层叠膜。两层压电体薄膜,为彼此连续相接的柱状粒子的集合体。第2压电体薄膜的柱状粒子的平均截面直径大于第1压电体薄膜的柱状粒子的平均截面直径。压电体层叠膜的厚度与第2压电体薄膜的柱状粒子的平均截面直径的比大于等于20小于等于60。
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公开(公告)号:CN1676330A
公开(公告)日:2005-10-05
申请号:CN200510059993.0
申请日:2005-04-04
申请人: 松下电器产业株式会社
CPC分类号: B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1631 , B41J2/1632 , B41J2/1642 , B41J2/1645 , B41J2/1646 , G01C19/5607 , H01L41/0815 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/316
摘要: 本发明公开了一种压电元件、喷墨头、角速度传感器以及喷墨式记录装置。在压电元件中,在第1电极层(14)上设有立方晶系或者正方晶系的取向控制层(15),该取向控制层(15)上形成有由添加了大于等于1mol%且小于等于50mol%的、以化学通式Pb(AaBb)O3表示的含铅复合钙钛矿型化合物的锆钛酸铅制成,且具有三角晶系或正方晶系晶体结构的压电体层(16)。在形成该压电体层(16)之际,使该压电体层(16)晶粒成为沿着该压电体层的厚度方向延伸且平均截面直径与长度之比大于等于1/50且小于等于1/14的柱状粒子。
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公开(公告)号:CN1621231A
公开(公告)日:2005-06-01
申请号:CN200410096283.0
申请日:2004-11-26
申请人: 松下电器产业株式会社
CPC分类号: B41J2/14233 , B41J2/14282 , B41J2202/03 , H01L41/0815 , H01L41/094 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/316
摘要: 本发明提供一种低成本、压电特性高且耐湿性高的压电元件。压电元件(20)包括第1电极膜(2)、由在第1电极膜(2)上形成的第1压电体薄膜(3)和在第1压电体薄膜(3)上形成的第2压电体薄膜(4)构成的压电体层叠膜(10)、在第2压电体薄膜(4)上形成的第2电极膜(5)。第1及第2压电体薄膜(3、4)是结晶成长方向从压电体层叠膜(10)厚度方向一侧朝向另一侧的柱状颗粒集合体。第1压电体薄膜(3)Pb含量少于第2压电体薄膜(4)Pb含量。第2压电体薄膜(4)的柱状颗粒平均剖面直径大于第1压电体薄膜(3)的柱状颗粒平均剖面直径。压电体层叠膜(10)厚度对第2压电体薄膜(4)的柱状颗粒平均剖面直径之比为20以上60以下。
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