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公开(公告)号：CN1771611A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200580000228.X
申请日：2005-02-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明公开了一种压电体元件、喷墨头、角速度传感器、它们的制造方法及喷墨式记录装置。压电体元件，包括：两个电极膜、和被这些电极膜夹着的由(111)面优先取向的两层压电体薄膜构成的压电体层叠膜。两层压电体薄膜，为彼此连续相接的柱状粒子的集合体。第2压电体薄膜的柱状粒子的平均截面直径大于第1压电体薄膜的柱状粒子的平均截面直径。压电体层叠膜的厚度与第2压电体薄膜的柱状粒子的平均截面直径的比大于等于20小于等于60。
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公开(公告)号：CN1676330A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510059993.0
申请日：2005-04-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1631 , B41J2/1632 , B41J2/1642 , B41J2/1645 , B41J2/1646 , G01C19/5607 , H01L41/0815 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/316
Abstract: 本发明公开了一种压电元件、喷墨头、角速度传感器以及喷墨式记录装置。在压电元件中，在第1电极层(14)上设有立方晶系或者正方晶系的取向控制层(15)，该取向控制层(15)上形成有由添加了大于等于1mol％且小于等于50mol％的、以化学通式Pb(AaBb)O3表示的含铅复合钙钛矿型化合物的锆钛酸铅制成，且具有三角晶系或正方晶系晶体结构的压电体层(16)。在形成该压电体层(16)之际，使该压电体层(16)晶粒成为沿着该压电体层的厚度方向延伸且平均截面直径与长度之比大于等于1/50且小于等于1/14的柱状粒子。
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公开(公告)号：CN100477314C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN03149264.9
申请日：2003-06-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01P15/0922 , B41J2/14233 , B41J2/14282 , B41J2002/1425 , B41J2202/03 , G01C19/5607 , H01L41/0477 , H01L41/0815 , H01L41/094 , H01L41/0973 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 一种压电元件(20)，在硅基板(1)上形成第一电极层，该第一电极层由从钴、镍、铁、锰及铜的组中选择的至少一种金属与贵金属的合金构成，在该第一电极层(2)上形成由菱面体晶系或正方晶系的钙钛矿型氧化物(PZT等)构成的压电体层(3)，使该压电体层(3)优先取向于(001)面。
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公开(公告)号：CN1692504A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200380100562.3
申请日：2003-12-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明涉及热电器件及其制造方法与红外线传感器，在基板上，按照如下顺序，依次形成：由包含从Ti、Co、Ni、Mg、Fe、Ca、Sr、Mn、Ba、Al及它们的氧化物群中选择的至少一种添加物的贵金属构成的第1电极层；厚度为0.5～5μm、化学成分是用分子式(Pb(1－y)Lay)Ti(1－y/4)O3(0＜y≤0.2＝或(Pb(1－y)Lay)(ZrxTi(1－x))(1－y/4)O3(0＜x≤0.2或0.55≤x＜0.8、0＜y≤0.2)表示的钙钛矿型结晶构造的热电体层；以及，第2电极层形成，作成热电器件。
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公开(公告)号：CN1237701A
公开(公告)日：1999-12-08
申请号：CN99107154.9
申请日：1999-06-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种小型高性能的红外线检测元件及其制造方法。该红外线检测元件具有配置于同一基板上的、从由热电型红外线检测部、电阻变化型红外线检部及介电常数变化型红外线检测部组成的一组检测部中选出的至少2种红外线检测部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101355134B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200810135194.0
申请日：2003-06-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01P15/0922 , B41J2/14233 , B41J2/14282 , B41J2002/1425 , B41J2202/03 , G01C19/5607 , H01L41/0477 , H01L41/0815 , H01L41/094 , H01L41/0973 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 本发明涉及压电元件、喷墨头、角速度传感器及其制法和喷墨式记录装置，压电元件具备第一电极层、压电体层和第二电极层，第一电极层由选自钴、镍、铁、锰及铜的至少一种金属与贵金属构成，压电体层由钙钛矿型氧化物构成，在第一电极层与压电体层间设有由优先取向于立方或正方晶系的(100)或(001)面的钙钛矿型氧化物构成的取向控制层，该控制层的第一电极层侧的部分为：(100)或(001)面取向的区域存在于位于第一电极层中取向控制层侧的表面部的所述至少一种金属上，且与层厚方向垂直的截面中的所述(100)或(001)面取向区域的面积从第一电极层侧向着压电体层侧变大，所述至少一种金属，在第一电极层以控制取向控制层的成长方向的方式形成图案。
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公开(公告)号：CN100475535C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200510059993.0
申请日：2005-04-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1631 , B41J2/1632 , B41J2/1642 , B41J2/1645 , B41J2/1646 , G01C19/5607 , H01L41/0815 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/316
Abstract: 本发明公开了一种压电元件、喷墨头、角速度传感器以及喷墨式记录装置。在压电元件中，在第1电极层(14)上设有立方晶系或者正方晶系的取向控制层(15)，该取向控制层(15)上形成有由添加了大于等于1mol%且小于等于50mol%的、以化学通式Pb(AaBb)O3表示的含铅复合钙钛矿型化合物的锆钛酸铅制成，且具有三角晶系或正方晶系晶体结构的压电体层(16)。在形成该压电体层(16)之际，使该压电体层(16)晶粒成为沿着该压电体层的厚度方向延伸且平均截面直径与长度之比大于等于1/50且小于等于1/14的柱状粒子。
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公开(公告)号：CN101009295A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710001642.3
申请日：2007-01-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/148 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/1462 , H01L27/14623 , H01L27/1463 , H01L27/14685 , H01L27/14806
Abstract: 本发明提供一种固体摄像装置，其可以防止由斜光造成的混色，并且可以减少存在于各像素间的受光灵敏度的偏差。在由半导体基板(11)规定的受光区域中形成：等间隔地以矩阵状形成的多个受光元件(15)、与多个受光元件(15)对应地设于半导体基板(11)上并读出各受光元件(15)所产生的电荷的多个读出电极(13)、将多个读出电极(13)覆盖并且在各受光元件(15)上具有开口区域的遮光膜(17)、设于各受光元件(15)上的开口区域中的第一光波导路(8)、设于遮光膜上的第二光波导路(10)。第二光波导路(10)被制成点、条纹或格子状。
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公开(公告)号：CN1105905C
公开(公告)日：2003-04-16
申请号：CN99107154.9
申请日：1999-06-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01J5/10
Abstract: 一种小型高性能的红外线检测元件及其制造方法。该红外线检测元件具有配置于同一基板上的、从由热电型红外线检测部、电阻变化型红外线检部及介电常数变化型红外线检测部组成的一组检测部中选出的至少2种红外线检测部。
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公开(公告)号：CN100570918C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200580000228.X
申请日：2005-02-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明公开了一种压电体元件、喷墨头、角速度传感器、它们的制造方法及喷墨式记录装置。压电体元件，包括：两个电极膜、和被这些电极膜夹着的由(111)面优先取向的两层压电体薄膜构成的压电体层叠膜。两层压电体薄膜，为彼此连续相接的柱状粒子的集合体。第2压电体薄膜的柱状粒子的平均截面直径大于第1压电体薄膜的柱状粒子的平均截面直径。压电体层叠膜的厚度与第2压电体薄膜的柱状粒子的平均截面直径的比大于等于20小于等于60。
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