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公开(公告)号：CN101878530B
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN200980101132.0
申请日：2009-09-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/1675 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 一种非易失性存储元件，其包括在基板(101)上形成的第一电极(103)、电阻变化层(108)和第二电极(107)，电阻变化层具有多层结构，该多层结构包括第一过渡金属氧化物层(104)、氧浓度高于第一过渡金属氧化物层(104)的第二过渡金属氧化物层(106)、过渡金属氧氮化物层(105)的至少3层。第二过渡金属氧化物层(106)与第一电极(103)或第二电极(107)中的任一个相接，过渡金属氧氮化物层(105)存在于第一过渡金属氧化物层(104)和第二过渡金属氧化物层(106)之间。
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公开(公告)号：CN1252854C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN01802453.X
申请日：2001-08-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M8/0228 , H01M4/9083 , H01M8/0204 , H01M8/0206 , H01M8/0213 , H01M8/0247 , H01M8/0254 , H01M8/0256 , H01M8/0263 , H01M8/0267 , H01M8/0269 , H01M8/0273 , H01M8/04029 , H01M8/04552 , H01M8/242 , H01M8/2457 , H01M8/2483 , H01M2300/0082
Abstract: 一种高分子电解质型燃料电池，它具有：氢离子传导性高分子电解质膜、夹住上述氢离子传导性高分子电解质膜的阳极和阴极、具有向上述阳极提供燃料气体的气体流路的阳极侧导电性隔板、以及具有向上述阴极提供氧化剂气体的气体流路的阴极侧导电性隔板。上述阳极侧以及阴极侧导电性隔板，是长方形，分别在其一方的长边侧设置入口侧的氧化剂气体用集流孔、在另一方的长边侧设置出口侧的氧化剂气体用集流孔，燃料气体用集流孔以及冷却水用集流孔的入口侧以及出口侧分别设置在不同的短边侧，燃料气体用集流孔以及冷却水用集流孔相向设置，并且，氧化剂气体用集流孔、燃料气体用集流孔以及冷却水用集流孔，它们的开口形状相互不同。
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公开(公告)号：CN1676330A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510059993.0
申请日：2005-04-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1631 , B41J2/1632 , B41J2/1642 , B41J2/1645 , B41J2/1646 , G01C19/5607 , H01L41/0815 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/316
Abstract: 本发明公开了一种压电元件、喷墨头、角速度传感器以及喷墨式记录装置。在压电元件中，在第1电极层(14)上设有立方晶系或者正方晶系的取向控制层(15)，该取向控制层(15)上形成有由添加了大于等于1mol％且小于等于50mol％的、以化学通式Pb(AaBb)O3表示的含铅复合钙钛矿型化合物的锆钛酸铅制成，且具有三角晶系或正方晶系晶体结构的压电体层(16)。在形成该压电体层(16)之际，使该压电体层(16)晶粒成为沿着该压电体层的厚度方向延伸且平均截面直径与长度之比大于等于1/50且小于等于1/14的柱状粒子。
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公开(公告)号：CN1145801C
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN99106299.X
申请日：1999-04-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01P15/09
CPC classification number: G01P15/0907 , G01P15/0922 , G01P15/18
Abstract: 加速度传感器201包括纵向效应型检测部203和横向效应型检测部204。纵向效应型检测部203包括由薄膜压电体211a和电极211b、211c构成的纵向效应型压电元件211。横向效应型检测部204设有横向效应型压电元件213，使其支撑在在底板105上形成的沟状凹部105a的上方附近。检测电路116根据纵向效应型检测部203和横向效应型检测部204两者的输出检测出规定方向上加速度等。因此，能够检测规定方向上的加速度并实现大动态范围和宽频带。
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公开(公告)号：CN102790073B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201210287006.2
申请日：2009-08-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/147 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 电阻变化型非易失性存储装置包括半导体基板(301)；电阻变化元件(309)，由下部电极(309a)、上部电极(309c)以及电阻变化层(309b)构成，在所述电阻变化层中通过施加到两极之间的极性不同的电压信号，电阻值可逆地变化；以及N型MOS晶体管(317)，构成于半导体基板(301)的主面；电阻变化层(309b)具有与下部电极(309a)相接的组成为MOx的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-1)、与上部电极(309c)相接的组成为MOy的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-2)，其中x
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102656692B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201180004276.1
申请日：2011-12-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/145 , H01L27/2418 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1683
Abstract: 包括：第一电极布线(151)，被形成为带状；第三层间绝缘层(16)；电阻变化层，被形成在覆盖存储单元孔(29)的底部及侧面的区域，且是由缺氧型过渡金属氧化物构成的第一电阻变化层(18a)、和由含氧率与所述第一电阻变化层(18a)不同的缺氧氮型过渡金属氧氮化物构成的第二电阻变化层(18b)的层叠构造体；第一电极(19)，被形成在存储单元孔(29)的内部；以及第一布线(22)，在至少覆盖存储单元孔(29)的开口的区域，在与第一电极布线(151)交叉的方向上被形成为带状，在将所述过渡金属表示为M、将第一电阻变化层(18a)的组成表示为MOz、将第二电阻变化层(18b)的组成表示为MOxNy的情况下，满足z＞x+y的关系。
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公开(公告)号：CN101542632B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200880000558.2
申请日：2008-05-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/003 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/76 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供电阻变化型存储装置，该电阻变化型存储装置(100)具有与各可变电阻层(114)串联连接并且阈值电压为VF的电流抑制元件(116)，在数据的写入或读出时，在与选择非易失性存储元件对应的第一配线(WL)上施加第一电压V1，在与选择非易失性存储元件对应的第二配线(BL)上施加第二电压V2，在与选择非易失性存储元件不对应的第一配线(WL)上施加第三电压V3，在与选择非易失性存储元件不对应的第二配线(BL)上施加第四电压V4，以V5＝(V1+V2)/2作为第五电压V5，满足V2≤V3＜V5和V5＜V4≤V1，并且满足(V1-V4)＜VF或(V3-V2)＜VF。
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公开(公告)号：CN101548336B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN200880000996.9
申请日：2008-06-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/003 , G11C13/0007 , G11C13/0023 , G11C13/0026 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/74 , G11C2213/77 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明公开了一种电阻变化型非易失性存储装置。在沿X方向延伸的位线(BL)和沿Y方向延伸的字线(WL)之间的交点位置上形成有存储单元(MC)。分别为每个位线组构成的且共用字线(WL)的多个基本阵列面排列在Y方向上，该位线组由在Z方向上排列的位线(BL)组成。在各个基本阵列面中，偶数层位线以及奇数层位线各自共同连接起来，选择开关元件(101～104)控制共同连接起来的偶数层位线和全局位线(GBL)之间的连接/非连接间的切换，选择开关元件(111～114)控制共同连接起来的奇数层位线和全局位线(GBL)之间的连接/非连接间的切换。
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公开(公告)号：CN102292814A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201080005463.7
申请日：2010-02-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/146 , H01L27/2418 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1273
Abstract: 本发明的非易失性存储元件包括：第一电极(103)；第二电极(105)；和电阻变化层(104)，其位于第一电极(103)与第二电极(105)之间，电阻值根据施加在两个电极(103、105)之间的电信号可逆地变化，该电阻变化层(104)由含有第一钽氧化物的第一钽氧化物层(107)和含有含氧率与第一钽氧化物不同的第二钽氧化物的第二钽氧化物层(108)层叠构成，并且当将第一钽氧化物表示为TaOx时满足0＜x＜2.5，当将第二钽氧化物表示为TaOy时满足x＜y≤2.5，第二电极(105)与第二钽氧化物层(108)接触，并且第二电极(105)由铂和钽构成。
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公开(公告)号：CN101981695A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200980111679.9
申请日：2009-07-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641
Abstract: 本发明提供一种电阻变化元件及其制造方法，该电阻变化元件的特征在于，包括：第一电极(103)；第二电极(107)；以及，设置成介于第一电极(103)和第二电极(107)之间，并与第一电极(103)和第二电极(107)相接，能够基于施加在第一电极(103)和第二电极(107)之间的极性不同的电信号产生可逆变化的电阻变化层，其中，电阻变化层由氧不足型过渡金属氧化物层构成，第二电极(107)由具有微小突起(108)的铂构成。
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