公开(公告)号：CN107706206A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201711064888.5

申请日：2017-11-02

申请人： 睿力集成电路有限公司

发明人： 不公告发明人

IPC分类号： H01L27/24

CPC分类号： H01L27/2418

摘要： 本发明提供了一种电容器阵列及其形成方法、半导体器件。在电容器阵列中，由于电极组图层中的贯通口与下电极的筒状结构的筒内部和筒外部均连通，并且贯通口的直线边界在高度方向上的投影穿越至少一个下电极的顶部端口，因此即使贯通口在其直线边界的延伸方向上存在有位移偏差，也仍然不会影响下电极的顶部端口对应在贯通口中的面积尺寸，确保能够在下电极的内外表面均可形成有完整的电容介质层和上电极。并且，由于贯通口的开口尺寸较大，从而在通过贯通口执行刻蚀工艺和成膜工艺时，也有利于提高相应的刻蚀速率和成膜速率。

公开(公告)号：CN106796984A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201480077686.2

申请日：2014-04-10

申请人： 慧与发展有限责任合伙企业

发明人： 杨建华 ,  G·吉布森 ,  李智勇

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC分类号： H01L27/2481 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146

摘要： 一种1‑选择器n‑电阻器忆阻设备，其包括第一电极、选择器、多个忆阻器和多个第二电极。该选择器经由该选择器的第一界面耦合到该第一电极。每个忆阻器经由每个忆阻器的第一界面耦合到该选择器的第二界面。每个第二电极经由每个忆阻器的第二界面耦合到一个忆阻器。

公开(公告)号：CN106356450A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201510415026.7

申请日：2015-07-15

申请人： 华邦电子股份有限公司

发明人： 吴伯伦 ,  何家骅 ,  沈鼎瀛 ,  林孟弘

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L25/18 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1675

摘要： 本发明提供一种存储元件及其制造方法。存储元件包括衬底、电容器、保护元件、第一金属内连线以及第二金属内连线。电容器位于第一区的衬底上。保护元件位于第二区的衬底中。电容器包括多个下电极、上电极以及电容介电层。上电极具有第一部分以及第二部分，其中第二部分延伸至第二区。电容介电层位于下电极与上电极之间。第一金属内连线位于电容器与衬底之间。第二金属内连线位于上电极的第二部分与保护元件之间，其通过上电极电性连接至保护元件。本发明可减少等离子体损害的产生，以提升产品的可靠度与良率。

公开(公告)号：CN103715216B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210396732.8

申请日：2012-10-18

申请人： 力晶科技股份有限公司

发明人： 林展庆 ,  黄振浩 ,  黄宗彬 ,  陈俊丞 ,  陈菁华

IPC分类号： H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11C13/00

CPC分类号： H01L45/1608 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/6609 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1691

摘要： 本发明公开一种电阻式存储器单元及其制作方法。电阻式存储器单元，包含有至少一位线，沿着第一方向延伸；至少一字线，设于一基底上，且沿着一第二方向延伸，与该位线交叉；一硬掩模层，位于该字线上，使该字线与该位线电性隔离；一第一记忆胞，设于该字线的一侧壁上；以及一第二记忆胞，设于该字线的另一侧壁上。

公开(公告)号：CN103262240B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201280002050.2

申请日：2012-02-22

申请人： 松下知识产权经营株式会社

发明人： 川岛良男 ,  三河巧 ,  高桥一郎

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC分类号： H01L45/1608 ,  H01L27/2418 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1675

摘要： 本发明的非易失性存储元件的制造方法包括如下工序：形成第一下部电极层（108）、电流控制层（109）和第一上部电极层（110），并在第一上部电极层（110）上形成第二下部电极层（311）、电阻变化层（112）及第二上部电极层（313）的工序；对第二上部电极层（313）、电阻变化层（112）和第二下部电极层（311）进行图案形成的工序；使用蚀刻第二下部电极层（311）的速度至少比第二上部电极层（313）及电阻变化层（112）慢的蚀刻，将第二下部电极层（311）作为掩膜，对第一上部电极层（110）、电流控制层（109）和第一下部电极层（108）进行图案形成来形成电流控制元件（142），并形成具有比电流控制元件（142）小的面积的电阻变化元件的工序。

公开(公告)号：CN104205343A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201280071817.7

申请日：2012-04-26

申请人： 惠普发展公司 ,  有限责任合伙企业

发明人： 民贤·马克斯·张 ,  杨建华 ,  吉尔贝托·梅代罗斯·里贝罗 ,  R·斯坦利·威廉姆斯

IPC分类号： H01L29/86

CPC分类号： H01L29/24 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/73 ,  G11C2213/74 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/247 ,  H01L29/47 ,  H01L29/8605 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8616 ,  H01L29/872 ,  H01L29/92 ,  H01L45/00 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

摘要： 在一个示例中，可定制的非线性电器件包括第一导电层、第二导电层以及薄膜金属-氧化物层，该薄膜金属-氧化物层夹在该第一导电层和该第二导电层之间以形成该金属-氧化物层和该第一导电层之间的第一整流界面以及该金属-氧化物层和该第二导电层之间的第二整流界面。该金属-氧化物层包括共存的金属和金属氧化物的导电混合物。还提供一种形成非线性电器件的方法。

公开(公告)号：CN102239558B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN200980148805.8

申请日：2009-12-04

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 川岛良男 ,  三河巧 ,  魏志强 ,  姬野敦史

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC分类号： H01L27/0688 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1608

摘要： 本发明的非易失性存储元件(10)包括：基板(11)；在基板(11)上按顺序形成的下部电极层(15)和电阻层(16)；在电阻层(16)上形成的电阻变化层(31)；在下部电极层(15)的上方形成的配线层(20)；介于基板(11)与配线层(20)之间，以从配线层(20)到达电阻变化层(31)的方式形成的接触孔(26)且至少覆盖下部电极层(15)和电阻层(16)的层间绝缘层(17)；在接触孔(26)中以与电阻变化层(31)和配线层(20)连接的方式形成的上部电极层(19)，电阻变化层(31)的电阻值通过在下部电极层(15)与上部电极层(19)之间施加电脉冲而可逆地变化。

公开(公告)号：CN102077347B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201080001928.1

申请日：2010-05-28

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 冈田崇志 ,  三河巧 ,  有田浩二

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC分类号： H01L27/101 ,  H01L27/2418 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

摘要： 存储单元阵列的制造方法，在所述存储单元阵列中，多个第一导电体层(2)和多个第二导电体层(14)相互立体交叉地被延设在半导体衬底(1)上，在多个第一导电体层(2)和多个第二导电体层(14)的各个立体交叉部配置有电流控制元件(10)和电阻变化元件(23)电连接且串联连接而构成的存储单元，所述制造方法包括：形成第一层间绝缘膜(3)的工序；在第一层间绝缘膜(3)形成接触孔的工序；在所述接触孔内以及第一层间绝缘膜(3)上推及第一柱塞材料(4)的工序；第一抛光工序，对第一柱塞材料(4)进行抛光直到第一层间绝缘膜(3)露出为止；在第一抛光工序之后，将成为电流控制元件(10)的第一电极(6)的导电体膜(6a)堆积在第一柱塞材料(4)以及第一层间绝缘膜(3)上的工序；以及第二抛光工序，对导电体膜(6a)的表面进行抛光。

公开(公告)号：CN101999170B

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN200980112695.X

申请日：2009-04-01

申请人： 桑迪士克3D公司

发明人： R·E·朔伊尔莱因

IPC分类号： H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/085 ,  H01L45/124 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/149 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1691

摘要： 一种制备存储器器件的方法，包括形成第一导电电极(28)，在该第一导电电极上形成绝缘结构(13)，在该绝缘结构的侧壁上形成电阻率切换元件(14)，在该电阻率切换元件上形成第二导电电极(26)，以及在该第一导电电极和该第二导电电极之间形成与该电阻率切换元件串联的导向元件(22)，其中该电阻率切换元件在从第一导电电极到第二导电电极的第一方向上的高度大于该电阻率切换元件在与第一方向垂直的第二方向上的厚度。

公开(公告)号：CN102473458A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201180002631.1

申请日：2011-06-02

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 东亮太郎 ,  岛川一彦

IPC分类号： G11C13/00 ,  H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC分类号： H01L27/101 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： 提供用以使各层的特性达到稳定的方式而形成于同一方向的存储器单元构成的多层的交叉点型电阻变化非易失性存储装置。存储器单元(51)形成于形成多层的X方向的位线(53)与Y方向的字线(52)的各交点位置。在对沿Z方向对齐的每个位线组、沿Y方向排列了字线共用的多个垂直阵列面的多层交叉点构造中，共同连接的偶数层的位线通过偶数层位线选择开关元件(57)、而共同连接的奇数层的位线通过奇数层位线选择开关元件(58)来切换控制与全局位线(56)的电连接/不连接。在偶数层位线选择开关(57)以及奇数层位线选择开关元件(58)与全局位线(56)之间构成有将P型电流限制元件(91)和N型电流限制元件(90)并联连接得到的双向电流限制电路(920)。