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公开(公告)号：CN1210156C
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN99800949.0
申请日：1999-06-16
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： B41J2/1623 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1628 , B41J2/1631 , B41J2/1632 , B41J2/1646 , B41J2002/14387
摘要： 用于谋求喷嘴的高密度化及工序效率化喷墨的流体喷射装置及其制造方法。玻璃基板(18)上通过喷砂设有贯穿孔(15)，其上直接接合第二硅基板(19)形成排出口(14)。另外，蚀刻第一硅基板(17)以形成压力室(12)、流路(13)及流体供给口(16)并与玻璃基板(18)直接接合后，在压力室(12)正上面与具有弹性体(20)的压电薄膜(11)接合。
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公开(公告)号：CN1468321A
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN01816814.0
申请日：2001-09-26
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： C01G25/006 , C01P2002/34 , H01L41/094 , H01L41/1876 , H01L41/316
摘要： 一种能够得到大的压电位移的压电薄膜。该压电薄膜的化学成分表示为：Pb1+a(ZrxTi1－x)O3+a(注：0.2≤a≤0.6，0.50≤x≤0.62)。该压电薄膜的结晶构造，是由其构成元素的氧离子、钛离子、锆离子的一部分缺少的具有离子缺少的钙钛矿型的柱状结晶领域(24)、和没有离子缺少的化学计量成分的钙钛矿型的柱状结晶领域(25)的混合体所构成。根据该压电薄膜的构成，因为由于具有离子缺陷的钙钛矿型的柱状结晶领域(24)，能够缓和结晶内的残留压缩应力，所以，能够得到大的压电位移(位移量)。
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公开(公告)号：CN1444777A
公开(公告)日：2003-09-24
申请号：CN01813370.3
申请日：2001-07-23
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L41/08
CPC分类号： H01L41/1876 , H01L41/0973 , H01L41/316
摘要： 通过控制形成压电薄膜时施加的压力并提供具有钙化钛结构的压电薄膜，可以产生一个具有改进的和稳定的特性的压电薄膜。一个薄膜压电元件，其中衬底上形成一个下电极、上述下电极上形成含铅的压电薄膜、上电极又被摆放在上述压电薄膜上。该压电薄膜的特征在于它是一个具有钙钛矿结构的电介质，该结构的主要成份是铅、锆、和钛，它的构成范围是总的压电薄膜的Zr/(Zr+Ti)的组成比率不小于0.53，它是一个四边形晶体结构，其中c轴比a轴长。
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公开(公告)号：CN100347872C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN01813370.3
申请日：2001-07-23
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L41/08
CPC分类号： H01L41/1876 , H01L41/0973 , H01L41/316
摘要： 通过控制形成压电薄膜时施加的压力并提供具有钙化钛结构的压电薄膜，可以产生一个具有改进的和稳定的特性的压电薄膜。一个薄膜压电元件，其中衬底上形成一个下电极、上述下电极上形成含铅的压电薄膜、上电极又被摆放在上述压电薄膜上。该压电薄膜的特征在于它是一个具有钙钛矿结构的电介质，该结构的主要成份是铅、锆、和钛，该压电薄膜的构成范围是在总的压电薄膜成分中，其表层部分的Zr/(Zr+Ti)的组成比率不小于衬底界面部分的10%，且表层部分的Zr/(Zr+Ti)的组成比率等于或大于0.53，所述压电薄膜具有四边形晶体结构，其中c轴比a轴长。
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公开(公告)号：CN1145801C
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN99106299.X
申请日：1999-04-13
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： G01P15/09
CPC分类号： G01P15/0907 , G01P15/0922 , G01P15/18
摘要： 加速度传感器201包括纵向效应型检测部203和横向效应型检测部204。纵向效应型检测部203包括由薄膜压电体211a和电极211b、211c构成的纵向效应型压电元件211。横向效应型检测部204设有横向效应型压电元件213，使其支撑在在底板105上形成的沟状凹部105a的上方附近。检测电路116根据纵向效应型检测部203和横向效应型检测部204两者的输出检测出规定方向上加速度等。因此，能够检测规定方向上的加速度并实现大动态范围和宽频带。
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公开(公告)号：CN1272818A
公开(公告)日：2000-11-08
申请号：CN99800949.0
申请日：1999-06-16
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： B41J2/1623 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1628 , B41J2/1631 , B41J2/1632 , B41J2/1646 , B41J2002/14387
摘要： 用于谋求喷嘴的高密度化及工序效率化喷墨的流体喷射装置及其制造方法。玻璃基板(18)上通过喷砂设有贯穿孔(15),其上直接接合第二硅基板(19)形成排出口(14)。另外,蚀刻第一硅基板(17)以形成压力室(12)、流路(13)及流体供给口(16)并与玻璃基板(18)直接接合后,在压力室(12)正上面与具有弹性体(20)的压电薄膜(11)接合。
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公开(公告)号：CN1514808B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN03800336.8
申请日：2003-02-19
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L41/187
CPC分类号： C23C14/088 , B41J2/161 , B41J2/1628 , B41J2/1631 , B41J2/1645 , B41J2/1646 , C01G21/00 , C01G25/006 , C01P2002/34 , C01P2006/40 , C04B35/491 , C04B2235/3213 , C04B2235/3227 , C04B2235/3296 , C04B2235/768 , C04B2235/787 , C04B2235/79 , H01L41/0973 , H01L41/187
摘要： 在包括设置于基板1上的第一电极2、设置于此第一电极2上的压电体3和设置于此压电体3上的第二电极4的压电元件中，使上述压电体3具有用通式ABO3表示的该A点的主要成分是Pb且B点的主要成分是Zr、Ti和Pb的钙钛矿型结晶构造，在上述B点，Pb原子占全部原子的比例在3％以上30％以下。即，使压电体3在Pb过剩的同时，将此过剩的Pb原子在成膜时活化，以Pb4+的形式导入到B点中。
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公开(公告)号：CN1232969A
公开(公告)日：1999-10-27
申请号：CN99106299.X
申请日：1999-04-13
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： G01P15/09
CPC分类号： G01P15/0907 , G01P15/0922 , G01P15/18
摘要： 加速度传感器201包括纵向效应型检测部203和横向效应型检测部204。纵向效应型检测部203包括由薄膜压电体211a和电极211b、211c构成的纵向效应型压电元件211。横向效应型检测部204设有横向效应型压电元件213,使其支撑在底板105上形成的沟状凹部105a的上方附近。检测电路116根据纵向效应型检测部203和横向效应型检测部204两者的输出检测出规定方向上加速度等。因此,能够检测规定方向上的加速度并实现大动态范围和宽频带。
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公开(公告)号：CN1333386C
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN99810988.6
申请日：1999-09-16
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： G11B5/60
CPC分类号： G11B5/4853 , G11B5/484 , G11B5/5552
摘要： 一种信息记录/重现设备，包括：头支撑机构，它包括头和用于携带该头的滑动器；主驱动装置，该头支撑机构还包括：负载梁；多个薄板，包括第一薄板和第二薄板；支撑该滑动器的部件；第一驱动子装置，包括固定在第一薄板上的第一薄膜；第二驱动子装置，包括固定在第二薄板上的第二薄膜，驱动子装置利用薄膜的挠性变形使得头作微小移动。
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