公开(公告)号：CN107389769A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710292464.8

申请日：2017-04-28

申请人： 罗伯特·博世有限公司

发明人： B.维尔德 ,  C.耶格 ,  C.费贝尔 ,  H.泽尔特 ,  J.莫拉茨 ,  M.罗森兰德 ,  P.德特林 ,  S.内斯

IPC分类号： G01N27/407 ,  G01N27/409

CPC分类号： C04B35/583 ,  C04B35/6262 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/78 ,  C04B2235/787 ,  G01N27/4078 ,  G01N27/409

摘要： 本发明涉及制造用于获知测量气体室中测量气体的至少一个特征的传感器的传感器元件的密封件的方法。具体地，本发明涉及制造用于传感器(10)的传感器元件(30)的密封件(42、46)的方法，该传感器用于获知测量气体室中的测量气体的至少一个特征，特别是用于获知该测量气体中的气体组分的含量或该测量气体的温度。所述方法包括下列步骤：- 提供至少包含氮化硼和氧化硼的陶瓷材料，其中氧化硼的含量基于该陶瓷材料计为2.0重量%至6.0重量%或大于6.0重量%且不大于10.0重量%，- 将该陶瓷材料模压成密封件(42、46)，并- 通过温度处理提高该密封件物体(42、46)的强度。

公开(公告)号：CN106673625A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201710000716.5

申请日：2017-01-03

申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所

发明人： 姜本学 ,  杨清华 ,  陈水林 ,  姜益光 ,  张攀德 ,  毛小建 ,  张龙

IPC分类号： C04B35/10 ,  C04B35/64

CPC分类号： C04B35/10 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/9653

摘要： 一种晶粒定向排列透明多晶氧化铝陶瓷的制备方法，通过氧化铝粉体与蓝宝石晶体一起干压、冷等静压成型形成素胚，然后经过高温真空或者氢气气氛烧结，在烧结过致密化的同时，蓝宝石晶体会诱导氧化铝晶粒沿蓝宝石晶体方向定向排列，最终获得晶粒定向排列的多晶氧化铝透明陶瓷。本发明制备的晶粒定向排列的多晶氧化铝陶瓷，具有结构致密和透过率高的特点，无残余气孔，不存在双折射现象。

公开(公告)号：CN106663502A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580046198.X

申请日：2015-11-05

申请人： 株式会社藤仓

发明人： 足立泰

IPC分类号： H01B12/06 ,  C01G1/00 ,  C01G3/00 ,  H01B13/00 ,  H01F6/06

CPC分类号： H01B12/04 ,  C01F17/0043 ,  C01G1/00 ,  C01G3/00 ,  C01G3/006 ,  C04B35/4508 ,  C04B35/62218 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/781 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/3485 ,  H01B12/06 ,  H01B13/00 ,  H01F6/06 ,  Y02E40/642

摘要： 本发明提供氧化物超导体，其具有由REaBabCu3O7‑x表示的组成，RE表示稀土元素的1种或2种以上的组合，并且满足1.05≤a≤1.35和1.80≤b≤2.05，x表示氧缺位量，在超导相中包含具有30nm以下的外径的非超导相。

公开(公告)号：CN106573779A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580043141.4

申请日：2015-11-27

申请人： 积水化学工业株式会社 ,  国立大学法人熊本大学

发明人： 野里省二 ,  中寿贺章 ,  藤原昭彦 ,  伊原博隆 ,  高藤诚 ,  佐藤荣作

IPC分类号： C01B32/194

CPC分类号： C09K5/14 ,  C01B32/225 ,  C04B35/117 ,  C04B35/536 ,  C04B35/6264 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/606 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/9607 ,  C08K3/04 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3733

摘要： 本发明提供一种片材的厚度方向上的导热性优异的导热片材。一种导热片材，其含有膨胀石墨和取向控制粒子，由于所述取向控制粒子的存在，所述膨胀石墨的至少一部分在与片材的面方向不同的方向上进行了取向。

公开(公告)号：CN104334498B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201380026106.2

申请日：2013-04-03

申请人： 佳能株式会社

发明人： 柳渕智彰 ,  飨场利明 ,  伊福俊博 ,  久保田纯 ,  渡边隆之 ,  吉田达雄 ,  林润平

IPC分类号： C01G33/00 ,  C04B35/495 ,  B32B18/00 ,  H01G4/12 ,  H01L41/187 ,  H02N2/10

CPC分类号： H01L41/1873 ,  B32B18/00 ,  B41J2/14274 ,  C01G33/00 ,  C01P2004/38 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/82 ,  C04B35/495 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/52 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/5296 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/787 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/407 ,  G02B27/0006 ,  H01G4/1254 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/083 ,  H02N2/103 ,  H02N2/106 ,  H02N2/12 ,  Y10T428/2982

摘要： 一种铌酸钠粉末，包括形状为长方体、侧边平均长度为0.1μm以上、100μm以下的铌酸钠颗粒，其中，每个铌酸钠颗粒的至少一面是拟立方晶体表示法的(100)晶面，铌酸钠粉末的含水量为0.15质量％以下。提供一种使用铌酸钠粉末制备陶瓷的方法。铌酸钠粉末的制备方法包括：在超过0.1MPa的压力下保持包含铌成分和钠成分的水性碱分散液的步骤，在保持后将固体物质与水性分散液分离的步骤，以及在500℃至700℃热处理固体物质的步骤。

公开(公告)号：CN103732539B

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201280024864.6

申请日：2012-05-17

申请人： 佳能株式会社 ,  国立大学法人山梨大学

发明人： 渡边隆之 ,  斋藤宏 ,  林润平 ,  熊田伸弘

IPC分类号： C01G33/00 ,  C04B35/495

CPC分类号： H01L41/1873 ,  B32B18/00 ,  C01G33/00 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/74 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/20 ,  C01P2004/54 ,  C04B35/26 ,  C04B35/462 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/475 ,  C04B35/495 ,  C04B35/62665 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/5296 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5463 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/81 ,  C04B2237/345 ,  Y10T428/2982

摘要： 本发明提供含有铌酸钠的取向陶瓷及其原料的制造方法。具体地，提供铌酸钠粉末，包括具有0.1μm‑100μm的平均边长的立方形铌酸钠颗粒，该立方体的至少一面包括假立方表示法中的(100)面，其中该铌酸钠粉末具有钙钛矿单相结构。

公开(公告)号：CN106104826A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201580015871.3

申请日：2015-03-27

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 土井利浩 ,  樱井英章 ,  曽山信幸

IPC分类号： H01L41/318 ,  C04B35/491 ,  H01B3/12 ,  H01L41/187

CPC分类号： H01L41/1876 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/62218 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/63444 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3268 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/74 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  H01L41/318

摘要： 本发明涉及一种用于形成PZT系压电膜的组合物，该PZT系压电膜由掺杂Mn的复合金属氧化物所构成，所述组合物含有PZT系前体、二醇及聚乙烯吡咯烷酮，该PZT系前体包含构成所述复合金属氧化物的各金属原子，且所述组合物以如下比例含有所述PZT系前体：将所述组合物中的金属原子比表示为Pb:Mn:Zr:Ti时，Pb满足1.00～1.20、Mn满足0.002以上且小于0.05、Zr满足0.40～0.55、Ti满足0.45～0.60，且所述Zr与所述Ti的金属原子比的合计比例成为1。

公开(公告)号：CN101883834B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN200880118932.9

申请日：2008-11-25

申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司

发明人： A·蒂克斯 ,  P·J·施密特 ,  H-H·贝希特尔

IPC分类号： C09K11/79

CPC分类号： C09K11/7734 ,  C04B35/597 ,  C04B35/6265 ,  C04B35/6268 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/5296 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/9653 ,  C09K11/0883

摘要： 本发明涉及一种通过单轴热压步骤来制作的具有减少的散射的用于LED的陶瓷发光材料。

公开(公告)号：CN102428586B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201080018175.5

申请日：2010-04-20

申请人： 佳能株式会社 ,  国立大学法人山梨大学

发明人： 松田坚义 ,  渡边隆之 ,  斋藤宏 ,  熊田伸弘

IPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/626 ,  H01L41/43 ,  H01L41/187

CPC分类号： H01L41/1871 ,  C04B35/495 ,  C04B35/6262 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/787 ,  H01L41/27 ,  H01L41/43

摘要： 本发明提供取向的压电材料，其具有令人满意的烧结性，不含作为危险物质的Pb和水溶性碱离子，及其制备方法。为此，提供化合物，包括钨青铜结构金属氧化物，其中：该钨青铜结构金属氧化物至少含有金属元素Ba、Bi、Ca和Nb，该金属元素以摩尔比计满足下述条件；并且具有C-轴取向。该化合物显示Ba/Nb＝a：0.363＜a＜0.399，Bi/Nb＝b：0.0110＜b＜0.0650，和Ca/Nb＝c：0.005＜c＜0.105。该钨青铜结构金属氧化物优选包括(1-x)·Ca1.4Ba3.6Nb10O30-x·Ba4Bi0.67Nb10O30(0.30≤x≤0.95)。

公开(公告)号：CN102884646B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201180021963.4

申请日：2011-02-28

申请人： 佳能株式会社 ,  国立大学法人东京工业大学 ,  学校法人上智学院

发明人： 久保田纯 ,  三浦薰 ,  薮田久人 ,  渡边隆之 ,  林润平 ,  舟洼浩 ,  山田智明 ,  安井伸太郎 ,  矢泽庆祐 ,  内田宽 ,  长田润一

IPC分类号： H01L41/18 ,  C04B35/01

CPC分类号： H01L41/18 ,  C04B35/01 ,  C04B35/016 ,  C04B35/2625 ,  C04B35/44 ,  C04B35/453 ,  C04B35/475 ,  C04B35/6325 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/787 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/316 ,  H01L41/318 ,  H02N2/106 ,  H02N2/163

摘要： 本发明提供具有良好的压电性的Bi-基压电材料。该压电材料包括由下述通式表示的钙钛矿型金属氧化物：Ax(ZnjTi(1-j))l(MgkTi(1-k))mMnO3其中：A表示Bi，任选含有从由三价金属元素组成的组中选择的一种或多种元素；M表示从由Fe、Al、Sc、Mn、Y、Ga和Yb组成的组中选择的至少一种元素；并且满足0.9≤x≤1.25、0.4≤j≤0.6、0.4≤k≤0.6、0.09≤l≤0.49、0.19≤m≤0.64、0.13≤n≤0.48和l+m+n＝1。