公开(公告)号：CN107708650A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201680036638.8

申请日：2016-07-12

Applicant: 三仪股份有限公司

Inventor： 石崎勉 ,  荒川正嘉 ,  太田一史

IPC: A61K6/033 ,  A61C5/77

CPC classification number: A61K6/033 ,  A61K6/0008 ,  A61K6/0017 ,  A61K6/0094 ,  B05B1/3006 ,  B05D1/12 ,  B05D2401/32 ,  C01B25/327 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62665 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/6268

Abstract: 本发明的目的在于提供使用了作为牙齿主成分的羟基磷灰石、及与色调调节剂配合的羟基磷灰石的膜形成用粉体，所述膜形成用粉体适合于在通过向牙齿表面喷射粉体而在牙齿表面上形成膜的装置中使用从而在短时间内形成高硬度且相对于酸的溶解度极低的膜、并且适合于在短时间内形成与牙齿的色调相符的粉体的膜；为了实现上述目的，制造下述粉体：在非活性气体气氛中于600～1350℃烧成而得的羟基磷灰石粉体；及通过向于600～1350℃烧成而得的羟基磷灰石粉体施加等离子体辐照、或等离子体辐照和机械能而得到的粉体；以及在这些羟基磷灰石粉体中配合色调调节剂而得到的膜形成用粉体。

公开(公告)号：CN107389769A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710292464.8

申请日：2017-04-28

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： B.维尔德 ,  C.耶格 ,  C.费贝尔 ,  H.泽尔特 ,  J.莫拉茨 ,  M.罗森兰德 ,  P.德特林 ,  S.内斯

IPC: G01N27/407 ,  G01N27/409

CPC classification number: C04B35/583 ,  C04B35/6262 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/78 ,  C04B2235/787 ,  G01N27/4078 ,  G01N27/409

Abstract: 本发明涉及制造用于获知测量气体室中测量气体的至少一个特征的传感器的传感器元件的密封件的方法。具体地，本发明涉及制造用于传感器(10)的传感器元件(30)的密封件(42、46)的方法，该传感器用于获知测量气体室中的测量气体的至少一个特征，特别是用于获知该测量气体中的气体组分的含量或该测量气体的温度。所述方法包括下列步骤：- 提供至少包含氮化硼和氧化硼的陶瓷材料，其中氧化硼的含量基于该陶瓷材料计为2.0重量%至6.0重量%或大于6.0重量%且不大于10.0重量%，- 将该陶瓷材料模压成密封件(42、46)，并- 通过温度处理提高该密封件物体(42、46)的强度。

公开(公告)号：CN104024180B

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201280066137.6

申请日：2012-10-24

Applicant: 爱普科斯公司

Inventor： 亚历山大·格拉祖诺夫 ,  阿达尔贝特·费尔茨

IPC: C04B35/491 ,  H01L41/187 ,  C04B35/634 ,  C04B35/638 ,  C04B35/626 ,  B32B18/00

CPC classification number: H01L41/43 ,  C04B35/491 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/63456 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/768 ,  H01L41/083 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/273

Abstract: 本发明涉及一种陶瓷材料，其包括锆钛酸铅，所述锆钛酸铅附加地包含K并且必要时包含Cu。陶瓷材料能够在电瓷器件中、例如压电执行器中使用。也公开了一种用于制造陶瓷材料或者电子器件的方法。

公开(公告)号：CN105601262A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201510977011.X

申请日：2015-12-23

Applicant: 苏州冠达磁业有限公司

Inventor： 柯孝杨

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/626

CPC classification number: C04B35/265 ,  C04B35/626 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6262

Abstract: 本发明公开了一种多层电感器用铁氧体磁性材料的制备方法，包括如下步骤：（1）预烧；（2）一次研磨；（3）混料；（4）二次研磨；（5）干燥烧结；（6）三次研磨。本发明一种多层电感器用铁氧体磁性材料的制备方法，操作简便，容易实现，其通过科学的配方设计和合理的烧结工艺，使低温（900℃以下）烧结成型的铁氧体材料具备优异的磁导性能、较低的电阻率和介电损耗性能，综合电磁性能优异，在层式电感器领域具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN105503193A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201510907736.1

申请日：2015-12-10

Applicant: 中国地质大学(北京)

Inventor： 房明浩 ,  闵鑫 ,  黄朝晖 ,  刘艳改 ,  吴小文 ,  张丽娜 ,  张俊东

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64

CPC classification number: C04B35/565 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3869 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581

Abstract: 本发明涉及一种利用蓝晶石选矿尾矿转型转相制备Sialon/Si3N4-SiC复相耐高温材料的方法，属于耐火材料制备技术领域。其特征是采用以蓝晶石选矿尾矿、碳质材料和高纯氮气为主要原料，经配料、球磨混料、高温碳热氮化还原反应以及除碳等工艺制备得到一种纯度较高的片状或棒状Sialon-SiC复相粉体；采用碳热还原氮化制得的Sialon-SiC复相粉体、氮化硅粉体和碳化硅粉体为主要原料，经配料、球磨混料后在非氧化气氛下烧结得到Sialon/Si3N4-SiC复相耐高温材料。采用蓝晶石选矿尾矿转型转相制备得到的Sialon/Si3N4-SiC复相材料具有良好的抗折强度与抗压强度，该工艺具有较高的转化率，可用于耐高温材料、陶瓷部件以及钢铁行业等。本发明所涉及的原材料成本及能耗低，蓝晶石选矿尾矿利用率高，不仅为蓝晶石选矿尾矿的利用开辟了新的途径，而且也减轻了对环境的污染，具有深远的环保意义和经济价值。

公开(公告)号：CN102918004B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201180027030.6

申请日：2011-06-01

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 笘井重和 ,  江端一晃 ,  松崎滋夫 ,  矢野公规

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L49/02 ,  C04B35/01 ,  C04B35/6262 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/665 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/70 ,  C04B2235/728 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结体，其特征在于，含有铟(In)、镓(Ga)和正三价和/或正四价的金属X的氧化物，相对于In和Ga的总量，金属X的配合量为100～10000ppm(重量)。

公开(公告)号：CN105063555A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510393929.X

申请日：2008-06-13

Applicant: JX日矿日石金属株式会社

Inventor： 生泽正克 ,  矢作政隆 ,  长田幸三 ,  挂野崇

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  C04B35/01

CPC classification number: C23C14/086 ,  C04B35/457 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/63416 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/5806

Abstract: 本发明涉及膜，其特征在于，实质上包含铟、锡、镁和氧，锡以Sn/(In+Sn+Mg)的原子数比为5～15％的比例含有，镁以Mg/(In+Sn+Mg)的原子数比为0.1～2.0％的比例含有，剩余部分包含铟和氧，并且通过在260℃以下的温度下进行退火，膜结晶化，膜的电阻率为0.4mΩ以下。本发明的目的在于提供ITO基膜、该膜的制造方法以及用于制造该膜的烧结体，所述ITO基膜具有如下特性：通过将用于平板显示器用显示电极等的ITO基薄膜在衬底无加热的状态下、在成膜时不添加水而进行溅射成膜，得到非晶质的ITO基膜，并且该ITO基膜通过在260℃以下的不太高的温度下进行退火而结晶化，结晶化后的电阻率降低。

公开(公告)号：CN104177091B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201410393724.7

申请日：2014-08-11

Applicant: 河海大学

Inventor： 张建峰 ,  吴玉萍 ,  李改叶 ,  洪晟 ,  郭文敏

IPC: C04B35/5833 ,  C04B35/622

CPC classification number: C01B21/0648 ,  C04B35/583 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62807 ,  C04B35/6316 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/668 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96

Abstract: 本发明公开了一种高致密度六方氮化硼(hBN)陶瓷材料的制备方法，该方法采用正硅酸乙酯为原料在hBN粉体表面包覆均匀分散的SiO2纳米粒子层，然后采用无压烧结法获得高致密度的hBN陶瓷材料，制备的hBN陶瓷材料相对致密度达到80％以上。本发明的制备方法操作简单、工艺条件容易控制，成本低廉，通过在hBN粉体表面包覆SiO2实现SiO2烧结助剂的均匀分散，结合高温无压烧结获得高致密度的hBN陶瓷，在降低SiO2的使用量的同时提高hBN的高温使用温度及高温性能。

公开(公告)号：CN102428586B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201080018175.5

申请日：2010-04-20

Applicant: 佳能株式会社 ,  国立大学法人山梨大学

Inventor： 松田坚义 ,  渡边隆之 ,  斋藤宏 ,  熊田伸弘

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/626 ,  H01L41/43 ,  H01L41/187

CPC classification number: H01L41/1871 ,  C04B35/495 ,  C04B35/6262 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/787 ,  H01L41/27 ,  H01L41/43

Abstract: 本发明提供取向的压电材料，其具有令人满意的烧结性，不含作为危险物质的Pb和水溶性碱离子，及其制备方法。为此，提供化合物，包括钨青铜结构金属氧化物，其中：该钨青铜结构金属氧化物至少含有金属元素Ba、Bi、Ca和Nb，该金属元素以摩尔比计满足下述条件；并且具有C-轴取向。该化合物显示Ba/Nb＝a：0.363＜a＜0.399，Bi/Nb＝b：0.0110＜b＜0.0650，和Ca/Nb＝c：0.005＜c＜0.105。该钨青铜结构金属氧化物优选包括(1-x)·Ca1.4Ba3.6Nb10O30-x·Ba4Bi0.67Nb10O30(0.30≤x≤0.95)。

公开(公告)号：CN102471167B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201080034368.X

申请日：2010-10-22

Applicant: 株式会社日本触媒

Inventor： 秦和男 ,  相川规一

IPC: H01M8/12 ,  H01M8/02

CPC classification number: H01M8/1253 ,  C01G25/02 ,  C01P2002/54 ,  C01P2002/76 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C04B35/486 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/632 ,  C04B35/63416 ,  C04B35/63424 ,  C04B35/6365 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3246 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5481 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9615 ,  C04B2235/963 ,  C04B2235/9638 ,  H01M2008/1293 ,  H01M2300/0077 ,  Y02E60/525 ,  Y02P70/56 ,  Y10T428/2982

Abstract: 本发明提供一种用于制备氧化钪稳定氧化锆片的方法，其特征在于，该制备方法包括：将氧化钪稳定氧化锆的烧结体粉碎，得到氧化钪稳定氧化锆烧结粉末的工序，所述氧化钪稳定氧化锆烧结粉末用透射电子显微镜测定的平均粒径(De)为大于0.3μm且小于等于1.5μm，用激光散射法测定的平均粒径(Dr)为大于0.3μm且小于等于3.0μm，并且用激光散射法测定的平均粒径与用透射电子显微镜测定的平均粒径的比(Dr/De)为1.0以上且2.5以下；配制含有氧化钪稳定氧化锆烧结粉末和氧化锆未烧结粉末的浆料的工序，相对于浆料中氧化钪稳定氧化锆烧结粉末和氧化锆未烧结粉末的总量，氧化钪稳定氧化锆烧结粉末的比例为2质量％以上且40质量％以下；将上述浆料成型为片状的工序；以及将得到的成型体烧结的工序。