公开(公告)号：CN108727025A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201710248253.4

申请日：2017-04-17

申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所 ,  康宁股份有限公司

发明人： 温兆银 ,  黄晓 ,  刘才 ,  M·巴丁 ,  修同平 ,  鲁燕霞 ,  宋真 ,  刘鑫媛 ,  陈颖宏

IPC分类号： C04B35/50 ,  C04B35/495 ,  C04B35/488

CPC分类号： H01M10/0562 ,  C04B35/01 ,  C04B35/481 ,  C04B35/486 ,  C04B35/488 ,  C04B35/495 ,  C04B35/62605 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/764 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/784 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/96 ,  C09K11/7701 ,  H01M4/382 ,  H01M10/00 ,  H01M10/052

摘要： 本文公开了锂石榴石复合陶瓷、其制备方法及其用途。复合陶瓷包括：锂石榴石主相和抑制主相晶粒生长的第二相。其制备方法包括：混合原料以形成第一混合物；研磨第一混合物；煅烧所研磨的第一混合物以形成锂石榴石氧化物；混合所述锂石榴石氧化物和抑制主相晶粒生长的第二相添加剂以形成第二混合物；研磨第二混合物；干燥第二混合物，过筛，压制成素坯；烧结成所述复合陶瓷。该复合陶瓷中晶粒尺寸较小且分布均匀，机械强度高，且电导率得到保持。

公开(公告)号：CN108151531A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711384094.7

申请日：2017-12-20

申请人： 福建阿石创新材料股份有限公司

发明人： 张科 ,  陈钦忠 ,  谈耀宏 ,  陈峥铭 ,  卢桂林

IPC分类号： F27B7/06 ,  F27B7/10 ,  F27B7/28 ,  F27B7/34 ,  F27B7/36 ,  F27B7/42 ,  C04B35/457 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

CPC分类号： F27B7/06 ,  C04B35/457 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/66 ,  F27B7/10 ,  F27B7/28 ,  F27B7/34 ,  F27B7/36 ,  F27B7/42 ,  F27M2003/04

摘要： 本发明公开了一种管状ITO靶材的高温离心烧结装置，包括底座、转盘、制靶室、电热元件和供氧装置，转盘设置于底座顶部，制靶室设置于转盘顶部，转盘能够带动制靶室转动，电热元件设置于制靶室内部，电热元件由制靶室的底部延伸到制靶室的顶部，供氧装置用于向制靶室内部充入氧气；本发明在管状ITO靶材的高温离心烧结装置的基础上还公开了一种管状ITO靶材的高温离心烧结方法，包括混分原料的配置，处理和置于制靶室内部进行烧结成型，烧结过程中开启转盘，电热元件和供氧装置，最后在离心力作用下原料在制靶室侧壁上烧结成型；本发明能够成型大尺寸靶材，并且极大的提高了出品率和良品率。

公开(公告)号：CN105745183B

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201580002686.0

申请日：2015-06-18

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 宫永美纪 ,  绵谷研一 ,  曾我部浩一 ,  粟田英章

IPC分类号： C04B35/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

CPC分类号： C04B35/01 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3231 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/79 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3429 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869

摘要： 提供一种包括铟、钨和锌的氧化物烧结体，其中氧化物烧结体包括作为主要成分的红绿柱石型晶相且具有高于6.8g/cm3且等于或低于7.2g/cm3的表观密度，氧化物烧结体中的钨对铟、钨和锌总和的含量比高于0.5原子％且等于或低于1.2原子％，以及氧化物烧结体中的锌对铟、钨和锌总和的含量比高于0.5原子％且等于或低于1.2原子％。也提供一种制造氧化物烧结体的方法，包括氧化物烧结体的溅射靶，以及包括通过使用溅射靶的溅射方法形成氧化物半导体膜(14)的半导体器件(10)。

公开(公告)号：CN107474839A

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201610397160.3

申请日：2016-06-07

申请人： 深圳市光峰光电技术有限公司

发明人： 郑鹏 ,  田梓峰 ,  许颜正

IPC分类号： C09K11/80 ,  C04B35/22 ,  C04B35/44 ,  C04B35/195

CPC分类号： C04B35/195 ,  C04B35/22 ,  C04B35/44 ,  C09K11/7774 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/764

摘要： 本发明保护一种发光陶瓷，包括基质、发光中心和气孔，基质为石榴石结构的立方晶系的透明陶瓷，发光中心为分布于所述基质内的石榴石结构的荧光粉，气孔分布于所述基质内，其尺寸为0.8～2μm，且气孔占发光陶瓷的体积分数为1～10％。相同晶体结构的陶瓷基质和荧光粉具有相近的硬度，提高了发光陶瓷的可加工性，且减少了光在陶瓷内部传播的损耗，此外，该发光陶瓷的气孔弥补了因陶瓷透光性好而散射不足的缺陷，使得光能够充分激发荧光粉发光，提高了发光陶瓷的发光效率。

公开(公告)号：CN105074045B

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201480009608.9

申请日：2014-04-03

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 斋藤淳 ,  森理惠

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  G11B7/2548 ,  G11B7/2578 ,  G11B7/26

CPC分类号： G11B7/257 ,  C04B35/453 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  G11B7/266 ,  G11B2007/25706 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25715

摘要： 本发明的氧化物溅射靶为如下氧化物烧结体，即，相对于金属成分总量，含有Sn：7at％以上及In：0.1～35.0at％，余量由Zn及不可避免的杂质构成，Sn与Zn的含有原子比Sn/(Sn+Zn)为0.5以下，并具有以固溶有In的Zn2SnO4作为主相的组织。

公开(公告)号：CN105683089B

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：CN201480058846.9

申请日：2014-12-22

申请人： 住友金属矿山株式会社

发明人： 菅本宪明 ,  木部龙夫 ,  川上哲史 ,  岩佐刚 ,  加茂哲郎 ,  水沼昌平

IPC分类号： C01G15/00

CPC分类号： C01G15/00 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/51 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/13 ,  C04B35/01 ,  C04B35/62645 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5463

摘要： 本发明得到高密度的烧结体。使用将氢氧化铟粉预烧得到的氧化铟粉，所述氢氧化铟粉通过Wilson式求得的(200)面和(400)面的取向指数分别为2.0以上、(442)面的取向指数为0.5以下、且(400)面的取向指数相对于(200)面的取向指数之比为1.5以上、并且不出现(220)面和(420)面的衍射峰。

公开(公告)号：CN107162569A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710364508.3

申请日：2017-05-22

申请人： 佛山市蓝瑞欧特信息服务有限公司

发明人： 张晓辉

IPC分类号： C04B33/36 ,  C04B33/13

CPC分类号： C04B33/36 ,  C04B33/13 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/483 ,  C04B2235/5216 ,  C04B2235/5248 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/96

摘要： 本发明公开了一种复合陶瓷材料，按照重量份数计，陶瓷材料包括：高岭土80‑100份，碳化硅25‑45份，氮化硼6‑10份，纳米氧化锆1‑8份，玻璃纤维2‑10份，碳纤维1‑3份，纳米二氧化锆5‑9份，氧化镁3‑6份，氧化镓2‑4份，硅烷偶联剂2‑4份，聚乙二醇5‑9份，甲基三乙酰氧基硅烷5‑8份。本发明的复合材料经过高温烧结后，具有耐腐蚀、耐热变、硬度高、抗热震性能和抗冲击性能好的特点，并且该陶瓷材料还具有一定的吸附性能，是一种环保型陶瓷材料。

公开(公告)号：CN104736497B

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201480001634.7

申请日：2014-01-08

申请人： 吉坤日矿日石金属株式会社

发明人： 奈良淳史

IPC分类号： C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C23C14/34 ,  H01B5/14

CPC分类号： C04B35/453 ,  C04B35/45 ,  C04B35/457 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3286 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414

摘要： 一种烧结体，其特征在于，包含铟(In)、以及钛(Ti)或铬(Cr)、以及锌(Zn)或锡(Sn)、以及氧(O)；以In2O3换算含有2～65摩尔％In，分别以TiO2换算或Cr2O3换算含有2～65摩尔％Ti或Cr；将In的原子比设为A(原子％)、将Ti或Cr的原子比设为B(原子％)、将Zn或Sn的原子比设为C(原子％)时，0.5≤A/B≤5，0＜C/(A+B)＜10。该烧结体的体电阻低，能够DC溅射，并且能够形成透明且高折射率的薄膜。

公开(公告)号：CN104684868B

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201380050813.5

申请日：2013-09-25

申请人： 旭硝子株式会社

发明人： 伊藤和弘 ,  渡边晓 ,  渡边俊成 ,  宫川直通

IPC分类号： H01B13/00 ,  C04B35/44 ,  C01F7/00 ,  C01F7/16

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C01F7/002 ,  C01F7/164 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/117 ,  C04B35/44 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6587 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/77 ,  H01B1/08

摘要： 本发明涉及一种导电性钙铝石化合物的制造方法，其中，包括准备含有钙铝石化合物的被处理体的工序；将所述被处理体在一氧化碳气体以及由铝源供给的铝蒸汽的存在下以不接触所述铝源的状态进行配置，在还原性气氛下将所述被处理体保持在1080℃～1450℃的温度范围的工序。

公开(公告)号：CN105264119B

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201480030765.8

申请日：2014-05-23

申请人： 住友金属矿山株式会社

发明人： 菅本宪明 ,  木部龙夫 ,  加茂哲郎 ,  岩佐刚 ,  川上哲史 ,  高田功 ,  水沼昌平

IPC分类号： C25B1/00 ,  C01G15/00 ,  C04B35/00 ,  C23C14/34 ,  C25B11/04

CPC分类号： C01G15/00 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C04B35/01 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/52 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5481 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  C25B1/00

摘要： 制造粒径均匀、且粒度分布幅度窄的氢氧化铟粉末。通过阳极使用金属铟的电解制造氢氧化铟粉末的方法中，将电解液的电解质浓度设为0.1～2.0mol/L、pH设为2.5～5.0、液温设为20～60℃、电极电流密度设为4～20A/dm2，以包含析出的氢氧化铟粉末的电解浆料的浓度达到2～15％的范围内的方式进行电解。