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公开(公告)号：CN106687616A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201580050390.6
申请日：2015-09-16
Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人东京工业大学 , 旭硝子株式会社
Abstract: 一种金属氧化物的薄膜，所述薄膜含有锌(Zn)、锡(Sn)、硅(Si)和氧(O)，以氧化物换算计，相对于所述薄膜的氧化物的合计100摩尔％，SnO2超过15摩尔％且在95摩尔％以下。
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公开(公告)号：CN102047379B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200980119999.9
申请日：2009-05-26
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01J61/35 , C04B35/44 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/604 , C04B2235/661 , C04B2235/664 , H01J65/046
Abstract: 本发明涉及一种荧光灯，具有包含放电气体且由玻璃包围的放电空间、放电电极和荧光体，并且在与所述放电气体接触的内面的至少一部分中具有钙铝石型化合物。根据本发明的荧光灯，提供来自放电气体的紫外线的发光效率良好，并且放电开始电压或放电维持电压等放电特性良好，化学稳定，耐氧化性优良，耐溅射性也优良，能够省电的荧光灯。
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公开(公告)号：CN102918626A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201180026306.9
申请日：2011-05-13
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01J61/06 , H01J61/067
CPC classification number: H01J1/13 , C04B35/44 , C04B35/6262 , C04B35/64 , C04B2235/3208 , C04B2235/3222 , C04B2235/5436 , C04B2235/6022 , C04B2235/652 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6581 , C04B2235/6584 , C04B2235/662 , C04B2235/76 , C04B2235/81 , H01J1/142 , H01J1/16 , H01J61/06 , H01J61/0672 , H01J61/0675
Abstract: 本发明涉及一种电极，其为热阴极荧光灯用电极，其中，具有：发射热电子的主体部、支撑该主体部的导电性支撑体和与导电性支撑体电连接的引线，所述主体部不具有灯丝结构，并且由作为柱状或块状的块体材料的导电性钙铝石化合物构成。
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公开(公告)号：CN102047379A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200980119999.9
申请日：2009-05-26
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01J61/35 , C04B35/44 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/604 , C04B2235/661 , C04B2235/664 , H01J65/046
Abstract: 本发明涉及一种荧光灯，具有由包含放电气体的玻璃包围的放电空间、放电电极和荧光体，并且在与所述放电气体接触的内面的至少一部分中具有钙铝石型化合物。根据本发明的荧光灯，提供来自放电气体的紫外线的发光效率良好，并且放电开始电压或放电维持电压等放电特性良好，化学稳定，耐氧化性优良，耐溅射性也优良，能够省电的荧光灯。
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公开(公告)号：CN100339338C
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200410069982.6
申请日：2004-07-16
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: C04B38/00 , C04B35/584 , B01D39/20
CPC classification number: C04B33/14 , B01D67/0041 , B01D71/02 , B01D2323/18 , B01D2325/02 , B01D2325/22 , B01D2325/30 , C04B35/573 , C04B35/591 , C04B38/0032 , C04B2111/00793 , C04B2235/3206 , C04B2235/3272 , C04B2235/3281 , C04B2235/36 , C04B2235/428 , C04B2235/44 , C04B2235/443 , C04B2235/46 , C04B2235/5436 , C04B2235/5463 , C04B2235/6021 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B35/584 , C04B38/0025 , C04B38/0054 , C04B38/0074 , C04B38/067 , C04B38/08
Abstract: 本发明提供一种以金属硅粒子作为起始原料，最适于高强度除尘和脱尘的氮化硅质过滤器的制造方法。它是通过在氮中对含有60-95质量%的金属硅粒子和5-40质量%的气孔形成材料的成形体进行热处理以制得实质上金属硅被氮化的氮化硅，原料的金属硅粒子是粒径为5-100μm的粒子占全部金属硅粒子中的70质量%以上并且平均粒径为10-75μm的粒子。更加适合的是，在上述成形体中包含含有选自Mg、Ca、Fe及Cu中的1种以上的金属元素的无机酸盐、有机酸盐以及氢氧化物中的1种或1种以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104684868B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201380050813.5
申请日：2013-09-25
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C01F7/002 , C01F7/164 , C01P2006/40 , C04B35/117 , C04B35/44 , C04B35/64 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/402 , C04B2235/445 , C04B2235/46 , C04B2235/652 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/6587 , C04B2235/664 , C04B2235/77 , H01B1/08
Abstract: 本发明涉及一种导电性钙铝石化合物的制造方法，其中，包括准备含有钙铝石化合物的被处理体的工序；将所述被处理体在一氧化碳气体以及由铝源供给的铝蒸汽的存在下以不接触所述铝源的状态进行配置，在还原性气氛下将所述被处理体保持在1080℃～1450℃的温度范围的工序。
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公开(公告)号：CN104411860A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201380032070.9
申请日：2013-06-19
Applicant: 国立大学法人东京工业大学 , 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01B1/08 , C04B35/44 , C04B35/62645 , C04B2235/3208 , C04B2235/664 , C23C14/08 , C23C14/3414 , C23C14/35 , H01L51/5221
Abstract: 一种C12A7电子化合物的薄膜的制造方法，其特征在于，使用电子密度为2.0×1018cm-3～2.3×1021cm-3的结晶质C12A7电子化合物的靶，在低氧分压的气氛下利用气相蒸镀法在基板上进行成膜，由此形成非晶质C12A7电子化合物的薄膜。
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公开(公告)号：CN103547547A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201280023381.4
申请日：2012-05-07
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: C01F7/164 , C01B32/914 , C01P2004/61 , C01P2006/40 , C04B35/44 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/402 , C04B2235/652 , C04B2235/6581 , C04B2235/6587 , C04B2235/77 , H01B1/08
Abstract: 一种制造方法，其为导电性钙铝石化合物的制造方法，其特征在于，包括：(1)准备以13:6～11:8(换算成CaO:Al2O3的摩尔比)的比例含有氧化钙和氧化铝的煅烧粉末的工序；和(2)在一氧化碳气体及由铝源供给的铝蒸气的存在下以不与所述铝源接触的状态配置含有所述工序(1)中准备的煅烧粉末的被处理体并在还原性气氛下将所述被处理体保持在1220℃～1350℃范围的温度的工序。
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公开(公告)号：CN1390624A
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：CN02119316.9
申请日：2002-05-10
Applicant: 旭硝子株式会社
Inventor： 宫川直通
CPC classification number: B28B11/006 , B01D39/2075 , B01D46/2418 , B01D2271/025 , C04B35/591 , C04B35/63416 , F01N3/0222 , Y02T10/20
Abstract: 一种用于密封氮化硅过滤器的方法，该过滤器通常具有圆柱状外形，并具有多个相互平行的通孔，孔延伸到相对端面，该方法包括：将含有金属硅粒子的组合物有选择地充填到每个端面上待密封的通孔开口附近，在氮气气氛中对氮化硅过滤器进行热处理，以使组合物中包含的金属硅粒子氮化，形成用于密封的氮化硅。
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公开(公告)号：CN107954709A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201710963707.6
申请日：2017-10-17
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: C04B35/44 , C04B35/645
CPC classification number: C04B35/44 , C04B35/645 , C04B2235/3208 , C04B2235/444 , C04B2235/445 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/95
Abstract: 本发明涉及导电性钙铝石化合物的制造方法和导电性钙铝石化合物的烧结体。本发明涉及一种能够得到具有较平坦的表面的烧结体的导电性钙铝石化合物的制造方法。一种制造方法，其为导电性钙铝石化合物的制造方法，其中，所述方法具有：(1)准备煅烧粉的工序，所述煅烧粉以换算成CaO：Al2O3的摩尔比为13:6～11:8的比例含有氧化钙和氧化铝；和(2)将包含所述煅烧粉的被处理体在以1kg/cm2～200kg/cm2的范围的压力加压的状态下、并且在包含Ti构件和Ca源中的至少一者的还原性气氛下、在1220℃～1380℃的范围内进行保持的工序。
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