- 专利标题: 氧化物烧结体、氧化物溅射靶和高折射率的导电性氧化物薄膜、以及氧化物烧结体的制造方法
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申请号: CN201480001634.7申请日: 2014-01-08
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公开(公告)号: CN104736497B公开(公告)日: 2017-09-12
- 发明人: 奈良淳史
- 申请人: 吉坤日矿日石金属株式会社
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: 吉坤日矿日石金属株式会社
- 当前专利权人: 吉坤日矿日石金属株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 王海川; 穆德骏
- 优先权: 2013-220805 20131024 JP
- 国际申请: PCT/JP2014/050106 2014.01.08
- 国际公布: WO2015/059938 JA 2015.04.30
- 进入国家日期: 2014-12-24
- 主分类号: C04B35/453
- IPC分类号: C04B35/453 ; C04B35/457 ; C23C14/34 ; H01B5/14
摘要:
一种烧结体,其特征在于,包含铟(In)、以及钛(Ti)或铬(Cr)、以及锌(Zn)或锡(Sn)、以及氧(O);以In2O3换算含有2~65摩尔%In,分别以TiO2换算或Cr2O3换算含有2~65摩尔%Ti或Cr;将In的原子比设为A(原子%)、将Ti或Cr的原子比设为B(原子%)、将Zn或Sn的原子比设为C(原子%)时,0.5≤A/B≤5,0<C/(A+B)<10。该烧结体的体电阻低,能够DC溅射,并且能够形成透明且高折射率的薄膜。
公开/授权文献
- CN104736497A 氧化物烧结体、氧化物溅射靶和高折射率的导电性氧化物薄膜、以及氧化物烧结体的制造方法 公开/授权日:2015-06-24
IPC分类: