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公开(公告)号：CN105899472A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201580003932.4
申请日：2015-04-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/00 , C04B35/495 , C04B35/62218 , C04B2235/326 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/34 , H01B1/08 , H01J37/3429 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/786 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供了一种氧化物烧结体，所述氧化物烧结体包括铟、钨以及锌和锡中的至少一种，且包括复合氧化物晶相作为晶相，所述复合氧化物晶相包括钨以及锌和锡中的至少一种；提供了一种半导体器件(10)，所述半导体器件(10)包括通过使用氧化物烧结体作为靶的溅射方法形成的氧化物半导体膜(14)。
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公开(公告)号：CN106164016B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201580019472.4
申请日：2015-10-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/34 , H01L21/363
Abstract: 本发明提供一种包含铟、钨和锌的氧化物烧结体，其中所述氧化物烧结体包含红绿柱石型晶相作为主要成分并具有大于6.6g/cm3且小于等于7.5g/cm3的表观密度，所述氧化物烧结体中的钨相对于铟、钨和锌的总计的含量比率为大于0.5原子％且小于等于5.0原子％，所述氧化物烧结体中的锌相对于铟、钨和锌的总计的含量比率为1.2原子％以上且19原子％以下，且锌相对于钨的原子比为大于1.0且小于60。本发明还提供一种包含该氧化物烧结体的溅射靶、以及半导体器件(10)。
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公开(公告)号：CN109476549A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780044470.X
申请日：2017-02-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/01 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供包含In2O3晶相、Zn4In2O7晶相和ZnWO4晶相的氧化物烧结体，以及所述氧化物烧结体的制造方法。所述方法包括通过烧结含有In、W和Zn的成型体而形成所述氧化物烧结体的步骤，形成所述氧化物烧结体的步骤包括将所述成型体在选自500℃以上且1000℃以下的温度范围的恒定的第一温度下放置30分钟以上。
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公开(公告)号：CN101541468A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200780044321.X
申请日：2007-11-29
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
Abstract: 本发明公开了一种聚光光学系统，该聚光光学系统具有小尺寸的会聚光斑和大的焦深而不会引起会聚光斑的强度下降和在焦点位置的前后区域强度分布不连续的问题。该聚光光学系统以预定的焦距会聚由激光源生成的激光束并且设计成满足表达式(a)～(d)，由此产生第三阶和第五阶球面像差：(a)|Z8|≥0.1λ或|Z15|≥0.05λ，(b)Z8/Z15≥3或Z8/Z15＜1，(c)|Z8|＜1.4λ，并且(d)|Z15|＜0.5λ，其中，λ是波长，Z8是波前像差的泽尼克条纹多项式系数中与第三阶球面像差对应的第八项系数，Z15是波前像差的泽尼克条纹多项式系数中与第五阶球面像差对应的第十五项系数。
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公开(公告)号：CN110621637B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201880032388.X
申请日：2018-05-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/01 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结材料及其制造方法以及氧化物半导体膜。所述氧化物烧结材料含有In、W和Zn，包含In2O3晶相和In2(ZnO)mO3晶相(m表示自然数)，并且与铟原子配位的平均氧原子数为3以上且小于5.5。所述氧化物半导体膜含有In、W和Zn。所述氧化物半导体膜为非晶的，并且与铟原子配位的平均氧原子数为2以上且小于4.5。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109219890B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201780032780.X
申请日：2017-02-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件和制造所述半导体器件的方法，所述半导体器件包含以与栅极绝缘层接触的方式布置的通道层，所述通道层包含含有铟、钨和锌的氧化物半导体，在所述通道层中所述钨相对于所述铟、所述钨和所述锌的总量的含量大于0.01原子％且小于或等于8.0原子％，所述通道层依次包含第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域包含与所述栅极绝缘层接触的第一表面，所述第三区域包含与所述第一表面相反的第二表面，在所述第三区域中所述钨相对于所述铟、所述钨和所述锌的总量的含量W3(原子％)大于所述第二区域中所述钨相对于所述铟、所述钨和所述锌的总量的含量W2(原子％)。
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公开(公告)号：CN110621637A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201880032388.X
申请日：2018-05-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/01 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结材料及其制造方法以及氧化物半导体膜。所述氧化物烧结材料含有In、W和Zn，包含In2O3晶相和In2(ZnO)mO3晶相(m表示自然数)，并且与铟原子配位的平均氧原子数为3以上且小于5.5。所述氧化物半导体膜含有In、W和Zn。所述氧化物半导体膜为非晶的，并且与铟原子配位的平均氧原子数为2以上且小于4.5。
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公开(公告)号：CN109219890A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201780032780.X
申请日：2017-02-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件和制造所述半导体器件的方法，所述半导体器件包含以与栅极绝缘层接触的方式布置的通道层，所述通道层包含含有铟、钨和锌的氧化物半导体，在所述通道层中所述钨相对于所述铟、所述钨和所述锌的总量的含量大于0.01原子％且小于或等于8.0原子％，所述通道层依次包含第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域包含与所述栅极绝缘层接触的第一表面，所述第三区域包含与所述第一表面相反的第二表面，在所述第三区域中所述钨相对于所述铟、所述钨和所述锌的总量的含量W3(原子％)大于所述第二区域中所述钨相对于所述铟、所述钨和所述锌的总量的含量W2(原子％)。
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公开(公告)号：CN107001146A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201680003741.2
申请日：2016-05-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种包含铟、钨和锌的氧化物烧结材料，所述氧化物烧结材料包含：第一晶相，所述第一晶相为所述氧化物烧结材料的主要成分并包含方铁锰矿型晶相；和第二晶相，所述第二晶相的锌的含量比所述第一晶相的锌的含量高，所述第二晶相包含平均长轴尺寸为3μm以上且50μm以下并且平均长径比为4以上且50以下的粒子。
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公开(公告)号：CN101541468B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200780044321.X
申请日：2007-11-29
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
Abstract: 本发明公开了一种聚光光学系统，该聚光光学系统具有小尺寸的会聚光斑和大的焦深而不会引起会聚光斑的强度下降和在焦点位置的前后区域强度分布不连续的问题。该聚光光学系统以预定的焦距会聚由激光源生成的激光束并且设计成满足表达式(a)～(d)，由此产生第三阶和第五阶球面像差：(a)|Z8|≥0.1λ或|Z15|≥0.05λ，(b)Z8/Z15≥3或Z8/Z15＜1，(c)|Z8|＜1.4λ，并且(d)|Z15|＜0.5λ，其中，λ是波长，Z8是波前像差的泽尼克条纹多项式系数中与第三阶球面像差对应的第八项系数，Z15是波前像差的泽尼克条纹多项式系数中与第五阶球面像差对应的第十五项系数。
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