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公开(公告)号：CN208362201U
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201820912957.7
申请日：2018-06-13
申请人： 山东工业陶瓷研究设计院有限公司
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/622
摘要： 一种低形变、高精度氧化物陶瓷材料生产系统，包括：控制装置，用于控制整个系统；自动喂料装置，用于喂料；喂料存储装置，用于存储自动喂料装置给予的喂料；注射成型装置，接受喂料存储装置的喂料并将其制成原始坯体；在线视觉检测装置，用于检测分拣所述原始坯体；低温整形、脱脂、烘干装置，用于将所述在线视觉检测装置检测出的合格的原始坯体进行低温整形、脱脂以及烘干处理，获取中间坯体；烧制装置，用于对中间坯体进行烧制，获取初步产品；自动检测、分拣装置，用于对所述初步产品进行检测、分拣，获取成品；入库装置，对所述成品进行入库处理。它能够实现自动化生产，并产出低形变、高精度氧化物陶瓷材料。
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公开(公告)号：CN201309290Y
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200820095155.8
申请日：2008-07-01
申请人： 比亚迪股份有限公司
摘要： 一种金属板，由金属基材(1)、涂覆于金属基材表面的装饰镀层(3)和涂于装饰镀层(3)表面的陶瓷涂层(2)构成。其中，陶瓷涂层(2)是无色透明涂层。本实用新型很好地解决了金属材料色彩单一、抗氧化能力差、抗划伤能力和耐玷污性能差等缺点，可广泛应用于手机、照相机、笔记本电脑、移动存储设备等电子产品领域。
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公开(公告)号：CN2512192Y
公开(公告)日：2002-09-18
申请号：CN01276520.1
申请日：2001-12-04
申请人： 吴岩峰
摘要： 本实用新型涉及一种釉质膜表层红外辐射加热器,有旁热式和直热式两种,旁热式的由钢管外涂有釉质膜红外辐射层、钢管内装有两端与接线端子连接的阻丝和绝缘导热材料及紧固件和瓷件构成,直热式的由其两端加工有接线孔的直热式半导体陶瓷板及涂于其上的釉质膜红外辐射层构成,可广泛应用于加热、干燥、固化设备中,具有辐射性能和绝缘性能高、使用寿命长、釉质膜表层结构牢固不易脱落的优点和特点。
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公开(公告)号：CN215359045U
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202121728575.7
申请日：2021-07-28
申请人： 福建省德化鲁闽怡家陶瓷文创有限公司
IPC分类号： B28B13/02 , B28B3/06 , B28B17/02 , B28B17/00 , B02C4/10 , C04B35/16 , C04B35/48 , C04B35/01 , C04B33/04 , C04B35/626
摘要： 本实用新型涉及一种净水陶瓷的加工设备，它主要解决了现有技术中净水陶瓷的生产效率低的问题，包括机架、依流水线设于机架上的球磨装置、下料装置、成型装置、输送装置和烧结装置，球磨装置包括可转动地设于机架上的转轴、固设于转轴上的研磨棒、可转动的套设于转轴上的筒体、驱动转轴转动的第一驱动装置以及驱动筒体转动的第二驱动装置，转轴的转向与筒体的转向相反，转轴的中轴线与水平面的夹角为15°～40°，筒体上靠近低端一侧设有进料口,筒体上靠近高端一侧设有通槽,通槽处设有过滤网,筒体上位于通槽处可转动地设有集料罩,集料罩上设有出料口，筒体内表面铺设有若干块研磨块，各所述研磨块的中部凸设有呈梯形结构的研磨凸条。
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公开(公告)号：CN210457981U
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201920852768.X
申请日：2019-06-06
申请人： 宁波科联电子有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种低温烧结氧化物热敏元件和制造装置，一种制造装置，包括：一反应器，所述反应器中设置有一搅拌器；一马福炉，所述马福炉连通所述反应器以获取所述反应器中的沉淀物；一混合器和一压制器，所述混合器连接所述马福炉，所述压制器设置在所述混合器之后；一烧结炉，所述烧结炉设置在所述压制器之后，以完成热敏元件的制备。实现Mn-Ni-O系热敏电阻的低温烧结。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN118955093A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411038508.0
申请日：2024-07-31
申请人： 郑州大学
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/622 , C23C14/34
摘要： 本发明提供了一种低电阻率铟镓锡氧化物(IGTO)溅射靶材的制备方法，属于光电器件材料技术领域。本发明是将氧化铟粉末、氧化镓粉末和氧化锡粉末按一定的铟镓锡原子比(70:15:15，70:10:20，70:20:10)加入到球磨罐中，并加入去离子水、分散剂和粘结剂，采用高能球磨技术制得高固含量低粘度的IGTO浆料；采用压力注浆成形技术或者造粒‑模压‑冷等静压成型技术制得高密度微观组织均匀的IGTO靶材素坯；采用无压脱脂烧结一体化技术制得高密度低电阻率晶粒细小的IGTO靶材烧结体。实施例得实验结果表明，本发明提供的制备方法制备的铟镓锡氧化物溅射靶材的相对密度为98.2～99.8％。
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公开(公告)号：CN118930228A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411436217.7
申请日：2024-10-15
申请人： 新化县顺达电子陶瓷有限公司
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/628 , C04B35/64
摘要： 本发明涉及陶瓷材料领域，具体地说是一种5G通信基站用高抗弯陶瓷材料及其制备方法。包括以下步骤：抗弯烧结助剂的煅烧制备；制备HA包覆陶瓷烧结粉体；陶瓷颗粒的复合及压柱烧结。本发明以聚丙烯酰胺/左旋多巴胺膜作为诱导HA矿化的有机模板，保证了HA晶体形成有序结构，使晶体获得了良好的机械性能，有效减少了晶粒生长导致陶瓷产生孔隙的问题，提高陶瓷致密度，而且陶瓷生坯在烧结过程难免会产生一些气孔和裂纹，当成品陶瓷受到外加载荷作用时，裂纹会持续扩展，此时HA晶体与裂纹相遇能够消耗外加载荷的能量，从而增强陶瓷的强度，大幅提高了陶瓷材料的抗弯性能。
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公开(公告)号：CN118922580A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202380029262.8
申请日：2023-03-20
申请人： 出光兴产株式会社
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/01 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L27/146 , H01L29/06 , H01L29/66 , H01L29/786
摘要： 一种溅射靶(1)，是具备包含I n元素、Ga元素及O元素的氧化物烧结体的溅射靶，所述烧结体包含以I n2O3表示的晶体结构，所述氧化物烧结体中的所述Ga元素的原子组成比满足下述式(1)：8≤Ga/(I n+Ga)≤20…(1)，所述氧化物烧结体的抗折强度为140MPa以上。
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公开(公告)号：CN118851794A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410894481.9
申请日：2024-07-04
申请人： 北京智双科技发展有限公司
发明人： 杨佰超
IPC分类号： C04B38/06 , C09D133/04 , C09D5/08 , C04B35/01
摘要： 本申请提供一种空心陶瓷氧化物、耐盐雾腐蚀隔热涂料、涂层及其制备方法和建筑，涉及耐盐雾腐蚀隔热涂料领域。该空心陶瓷氧化物的原料包括：吸附剂、金属化合物、水和乙醇，吸附剂包括黄竹粉、甘蔗渣粉和花生壳粉中的一种或多种，金属化合物包括水合氧氯化锆和/或水合硫酸铝。本申请提供的空心陶瓷氧化物为环境友好型材料，不会对环境造成污染，且空心结构的自由流动性优异，可以在材料中分散均匀，对建筑表面的隔热保温性能均一起到有效作用。
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