IZO溅射靶的制造方法

    公开(公告)号:CN101198565A

    公开(公告)日:2008-06-11

    申请号:CN200680021411.2

    申请日:2006-06-27

    Abstract: 本发明的目的在于,提供一种在IZO溅射靶的制造中,在保持IZO溅射靶的特性的同时,通过削减工序使提高生产效率及降低制造成本可能的制造方法。另外,还提供一种通过降低烧结温度使提高生产性及降低制造成本成为可能的制造方法。该IZO溅射靶的制造方法的特征在于,包括:将具有特定性状的氧化铟粉末和氧化锌粉末,或者以这些粉末为主成分的原料粉末混合粉碎后制成微粉末的混合粉碎工序;和将所述微粉末成形后制成成形物的成形工序;和在氧气氛中1250~1450℃温度下,或者在对所述成形物进行加压下,在氧气氛中1100~1250℃温度下,对所述成形物进行烧结而制成烧结体的烧结工序。

    溅射靶、氧化物半导体膜的成膜方法以及背板

    公开(公告)号:CN110892089B

    公开(公告)日:2022-05-24

    申请号:CN201880047311.X

    申请日:2018-08-01

    Inventor: 海上晓

    Abstract: 本发明的溅射靶(1)中,板状的氧化物烧结体(3)具有沿Y方向排列的多个区域,多个区域具有:端部区域(7A、7B),是包括Y方向上的端部的区域;内侧区域(9A、9B),是从端部朝向Y方向计数处于内侧第2个的区域,在将端部区域(7A、7B)的板厚设为t1,端部区域(7A、7B)的Y方向的宽度设为L1,内侧区域(9A、9B)的板厚设为t2的情况下,t1、L1以及t2满足以下的式(1)~(4),t2>t1…(1),t1(mm)>L1(mm)×0.1+4…(2),t1(mm)

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