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公开(公告)号:CN103469167A
公开(公告)日:2013-12-25
申请号:CN201310361614.8
申请日:2006-08-30
Applicant: 出光兴产株式会社
CPC classification number: H01B1/02 , C03C17/3644 , C03C2217/94 , C03C2218/33 , C03C2218/34 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/6261 , C04B2235/32 , C04B2235/3232 , C04B2235/3241 , C04B2235/3272 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/664 , C04B2235/72 , C04B2235/763 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01B13/00 , Y10T428/24777
Abstract: 本发明提供一种溅射靶、透明导电膜、透明电极和电极基板及其制造方法,所述溅射靶的特征在于,含有铟、锡、锌及氧,利用X射线衍射(XRD),基本上只观测到红绿柱石结构化合物的峰。
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公开(公告)号:CN101198565A
公开(公告)日:2008-06-11
申请号:CN200680021411.2
申请日:2006-06-27
Applicant: 出光兴产株式会社
Abstract: 本发明的目的在于,提供一种在IZO溅射靶的制造中,在保持IZO溅射靶的特性的同时,通过削减工序使提高生产效率及降低制造成本可能的制造方法。另外,还提供一种通过降低烧结温度使提高生产性及降低制造成本成为可能的制造方法。该IZO溅射靶的制造方法的特征在于,包括:将具有特定性状的氧化铟粉末和氧化锌粉末,或者以这些粉末为主成分的原料粉末混合粉碎后制成微粉末的混合粉碎工序;和将所述微粉末成形后制成成形物的成形工序;和在氧气氛中1250~1450℃温度下,或者在对所述成形物进行加压下,在氧气氛中1100~1250℃温度下,对所述成形物进行烧结而制成烧结体的烧结工序。
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公开(公告)号:CN1195886C
公开(公告)日:2005-04-06
申请号:CN00814473.7
申请日:2000-11-22
Applicant: 出光兴产株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C03C2217/211 , C03C2217/216 , C03C2217/23 , C03C2218/154 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/6262 , C04B35/64 , C04B35/6455 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/44 , C04B2235/441 , C04B2235/443 , C04B2235/449 , C04B2235/5436 , C04B2235/664 , C04B2235/763 , C04B2235/767 , C04B2235/77 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/96 , C04B2235/963 , C04B2235/9646 , C04B2235/9653 , C23C14/086 , C23C14/3407 , G02F1/13439
Abstract: 本发明涉及一种至少包括氧化铟和氧化锌的溅射靶,其中由In/(In+Zn)表示的原子比是0.75至0.97,包括由In2O3(ZnO)m表示的六方晶层状化合物,其中m是2至20的正整数,并且该六方晶层状化合物的晶粒粒径是5微米或更小。
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公开(公告)号:CN118922581A
公开(公告)日:2024-11-08
申请号:CN202380029265.1
申请日:2023-03-22
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C23C14/34 , C04B35/01 , H01L21/203 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L27/146 , H01L29/06 , H01L29/66 , H01L29/786
Abstract: 一种溅射靶,是具备包含氧化铟作为主成分的氧化物烧结体的溅射靶。所述氧化物烧结体的含氢浓度为5×1016atoms/cm3以上,I n(铟)元素与O(氧)元素的原子浓度比(O元素/I n元素)为1.3以上且小于2.5,通过阿基米德法测量的所述氧化物烧结体的密度为6.0g/cm3以上。
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公开(公告)号:CN101313371A
公开(公告)日:2008-11-26
申请号:CN200680043207.0
申请日:2006-10-31
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H01B5/14 , C01G19/00 , G02F1/1343 , G09F9/30 , H01B13/00
CPC classification number: C01G15/00 , C01G19/006 , C01P2002/72 , C01P2002/82 , C01P2002/84 , C01P2006/40 , G02F1/13439
Abstract: 一种透明导电膜,其含有铟氧化物、锡氧化物和至少一种的镧系金属氧化物,具有与导体的连接部分,且至少所述连接部分具有结晶性。
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公开(公告)号:CN101223296A
公开(公告)日:2008-07-16
申请号:CN200680025850.0
申请日:2006-06-21
Applicant: 出光兴产株式会社
Abstract: 本发明提供一种溅射靶,其特征在于,由以In和Sm为主要成分的氧化物的烧结体构成。还提供一种溅射靶,其特征在于,以相对全部阳离子元素的总量为20原子%以下,在以In和Sm为主要成分的氧化物的烧结体中掺杂具有正四价以上的化合价的元素的至少一种。
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公开(公告)号:CN118871403A
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202380027316.7
申请日:2023-03-07
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C04B35/01 , C23C14/34 , H01L21/203 , H01L21/363 , H01L27/146 , H01L29/66 , H01L29/786
Abstract: 一种烧结体,其为包含In元素、Ga元素及Al元素的氧化物的烧结体,所述In元素及所述Al元素的原子组成比满足下述式(1)及下述式(2):[In]/([In]+[Ga]+[Al])>0.70....(1);[Al]/([In]+[Ga]+[Al])>0.01....(2)。
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公开(公告)号:CN110892089B
公开(公告)日:2022-05-24
申请号:CN201880047311.X
申请日:2018-08-01
Applicant: 出光兴产株式会社
Inventor: 海上晓
IPC: C23C14/34 , C04B35/453 , H01L21/363
Abstract: 本发明的溅射靶(1)中,板状的氧化物烧结体(3)具有沿Y方向排列的多个区域,多个区域具有:端部区域(7A、7B),是包括Y方向上的端部的区域;内侧区域(9A、9B),是从端部朝向Y方向计数处于内侧第2个的区域,在将端部区域(7A、7B)的板厚设为t1,端部区域(7A、7B)的Y方向的宽度设为L1,内侧区域(9A、9B)的板厚设为t2的情况下,t1、L1以及t2满足以下的式(1)~(4),t2>t1…(1),t1(mm)>L1(mm)×0.1+4…(2),t1(mm)
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公开(公告)号:CN102187472B
公开(公告)日:2014-07-02
申请号:CN200980142325.0
申请日:2009-10-19
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/046 , H01L31/0392 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1884 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/03923 , H01L31/046 , H01L31/0463 , Y02E10/541
Abstract: 跨越玻璃基板(110)的一表面的成对的背面电极层(120),以黄铜矿结构的化合物在具有导电性的p型光吸收层(130)上、层叠形成与光吸收层(130)pn接合的透光性的n型缓冲层(140)。与缓冲层(140)层叠的同时,从光吸收层(130)和缓冲层(140)的一侧跨过背面电极层(120)的一方设置具有透光性的透明电极层(160)。透明电极层(160)以氧化铟和氧化锌为主要成分,形成膜应力为±1×109Pa以下的非晶体薄膜。即使以加工简单的机械刻线也不产生龟裂或缺失等不良情况地进行良好地加工、提高制造性和产率。
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公开(公告)号:CN118922580A
公开(公告)日:2024-11-08
申请号:CN202380029262.8
申请日:2023-03-20
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C23C14/34 , C04B35/01 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L27/146 , H01L29/06 , H01L29/66 , H01L29/786
Abstract: 一种溅射靶(1),是具备包含I n元素、Ga元素及O元素的氧化物烧结体的溅射靶,所述烧结体包含以I n2O3表示的晶体结构,所述氧化物烧结体中的所述Ga元素的原子组成比满足下述式(1):8≤Ga/(I n+Ga)≤20…(1),所述氧化物烧结体的抗折强度为140MPa以上。
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