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公开(公告)号：CN101313371A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200680043207.0
申请日：2006-10-31
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H01B5/14 , C01G19/00 , G02F1/1343 , G09F9/30 , H01B13/00
CPC classification number: C01G15/00 , C01G19/006 , C01P2002/72 , C01P2002/82 , C01P2002/84 , C01P2006/40 , G02F1/13439
Abstract: 一种透明导电膜，其含有铟氧化物、锡氧化物和至少一种的镧系金属氧化物，具有与导体的连接部分，且至少所述连接部分具有结晶性。
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公开(公告)号：CN101253578A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200680032126.0
申请日：2006-08-15
Applicant: 出光兴产株式会社
CPC classification number: H01L51/5234 , H01B1/08 , H01L51/5265 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明涉及导电性组成物膜、电子注入电极及有机电致发光元件(以下，称为EL元件)。虽然使用了EL元件的显示装置的开发盛行，但EL元件的电子注入电极(14)要求低阻抗且透明性高。作为满足此种要求的导电性组成物膜考虑ITO等，但存在ITO与发光层(13)的功函数的差大的问题。本发明利用一种导电性组成物膜，实现上述问题的解决。将所述膜形成为由下述的元素A及B、和氧元素构成，其中，所述膜中所占的元素A的元素量(x)及元素B的元素量(y)的合计(x+y)为大于41at％小于80at％的量，且所述膜中所占的氧元素的元素量为[100－(x+y)]at％。A：从In、Sn及Zn中选择的一种元素B：从In、Sn、Zn、V、W、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag及Au中选择的一种以上的、与A不同的元素。
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公开(公告)号：CN103469167A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310361614.8
申请日：2006-08-30
Applicant: 出光兴产株式会社
CPC classification number: H01B1/02 , C03C17/3644 , C03C2217/94 , C03C2218/33 , C03C2218/34 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/6261 , C04B2235/32 , C04B2235/3232 , C04B2235/3241 , C04B2235/3272 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/664 , C04B2235/72 , C04B2235/763 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01B13/00 , Y10T428/24777
Abstract: 本发明提供一种溅射靶、透明导电膜、透明电极和电极基板及其制造方法，所述溅射靶的特征在于，含有铟、锡、锌及氧，利用X射线衍射(XRD)，基本上只观测到红绿柱石结构化合物的峰。
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公开(公告)号：CN101346661A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200680049111.5
申请日：2006-12-11
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: G02F1/1343 , H01B5/14
CPC classification number: G02F1/13439 , G02F2203/01 , Y10T428/1064
Abstract: 本发明涉及一种透明电极膜，其由含有铟、锌、及锡的氧化物构成，膜厚为25nm以下。由含有铟及锌的氧化物构成，膜厚为30nm以下。根据本发明，能够提供一种具有高介电常数和高透过率的透明电极膜及使用该透明电极膜的电子器件。另外，由于本发明的透明电极膜折射率大，因此能够提高其两倍比例的介电常数，作为结果能够提高液晶分子的响应性。因此能够提供一种显示活动画面时响应性高的液晶显示器。
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公开(公告)号：CN102337505A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110267233.4
申请日：2006-08-30
Applicant: 出光兴产株式会社
CPC classification number: H01B1/02 , C03C17/3644 , C03C2217/94 , C03C2218/33 , C03C2218/34 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/6261 , C04B2235/32 , C04B2235/3232 , C04B2235/3241 , C04B2235/3272 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/664 , C04B2235/72 , C04B2235/763 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01B13/00 , Y10T428/24777
Abstract: 本发明提供一种溅射靶、透明导电膜、透明电极和电极基板及其制造方法，所述溅射靶的特征在于，含有铟、锡、锌及氧，利用X射线衍射(XRD)，基本上只观测到红绿柱石结构化合物的峰。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101370955A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200780003047.1
申请日：2007-01-15
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C23C14/06 , B32B9/00 , B32B15/04 , G02F1/1343
CPC classification number: C23C14/086 , C03C17/36 , C03C17/3607 , C03C17/3642 , C03C17/3655 , C03C17/3671 , C03C2217/94 , C03C2217/944 , C03C2217/948 , C03C2218/156 , C23C14/14 , C23C28/322 , C23C28/345 , G02F2001/13629
Abstract: 提供一种层叠结构，是由透明导电薄膜及钼金属薄膜构成，透明导电薄膜及钼金属薄膜的内部应力的差为1600MPa以下。
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公开(公告)号：CN101258263B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200680032256.4
申请日：2006-08-30
Applicant: 出光兴产株式会社
Abstract: 本发明的溅射靶，其特征在于，其是至少含有铟、锡及锌，且包含由Zn2SnO4表示的尖晶石结构化合物及由In2O3表示的红绿柱石结构化合物的氧化物的烧结体。一种溅射靶，其特征在于，含有铟、锡、锌及氧，利用X射线衍射(XRD)，基本上只观测到红绿柱石结构化合物的峰。
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公开(公告)号：CN101375204A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200780003521.0
申请日：2007-01-16
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: G02F1/1343 , H01B5/02 , H01B5/14 , C23C14/08 , H01B13/00
CPC classification number: C23C14/086 , G02F1/13439 , G02F2001/13629 , H01J9/02 , H01L51/5206 , H01L51/5209
Abstract: 层叠ITO薄膜和钼薄膜的薄膜是作为液晶显示器等的电路的一部分而使用的。但是，公知有在ITO薄膜上形成钼薄膜时，在各个成膜的薄膜发生内部应力，而引起薄膜的剥落和断线。为此，要求一种能够防止由于ITO薄膜和钼薄膜间的应力而产生的龟裂、断线，同时，能够简化成膜工序和蚀刻工序的层叠膜的形成技术。本发明者们为了解决这样的课题进行锐意研究的结果是发现透明导电膜的膜厚在35nm以下时，透明导电膜及钼金属薄膜的紧贴性提高。因此，能够同时实现防止裂纹、断线和通过工序简化而使成品率提高，从而完成本发明。
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公开(公告)号：CN101258263A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200680032256.4
申请日：2006-08-30
Applicant: 出光兴产株式会社
Abstract: 本发明的溅射靶，其特征在于，其是至少含有铟、锡及锌，且包含由Zn2SnO4表示的尖晶石结构化合物及由In2O3表示的红绿柱石结构化合物的氧化物的烧结体。一种溅射靶，其特征在于，含有铟、锡、锌及氧，利用X射线衍射(XRD)，基本上只观测到红绿柱石结构化合物的峰。
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