公开(公告)号：CN105074045A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480009608.9

申请日：2014-04-03

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 斋藤淳 ,  森理惠

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  G11B7/254 ,  G11B7/257 ,  G11B7/26

CPC分类号： G11B7/257 ,  C04B35/453 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  G11B7/266 ,  G11B2007/25706 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25715

摘要： 本发明的氧化物溅射靶为如下氧化物烧结体，即，相对于金属成分总量，含有Sn：7at％以上及In：0.1～35.0at％，余量由Zn及不可避免的杂质构成，Sn与Zn的含有原子比Sn/(Sn+Zn)为0.5以下，并具有以固溶有In的Zn2SnO4作为主相的组织。

公开(公告)号：CN104123953A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201410159013.3

申请日：2014-04-18

申请人： 索尼公司

发明人： 猪狩孝洋 ,  渡边诚

IPC分类号： G11B7/2433 ,  G11B7/24038

CPC分类号： G11B7/2578 ,  G11B7/2433 ,  G11B2007/24308 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  G11B2007/25706 ,  G11B2007/25708 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25715 ,  G11B2007/2582

摘要： 一种包括记录层的光学记录介质，该记录层包括反射层、两个介电层、以及相变记录层。两个介电层的相变记录层侧介电层含有氧化钽或者由氧化硅、氧化铟、氧化锆组成的复合氧化物。两个介电层的反射层侧介电层含有由氧化硅、氧化铟、氧化锆组成的复合氧化物、由氧化铟和氧化镓组成的复合氧化物、或者由氧化锌和氧化铝组成的复合氧化物。

公开(公告)号：CN103050136A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210391138.X

申请日：2012-10-08

申请人： 索尼公司

发明人： 田畑浩

IPC分类号： G11B7/2433

CPC分类号： G11B7/243 ,  G11B2007/24304 ,  G11B2007/24306 ,  G11B2007/24308 ,  G11B2007/2432 ,  G11B2007/25706 ,  G11B2007/25708 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25715

摘要： 本发明公开了用于光学信息记录媒体的记录层和光学信息记录媒体。一种光学信息记录媒体包括能够基于光的施加来记录信息信号的记录层，其中所述记录层含有金属X的氧化物和金属Y的氧化物，金属X为从由钨和钼构成的群组选择的至少一种，并且金属Y为从由铜、锰、镍和银构成的群组选择的至少一种。

公开(公告)号：CN102859596A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180018935.7

申请日：2011-04-06

申请人： 索尼公司 ,  株式会社神户制钢所

发明人： 三木刚 ,  宫胁真奈美 ,  田内裕基

IPC分类号： G11B7/2433 ,  B41M5/26 ,  G11B7/24 ,  G11B7/254 ,  G11B7/257

CPC分类号： G11B7/243 ,  G11B7/24038 ,  G11B7/2578 ,  G11B7/266 ,  G11B2007/24304 ,  G11B2007/24306 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/2432 ,  G11B2007/25706 ,  G11B2007/25708 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25715

摘要： 本发明的目的是提供可以应用于具有约每一层25GB的高容量的一次写入光学记录介质、且在提供多层化的记录层构造时具有良好记录特性的光学记录介质。该光线记录介质包括基板21和两个到四个记录层221和222。这些记录层221和222中的至少一者或多者是特定记录层，特定记录层具有包含完全氧化的In、Zn、Al和Sn(也就是说，In2O3、ZnO、Al2O3和SnO2)中的至少一者、PdO、以及PdO2的组分。与特定记录层相邻，设置至少包含In或Al作为主要成分的In/Al氧化物层的电介质层232a和232b。

公开(公告)号：CN101868826B

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN200880116828.6

申请日：2008-11-25

申请人： 索尼公司

发明人： 和田豊

IPC分类号： G11B7/254 ,  G11B7/24 ,  G11B7/243 ,  G11B7/257 ,  G11B7/26

CPC分类号： G11B7/2437 ,  G11B7/2433 ,  G11B7/2578 ,  G11B2007/24304 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/2432 ,  G11B2007/24324 ,  G11B2007/25708 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25713 ,  G11B2007/25715 ,  Y10T428/21

摘要： 本发明公开了一次写入光学记录介质及其制造方法。该一次写入光学记录介质包括：无机记录层和设置在无机记录层的至少一个表面上的保护层。该保护层包含氧化铟和氧化锡作为主要成分。

公开(公告)号：CN102360559A

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN201110304743.4

申请日：2008-11-25

申请人： 索尼公司

发明人： 和田豊

IPC分类号： G11B7/254 ,  G11B7/24 ,  G11B7/243 ,  G11B7/257 ,  G11B7/26

CPC分类号： G11B7/2437 ,  G11B7/2433 ,  G11B7/2578 ,  G11B2007/24304 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/2432 ,  G11B2007/24324 ,  G11B2007/25708 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25713 ,  G11B2007/25715 ,  Y10T428/21

摘要： 本发明公开了一种光学记录介质及其制造方法。该光学记录介质包括：无机记录层和设置在无机记录层的至少一个表面上的保护层。该保护层包含氧化铟和氧化锡作为主要成分。

公开(公告)号：CN101796214B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200880105516.5

申请日：2008-09-05

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 张守斌 ,  三岛昭史

IPC分类号： C23C14/34 ,  C04B35/48 ,  G11B7/26

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B35/12 ,  C04B35/44 ,  C04B35/486 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C23C14/086 ,  G11B7/24 ,  G11B7/2578 ,  G11B7/266 ,  G11B2007/25706 ,  G11B2007/25708 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25715

摘要： 该ZrO2-In2O3系光记录介质保护膜形成用溅射靶，具有当A为Si、Cr、Al、Ce、Ti、Sn中的1种或2种以上时，由ZraInbAcO100-a-b-c(其中，5原子％＜a＜23原子％、12原子％＜b＜35原子％、0＜c＜30原子％)构成的成分组成，所述光记录介质保护膜形成用溅射靶中所含Zr的90％以上成为Zr与In的复合氧化物相，分散在靶基底中。

公开(公告)号：CN101511598B

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN200780031899.1

申请日：2007-10-26

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 土生田晴比古 ,  山田升

IPC分类号： B41M5/26 ,  C23C14/08 ,  G11B7/24 ,  G11B7/243

CPC分类号： G11B7/26 ,  C23C14/3414 ,  G11B7/2433 ,  G11B7/2437 ,  G11B7/259 ,  G11B2007/24306 ,  G11B2007/24308 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  G11B2007/2432 ,  G11B2007/25706 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25715 ,  Y10T428/21

摘要： 本发明提供一种可确保高记录灵敏度和相对长期保存的可靠性的单写多读型信息记录介质。是在基板上具有记录层且通过向记录层照射激光或施加电能而能够进行信息的记录及再生的信息记录介质，记录层含有TeO2和材料A作为主成分，材料A是与TeO2显现共晶反应的材料。

公开(公告)号：CN1898342B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200480038353.5

申请日：2004-12-22

申请人： TDK株式会社

发明人： 伊藤秀毅 ,  米山健司 ,  田中和志

IPC分类号： C09D4/02 ,  C09D153/00 ,  C09D171/00 ,  C09D5/00 ,  C09D7/12 ,  G11B7/24 ,  G11B11/105

CPC分类号： C08F8/20 ,  C08F290/06 ,  C08L53/00 ,  C08L71/00 ,  C09D153/00 ,  C09D171/00 ,  G11B7/2534 ,  G11B7/2542 ,  G11B7/2585 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  G11B2007/25706 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25715 ,  G11B2007/25716 ,  Y10T428/21 ,  C08L2666/02 ,  C08L2666/24 ,  C08L2666/14

摘要： 本发明涉及一种硬膜剂组合物，其中含有含氟嵌段共聚物(A1)、具有活性能量线反应性基团的含氟聚醚化合物(A2)、和活性能量线固化性化合物(B)。本发明还涉及在支持基体(20)上具有至少包括记录层(4)或反射层且由一层或数层构成的膜体的光信息介质，支持基体(20)侧表面及所述膜体侧表面中至少一个表面是利用含有所述硬膜剂组合物的固化物的硬膜层(8)形成的。根据本发明可以提供一种用于在各种物体的表面上形成防污性和润滑性优良、同时耐擦伤性和耐磨性也优良的硬膜层的硬膜剂组合物，还可以提供一种采用了所述硬膜剂组合物的光信息介质。

公开(公告)号：CN1890732B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200480036207.9

申请日：2004-11-30

申请人： 株式会社理光

发明人： 山田胜幸 ,  鸣海慎也 ,  加藤将纪 ,  中村有希

IPC分类号： G11B7/24

CPC分类号： G11B7/259 ,  G11B7/252 ,  G11B7/2534 ,  G11B7/254 ,  G11B7/256 ,  G11B7/2578 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/25706 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25715 ,  G11B2007/25716

摘要： 本发明涉及一种光记录介质，高温高湿的保存可靠性高，且高温动作稳定，机械性能良好、生产性高，可进行高速再生或高速记录。在基板上至少具有下部保护层、光记录层、上部保护层、含有大于或等于98重量％Ag的光反射层，光记录的膜厚为8～14nm，上部保护层的膜厚为4～24nm，上部保护层含有氧化锌、氧化铟、氧化锡、氧化铌、氮化硅、氮化铵、SiOx(1.6≤X≤1.9)中的至少一种，至少不含有大于或等于0.1重量％的硫及氯的任意一种，上部保护层即使在记录或重写之后还是非晶质。