公开(公告)号：CN105931654B

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201610230364.8

申请日：2010-09-16

申请人： 株式会社神户制钢所 ,  索尼株式会社

发明人： 田内裕基 ,  志田阳子 ,  三木刚 ,  曾根康宏

IPC分类号： G11B7/2433 ,  G11B7/2437 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

CPC分类号： G11B7/2437 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  G11B7/24038 ,  G11B7/2433 ,  G11B2007/24304 ,  G11B2007/24306 ,  G11B2007/24308 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/2432 ,  Y10T428/21

摘要： 本发明提供记录特性优异的光信息记录介质用记录层、具备该记录层的光信息记录介质及对上述记录层的形成有用的溅射靶。该光信息记录介质用记录层是通过激光的照射进行记录的记录层，其特征在于，含有氧化物相对于1mol氧的标准生成自由能的绝对值比Pd大的金属(以下，称为X金属)的氧化物和氧化Pd，该氧化Pd含有一氧化Pd和二氧化Pd，且Pd原子相对于记录层中所含的X金属原子和Pd原子的合计的比率为4～85原子％。

公开(公告)号：CN106847311A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201611137819.8

申请日：2016-12-12

申请人： 宁波大学

发明人： 吕业刚 ,  徐培鹏 ,  沈祥 ,  戴世勋

IPC分类号： G11B7/2433 ,  G11B7/243 ,  H01L45/00

CPC分类号： G11B7/2433 ,  G11B7/243 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1213 ,  H01L45/16

摘要： 本发明公开了一种基于相变纳米线的集成型全光存储器件及其制备方法，特点是包括波导、与波导两端相连的布拉格光栅垂直耦合器以及、波导上且与波导平行的相变纳米线，其制备方法步骤包括在硅基底上利用曝光刻蚀工艺制备出波导及其两端的布拉格光栅耦合器，将纳米线转移至波导上，并且与波导平行，采用擦/写光脉冲从波导一端的布拉格光栅耦合器耦合至波导，通过波导上的倏逝场使相变纳米线发生相变，探测光通过波导另一端布拉格光栅耦合器耦合至波导，实时监测器件透过率的变化来读取存储的数据，优点是本器件可以用于高速、高密度、低功耗的全光网络集成存储芯片。

公开(公告)号：CN102918593B

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201280001449.9

申请日：2012-02-24

申请人： 松下知识产权经营株式会社

发明人： 儿岛理惠 ,  槌野晶夫 ,  草田英夫 ,  西原孝史 ,  山田升

IPC分类号： G11B7/2433 ,  G11B7/2578 ,  G11B7/26

CPC分类号： G11B7/2433 ,  G11B7/24027 ,  G11B7/24035 ,  G11B7/24038 ,  G11B7/252 ,  G11B7/266 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316

摘要： 本发明提供一种信息记录介质及其制造方法。该信息记录介质包括3个以上的信息层，且至少一个信息层包括记录层和核生成层，记录层含有由化学式(1)即[(Ge0.5Te0.5)x(In0.4Te0.6)1-x]ySb100-y(mol％)表示且x满足0.8≤x＜1.0、y满足95≤y＜100的材料，并且核生成层含有由化学式(2)即(Ge0.5Te0.5)z(Bi0.4Te0.6)100-z(mol％)表示且z满足10≤z≤71的材料，并且核生成层与记录层相接的信息记录介质，即使形成较小的记录标记，也能够得到足够的信号振幅，并稳定地保存较小的记录标记。

公开(公告)号：CN104395961A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201380026648.X

申请日：2013-05-20

申请人： 日本化药株式会社

发明人： 木户场润 ,  松尾雄一朗 ,  小林大祐 ,  内藤正弘 ,  本桥隼

IPC分类号： G11B7/254 ,  C08F290/06

CPC分类号： G11B7/254 ,  C08F290/062 ,  G11B2007/24306 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/2432 ,  G11B2007/25402 ,  C08F220/10

摘要： 本发明涉及蓝光光盘用紫外线固化型树脂组合物和具有其固化物层的蓝光光盘。在该树脂组合物中含有通过使甲基丙烯酸等具有羧基的(甲基)丙烯酸酯化合物与缩水甘油醚型环氧化合物反应而得到的环氧(甲基)丙烯酸酯(A)、单官能(甲基)丙烯酸酯化合物(B)以及光聚合引发剂(C)，相对于该树脂组合物的总量100重量份，所述(A)的含有比例为30重量份以上，将该含有比例设为A重量份、将所述(B)的含有比例设为B重量份时，A/B为0.8～1.45。该树脂组合物的固化物的玻璃化转变温度和50℃的弹性模量均高，并且加压后的复原性良好；具有其固化物层的蓝光光盘在固化时的翘曲的变化量和耐久试验后的翘曲的变化量均小。

公开(公告)号：CN104123953A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201410159013.3

申请日：2014-04-18

申请人： 索尼公司

发明人： 猪狩孝洋 ,  渡边诚

IPC分类号： G11B7/2433 ,  G11B7/24038

CPC分类号： G11B7/2578 ,  G11B7/2433 ,  G11B2007/24308 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  G11B2007/25706 ,  G11B2007/25708 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25715 ,  G11B2007/2582

摘要： 一种包括记录层的光学记录介质，该记录层包括反射层、两个介电层、以及相变记录层。两个介电层的相变记录层侧介电层含有氧化钽或者由氧化硅、氧化铟、氧化锆组成的复合氧化物。两个介电层的反射层侧介电层含有由氧化硅、氧化铟、氧化锆组成的复合氧化物、由氧化铟和氧化镓组成的复合氧化物、或者由氧化锌和氧化铝组成的复合氧化物。

公开(公告)号：CN102138233B

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN200980134692.6

申请日：2009-08-28

申请人： 康宁股份有限公司

发明人： B·G·艾特肯 ,  C·M·史密斯

IPC分类号： H01L45/00 ,  G11B7/2433

CPC分类号： G11B7/2433 ,  G11B7/253 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/12674 ,  Y10T428/12681 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/31678

摘要： 本文描述了相变记忆材料，更具体描述了适用于相变记忆应用，如光学和电子数据存储的碲化GeAs材料。

公开(公告)号：CN101375333B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200580052370.9

申请日：2005-10-20

申请人： 连宥科技股份有限公司

发明人： 徐文泰 ,  赖信成 ,  卢成基 ,  钟永清 ,  燕克夫 ,  李芳瑜 ,  张郁扬

IPC分类号： G11B7/24 ,  G11B7/243 ,  G11B7/2433 ,  G11B7/2437 ,  G11B7/252

CPC分类号： G11B7/243 ,  G11B7/24 ,  G11B7/24038 ,  G11B7/2433 ,  G11B7/2437 ,  G11B7/252 ,  G11B7/2531 ,  G11B7/2539 ,  G11B2007/24306 ,  G11B2007/24308 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/2432

摘要： 一种可记录介质，包括可记录结构，所述可记录结构具有对于读光束在应用能量时增大的透射率。在一些实例中，可记录结构的透射率在应用能量前后可以大于50％。在一些实例中，可记录结构可以包括第一层和第二层。在一些实例中，第一和第二层在应用能量时结合。

公开(公告)号：CN102859596A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180018935.7

申请日：2011-04-06

申请人： 索尼公司 ,  株式会社神户制钢所

发明人： 三木刚 ,  宫胁真奈美 ,  田内裕基

IPC分类号： G11B7/2433 ,  B41M5/26 ,  G11B7/24 ,  G11B7/254 ,  G11B7/257

CPC分类号： G11B7/243 ,  G11B7/24038 ,  G11B7/2578 ,  G11B7/266 ,  G11B2007/24304 ,  G11B2007/24306 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/2432 ,  G11B2007/25706 ,  G11B2007/25708 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25715

摘要： 本发明的目的是提供可以应用于具有约每一层25GB的高容量的一次写入光学记录介质、且在提供多层化的记录层构造时具有良好记录特性的光学记录介质。该光线记录介质包括基板21和两个到四个记录层221和222。这些记录层221和222中的至少一者或多者是特定记录层，特定记录层具有包含完全氧化的In、Zn、Al和Sn(也就是说，In2O3、ZnO、Al2O3和SnO2)中的至少一者、PdO、以及PdO2的组分。与特定记录层相邻，设置至少包含In或Al作为主要成分的In/Al氧化物层的电介质层232a和232b。

公开(公告)号：CN101635147B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200910145583.6

申请日：2009-06-03

申请人： 索尼株式会社

发明人： 中冲有克 ,  小岛直人 ,  关口浩司 ,  川久保伸 ,  藤家和彦

IPC分类号： G11B7/1387 ,  G11B7/24 ,  G11B7/26 ,  G11B7/007 ,  B82Y10/00

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11B7/00454 ,  G11B7/005 ,  G11B7/007 ,  G11B7/1387 ,  G11B7/24035 ,  G11B7/24047 ,  G11B7/243 ,  G11B7/266 ,  G11B2007/24304 ,  G11B2007/24306 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/2432 ,  G11B2007/24322 ,  G11B2007/24324 ,  G11B2007/24328

摘要： 本发明涉及信号检测装置和信号检测方法。一种信号检测装置包括：半导体衬底；近场光发生部分，其设置在所述半导体衬底上并在与所述半导体衬底的界面附近产生近场光；光源，其输出具有对应于所述半导体衬底的材料的带隙能量的约一半大的光子能量的波长的光；以及电流检测单元，其检测在所述近场光被产生时在所述半导体衬底中产生的光电流。

公开(公告)号：CN101868826B

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN200880116828.6

申请日：2008-11-25

申请人： 索尼公司

发明人： 和田豊

IPC分类号： G11B7/254 ,  G11B7/24 ,  G11B7/243 ,  G11B7/257 ,  G11B7/26

CPC分类号： G11B7/2437 ,  G11B7/2433 ,  G11B7/2578 ,  G11B2007/24304 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/2432 ,  G11B2007/24324 ,  G11B2007/25708 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25713 ,  G11B2007/25715 ,  Y10T428/21

摘要： 本发明公开了一次写入光学记录介质及其制造方法。该一次写入光学记录介质包括：无机记录层和设置在无机记录层的至少一个表面上的保护层。该保护层包含氧化铟和氧化锡作为主要成分。