公开(公告)号：CN113544872A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201980093788.6

申请日：2019-11-08

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 西原孝史 ,  山本辉明

IPC: H01L51/44

Abstract: 本发明提供一种可具有高的耐久性的太阳能电池模块。本发明的太阳能电池模块(100)具备：基板(1)、光电转换层(5)、位于基板(1)与光电转换层(5)之间的第一密封层(4)、位于基板(1)与第一密封层(4)之间的第二密封层(3)及覆盖基板(1)的端部的至少一部分和第二密封层(3)的端部的至少一部分的端面密封结构(7)。这里，光电转换层(5)含有有机材料，且将光转换成能量，第二密封层(3)具有比第一密封层(4)更低的水蒸气透过率，且第一密封层(4)的至少一部分与端面密封结构(7)隔离。

公开(公告)号：CN102884577B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201280001113.2

申请日：2012-02-24

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 槌野晶夫 ,  西原孝史 ,  草田英夫 ,  儿岛理惠 ,  山田升

IPC: G11B7/24038 ,  G11B7/2433 ,  G11B7/24035 ,  G11B7/252

CPC classification number: G11B7/24 ,  G11B7/2403 ,  G11B7/24038 ,  G11B7/24041 ,  G11B7/252 ,  G11B7/2578 ,  G11B7/266

Abstract: 本发明提供一种光学信息记录介质，其包含三层以上的信息层，被配置在光入射侧的至少一个信息层是能够改写信息的信息层，在从光入射侧按如下顺序至少具有记录膜、由包含Bi、Ti以及O的电介质构成的透过率调整膜、以及隔离膜的信息记录介质中，将所述隔离膜设置为：在所述透过率调整膜和在与光入射侧相反侧使所述信息层与其它信息层分离的中间分离层之间且与它们相接，并且将所述隔离膜的波长405nm处的光学常数的折射率设为1.8以下，且衰减系数设为0.05以下，防止在严酷的环境下的反复改写特性的变差。

公开(公告)号：CN104968632B

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201480000787.X

申请日：2014-01-31

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 钱谷勇磁 ,  西原孝史 ,  浅野哲也

IPC: C04B35/48 ,  C04B35/50 ,  C04B35/495

Abstract: 本发明提供质子导体，其具有以组成式AaB1‑xB’xO3‑δ表示的钙钛矿型晶体结构，A是选自2族元素中的至少1种，B是4族的元素或Ce，B’是3族元素、13族元素或镧系元素，0.5＜a≤1.0，0.0≤x≤0.5，并且0.0≤δ＜3，组成式的电荷在‑0.13以上且小于+0.14的范围中偏离电中性。

公开(公告)号：CN104969302B

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201480000773.8

申请日：2014-01-24

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 钱谷勇磁 ,  西原孝史

IPC: H01B1/08 ,  H01M8/1246

CPC classification number: H01M8/1016 ,  C04B35/01 ,  C04B35/486 ,  C04B35/50 ,  C04B35/505 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/81 ,  C23C14/088 ,  H01B1/08 ,  H01M8/1246 ,  H01M2300/0071 ,  H01M2300/0074 ,  Y02E60/525 ,  Y02P70/56

Abstract: 一种具有组成式AaB1‑xB’xO3‑δ所示的钙钛矿型晶体结构的质子传导体，其中，A元素为碱土金属，表示该元素的组成比率的a值为0.4＜a＜0.9的范围，B’元素为3价的3族和13族元素，表示该元素的组成比率的x值为0.2＜x＜0.6的范围。

公开(公告)号：CN102918593B

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201280001449.9

申请日：2012-02-24

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 儿岛理惠 ,  槌野晶夫 ,  草田英夫 ,  西原孝史 ,  山田升

IPC: G11B7/2433 ,  G11B7/2578 ,  G11B7/26

CPC classification number: G11B7/2433 ,  G11B7/24027 ,  G11B7/24035 ,  G11B7/24038 ,  G11B7/252 ,  G11B7/266 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316

Abstract: 本发明提供一种信息记录介质及其制造方法。该信息记录介质包括3个以上的信息层，且至少一个信息层包括记录层和核生成层，记录层含有由化学式(1)即[(Ge0.5Te0.5)x(In0.4Te0.6)1-x]ySb100-y(mol％)表示且x满足0.8≤x＜1.0、y满足95≤y＜100的材料，并且核生成层含有由化学式(2)即(Ge0.5Te0.5)z(Bi0.4Te0.6)100-z(mol％)表示且z满足10≤z≤71的材料，并且核生成层与记录层相接的信息记录介质，即使形成较小的记录标记，也能够得到足够的信号振幅，并稳定地保存较小的记录标记。