公开(公告)号：CN110234613B

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN201880008514.8

申请日：2018-01-23

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： B·G·艾特肯

IPC: C03C3/21 ,  G02B1/00

Abstract: 本文所揭示的TiNb‑磷酸盐玻璃相比于传统Ti‑磷酸盐玻璃组合物存在数个优势。本文所揭示的玻璃具有低失透倾向性并且可以通过熔体猝冷加工并形成为宏观组件。尽管存在铌，但是玻璃具有高稳定性指数并且是化学耐久的。本文所揭示的玻璃是透明的并且还具有高折射率，使得它们适用于光学应用。

公开(公告)号：CN112753072A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201980062737.7

申请日：2019-09-12

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： B·G·艾特肯 ,  S·M·加纳 ,  T·D·凯査姆 ,  D·A·诺兰 ,  杨俊 ,  张海涛

IPC: G11C13/04 ,  C04B35/486

Abstract: 一种陶瓷波导，其包括：掺杂的金属氧化物陶瓷芯体层；以及围绕所述芯体层并且包含所述金属氧化物的至少一个包覆层，使得所述芯体层包含铒掺杂剂和至少一种稀土金属掺杂剂或至少一种非稀土金属掺杂剂，所述稀土金属掺杂剂是：镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铥、镱、镥、钪，或其氧化物，所述非稀土金属掺杂剂包括锆或其氧化物。还包括了一种量子存储器，其包括：至少一个具有陶瓷波导的掺杂的多晶陶瓷光学装置，以及包括一种制造陶瓷波导的方法。

公开(公告)号：CN104428265B

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201380018042.1

申请日：2013-03-27

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： B·G·艾特肯 ,  M·E·波丁 ,  N·F·伯雷利 ,  N·T·隆罗斯 ,  M·A·恰萨达

IPC: C03C3/066 ,  C03C3/068 ,  C03C3/14 ,  C03C3/145 ,  C03C3/15 ,  C03C3/19 ,  C03C3/23 ,  C03C8/24 ,  C03C14/00 ,  C03C17/00

CPC classification number: C03C14/006 ,  C03B19/02 ,  C03B19/06 ,  C03B2201/62 ,  C03C3/066 ,  C03C3/068 ,  C03C3/14 ,  C03C3/145 ,  C03C3/15 ,  C03C3/19 ,  C03C3/23 ,  C03C3/247 ,  C03C4/12 ,  C03C8/24 ,  C03C17/007 ,  C03C2204/00 ,  C03C2214/04 ,  C03C2214/16 ,  C03C2217/452 ,  C03C2217/47 ,  C03C2217/48 ,  C09K11/02 ,  C09K11/7774 ,  H01L33/50 ,  H01L33/501 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的实施方式涉及可用于LED照明装置的含磷光体玻璃料，以及相关的用于制造含磷光体玻璃料的方法，以及它们在玻璃制品如LED装置中的用途。

公开(公告)号：CN102414139B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201080019235.5

申请日：2010-02-26

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： B·G·艾特肯

IPC: C03C3/16 ,  C03C3/21 ,  C03C8/24

CPC classification number: C03C3/16 ,  C03C3/21 ,  C03C8/24

Abstract: 本发明描述了过渡金属掺杂的磷酸锡玻璃组合物以及制造过渡金属掺杂的磷酸锡玻璃组合物的方法，所述玻璃组合物可以用于例如密封用途。

公开(公告)号：CN100527416C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200580028046.3

申请日：2005-08-03

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： K·P·加德卡尔 ,  M·J·德杰纳卡 ,  L·R·平克尼 ,  B·G·艾特肯

IPC: H01L27/01

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明涉及具有应变半导体层的绝缘体上半导体结构。根据本发明的一个实施例，一种绝缘体上半导体结构具有包括半导体材料、附连到包括玻璃或玻璃陶瓷的第二层的第一层，且将半导体和玻璃或玻璃陶瓷的CTE选择成使第一层受到拉伸应变的作用。本发明还涉及该应变绝缘体上半导体层的制造方法。

公开(公告)号：CN101130861A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200710141800.5

申请日：2007-08-24

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： B·G·艾特肯 ,  C·P·安 ,  B·Z·汉森 ,  M·A·奎萨达

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/448 ,  C23C16/56 ,  H01L21/56 ,  H01L51/00 ,  H01L23/29 ,  F16J15/00

CPC classification number: H01L51/5253 ,  C23C14/06 ,  H01L31/048 ,  Y02E10/50

Abstract: 揭示一种磷酸锡防渗透膜及方法和设备。该方法包括以下步骤：在器件的至少一部分上沉积磷酸锡的低液相线温度(LLT)的无机材料，形成沉积的磷酸锡LLT材料；在基本上不含氧气和湿气的环境中对沉积的LLT材料进行热处理，形成气密式密封；其中，沉积LLT材料的步骤包括使用含钨的电阻型加热元件。还揭示一种有机电子器件，该器件包括基板；至少一层电子层或光电子层；和磷酸锡LLT防渗透层，其中，电子层或光电子层被气密式密封在磷酸锡LLT防渗透层和基板之间。还揭示一种设备，其至少一部分用磷酸锡LLT防渗透层密封。

公开(公告)号：CN101091251A

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200580028047.8

申请日：2005-08-17

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： B·G·艾特肯 ,  M·J·德内卡 ,  K·P·加德卡里 ,  L·R·平克尼

IPC: H01L27/01 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01L27/1203 ,  C03C3/06 ,  C03C3/085 ,  C03C3/095 ,  C03C3/097 ,  C03C3/11 ,  C03C10/00 ,  C03C10/0009 ,  C03C10/0018 ,  C03C10/0027 ,  C03C10/0036 ,  C03C10/0045 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明涉及具有应变的半导体层的绝缘体上半导体结构。根据本发明的一个实施方式，绝缘体上半导体结构具有包含半导体材料的第一层，该第一层与包含玻璃或玻璃－陶瓷的第二层相结合，所述玻璃或玻璃－陶瓷的应变点等于或高于大约800℃。

公开(公告)号：CN1113218A

公开(公告)日：1995-12-13

申请号：CN95102315.2

申请日：1995-04-08

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： B·G·艾特肯 ,  M·A·纽豪斯

IPC: C03C3/32 ,  C03C4/10

CPC classification number: C03C3/321 ,  C03C3/323 ,  C03C4/10 ,  C03C4/12 ,  Y10S501/904

Abstract: 本发明涉及在电磁辐射光谱的远红外区域内具有极好透射性的透明玻璃的生产，以硫化物的摩尔百分数表示，所述玻璃的组成基本上为：55—95％GeS2；2—40％As2S3；0.01—20％R2S3；0—10％MSx，0—20％至少一个选自氯化物和/或氟化物的总量；0—5％硒化物总量；该玻璃的结晶起始温度和玻璃化转变温度之差至少150℃，且一般大于200℃。

公开(公告)号：CN116806210A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202280011412.8

申请日：2022-01-07

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： B·G·艾特肯 ,  罗健 ,  马丽娜 ,  A·I·普利文

IPC: C03C3/17

Abstract: 玻璃组合物包含氧化铌(Nb2O5)、氧化磷(P2O5)和氧化钛(TiO2)作为必要成分，并且可以任选地包含氧化钙(CaO)、氧化钾(K2O)、氧化钡(BaO)、氧化钠(Na2O)、氧化锂(Li2O)、氧化镁(MgO)、氧化锌(ZnO)以及其他组分。玻璃可以表征为在具有相当的室温低密度的情况下具有587.56nm处的高折射率。

公开(公告)号：CN102574726A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080029247.6

申请日：2010-05-27

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： B·G·艾特肯 ,  J·E·小迪肯森 ,  T·J·基克辛斯基 ,  M·D·皮尔森斯塔尔

IPC: C03C3/087 ,  C03C3/091

CPC classification number: H01L31/03925 ,  C01B19/007 ,  C01P2006/40 ,  C03C3/087 ,  C03C3/091 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/0445 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543

Abstract: 本文描述了含钠的铝硅酸盐和硼铝硅酸盐玻璃。所述玻璃可用作光伏器件的基板，例如薄膜光伏器件，如CIGS光伏器件。这些玻璃的特征是其应变点≥540℃，热膨胀系数为6.5-9.5ppm/℃，液相线粘度超过50000泊。因此，它们理想地适合通过熔合法成形为板材。