掺杂稀土的金属氧化物陶瓷波导量子存储器及其制造方法

    公开(公告)号:CN112753072A

    公开(公告)日:2021-05-04

    申请号:CN201980062737.7

    申请日:2019-09-12

    Abstract: 一种陶瓷波导,其包括:掺杂的金属氧化物陶瓷芯体层;以及围绕所述芯体层并且包含所述金属氧化物的至少一个包覆层,使得所述芯体层包含铒掺杂剂和至少一种稀土金属掺杂剂或至少一种非稀土金属掺杂剂,所述稀土金属掺杂剂是:镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铥、镱、镥、钪,或其氧化物,所述非稀土金属掺杂剂包括锆或其氧化物。还包括了一种量子存储器,其包括:至少一个具有陶瓷波导的掺杂的多晶陶瓷光学装置,以及包括一种制造陶瓷波导的方法。

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