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公开(公告)号：CN1932695B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN200610143757.1
申请日：2006-09-15
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11B7/0065 , G03H1/00
CPC classification number: G11B7/1374 , G03H1/0465 , G03H1/12 , G03H2223/13 , G03H2223/17 , G03H2225/55 , G11B7/0065 , G11B7/00772
Abstract: 一种全息记录/再现装置，包括在全息记录/再现介质上进行记录和再现操作的记录/再现光学单元。该光学单元包括发射激光的激光源，从激光产生具有共同光路的信号光和参考光的空间光调制器，设置在该调制器附近或者设置在该调制器的共扼平面中并至少透射参考光的相位掩模，以及包括第一透镜部分和第二透镜部分的物镜。该第一透镜部分设置在内缘部分并起到将信号光聚焦到预定点的傅里叶变换透镜的作用。该第二透镜部分设置在外缘部分并具有连续地或离散地设置在物镜的光轴方向上并位于该全息记录/再现介质中接近预定点的部分的焦点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101625879A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910158963.3
申请日：2009-07-10
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 小岛直人
IPC: G11B7/24 , G11B7/242 , G11B7/241 , G11B7/005 , G11B7/0045
CPC classification number: G11B7/1374 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , G11B7/0045 , G11B7/005 , G11B7/1387 , G11B7/24035 , G11B7/2433 , G11B2007/13727
Abstract: 本发明公开了光学信息记录介质、记录粒子、光学信息再生方法、光学信息再生装置、光学信息记录方法以及光学信息记录装置，其中，该光学信息记录装置包括记录层，其中，具有100nm以下直径的纳米粒子在被具有根据光的照射而改变的复数介电常数的介质包围的情况下被设置，并且由纳米粒子产生的局部等离振子共振的程度随介质的复数介电常数的改变而改变。通过本发明，可以接收通过局部等离振子共振产生并具有高强度的散射光来作为返回光。
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公开(公告)号：CN1932695A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610143757.1
申请日：2006-09-15
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G03H1/00
CPC classification number: G11B7/1374 , G03H1/0465 , G03H1/12 , G03H2223/13 , G03H2223/17 , G03H2225/55 , G11B7/0065 , G11B7/00772
Abstract: 一种全息记录/再现装置，包括在全息记录/再现介质上进行记录和再现操作的记录/再现光学单元。该光学单元包括发射激光的激光源，从激光产生具有共同光路的信号光和参考光的空间光调制器，设置在该调制器附近或者设置在该调制器的共扼平面中并至少透射参考光的相位掩模，以及包括第一透镜部分和第二透镜部分的物镜。该第一透镜部分设置在内缘部分并起到将信号光聚焦到预定点的傅里叶变换透镜的作用。该第二透镜部分设置在外缘部分并具有连续地或离散地设置在物镜的光轴方向上并位于该全息记录/再现介质中接近预定点的部分的焦点。
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公开(公告)号：CN101393747A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810211548.5
申请日：2008-09-19
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 小岛直人
IPC: G11B5/127 , G11B5/31 , G11B5/012 , G11B11/105
CPC classification number: G11B5/02 , G11B5/1278 , G11B5/314 , G11B7/1387 , G11B11/10534 , G11B2005/0002 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明公开了一种光辅助磁头装置、光辅助磁记录装置以及光辅助磁记录方法。光辅助磁头装置包括聚焦光学系统和具有主磁极的薄膜磁头。聚焦光学系统包括半球形或超半球形的固体浸没透镜。薄膜磁头包括在主磁极的光入射侧上引起表面等离子体振子共振的金属层。
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公开(公告)号：CN101635147B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200910145583.6
申请日：2009-06-03
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11B7/1387 , G11B7/24 , G11B7/26 , G11B7/007 , B82Y10/00
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B7/00454 , G11B7/005 , G11B7/007 , G11B7/1387 , G11B7/24035 , G11B7/24047 , G11B7/243 , G11B7/266 , G11B2007/24304 , G11B2007/24306 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/2432 , G11B2007/24322 , G11B2007/24324 , G11B2007/24328
Abstract: 本发明涉及信号检测装置和信号检测方法。一种信号检测装置包括：半导体衬底；近场光发生部分，其设置在所述半导体衬底上并在与所述半导体衬底的界面附近产生近场光；光源，其输出具有对应于所述半导体衬底的材料的带隙能量的约一半大的光子能量的波长的光；以及电流检测单元，其检测在所述近场光被产生时在所述半导体衬底中产生的光电流。
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公开(公告)号：CN101635147A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910145583.6
申请日：2009-06-03
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11B7/00 , G11B7/135 , G11B33/00 , G11B11/105 , G11B11/03
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B7/00454 , G11B7/005 , G11B7/007 , G11B7/1387 , G11B7/24035 , G11B7/24047 , G11B7/243 , G11B7/266 , G11B2007/24304 , G11B2007/24306 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/2432 , G11B2007/24322 , G11B2007/24324 , G11B2007/24328
Abstract: 本发明涉及信号检测装置和信号检测方法。一种信号检测装置包括：半导体衬底；近场光发生部分，其设置在所述半导体衬底上并在与所述半导体衬底的界面附近产生近场光；光源，其输出具有对应于所述半导体衬底的材料的带隙能量的约一半大的光子能量的波长的光；以及电流检测单元，其检测在所述近场光被产生时在所述半导体衬底中产生的光电流。
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