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公开(公告)号：CN106057217B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201610208270.0
申请日：2016-04-06
申请人： 昭和电工株式会社
CPC分类号： G11B5/1278 , G11B5/667 , G11B5/7325 , G11B5/7379
摘要： 本发明提供垂直磁记录介质和磁记录再现装置。本发明的垂直磁记录介质是在非磁性基板上依次至少层叠背衬层、基底层、中间层、垂直磁记录层而成的，其中，所述背衬层至少具备具有非晶质结构的软磁性膜，所述基底层是从所述非磁性基板侧起层叠第1基底层和第2基底层而成的，所述第1基底层由非晶质结构的TiV合金构成，所述第2基底层包含NiW合金，所述中间层包含Ru或Ru合金，具有所述非晶质结构的软磁性膜、第1基底层、第2基底层相接地设置。
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公开(公告)号：CN104376851B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201410400273.5
申请日：2014-08-14
申请人： 西部数据(弗里蒙特)公司
IPC分类号： G11B5/187
CPC分类号： G11B5/23 , C23C16/06 , C23C16/403 , C23C16/45525 , G11B5/1278 , G11B5/1871 , G11B5/232 , G11B5/3116 , G11B5/3163
摘要： 本发明涉及用于垂直磁记录写入器的梯度写入间隙。本发明提供一种用于硬盘驱动器的磁写入器极。所述磁写入器极包括由非磁性层形成的第一斜面，所述第一斜面以第一角度形成并且延伸到第一喉部高度。所述磁写入器极进一步包括由所述非磁性层形成的第二斜面，其以大于所述第一角度的第二角度从所述第一斜面向远端延伸并且延伸到第二喉部高度。所述磁写入器极进一步包括由所述非磁性层形成的第三斜面，其以大于所述第二角度的第三角度从所述第二斜面向远端延伸。
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公开(公告)号：CN103854665B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201310625340.9
申请日：2013-11-28
申请人： 希捷科技有限公司
CPC分类号： G11B5/11 , G11B5/127 , G11B5/1278 , G11B5/3116 , G11B5/315
摘要： 一种数据写入器，一般至少配置有写极，该写极具有极侧壁以及连接前缘和后缘的连续的第一锥角。该写极可毗邻于侧屏蔽地定位，该侧屏蔽配置有削锥至屏蔽末梢的第一和第二屏蔽侧壁，该屏蔽末梢是写极和侧屏蔽之间的最近点。
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公开(公告)号：CN104835510B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201410451913.5
申请日：2014-09-05
发明人： 田口知子
CPC分类号： G11B5/35 , G11B5/11 , G11B5/1278 , G11B5/17 , G11B5/3146 , G11B2005/0024
摘要： 一种磁记录头，所述磁记录头包括在垂直于记录层的方向上生成记录磁场的主磁极，具有面对所述主磁极的尾侧的表面的写屏蔽，使得在所述表面和所述主磁极之间插入有写间隙，所述写屏蔽与所述主磁极一起形成磁芯，记录圈，在所述写间隙之内的高频振荡器，布线，通过所述布线电流可以连续地通过所述主磁极、所述高频振荡器和所述写屏蔽，以及由软磁材料制成的磁性元件，所述磁性元件被定位在所述写间隙之内并且与所述高频振荡器分离，并且被配置以形成磁路，所述磁路通过所述主磁极、所述磁性元件和所述写屏蔽，并且不通过所述高频振荡器。
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公开(公告)号：CN102044263B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201010511811.X
申请日：2010-10-14
申请人： 西部数据(弗里蒙特)公司
IPC分类号： G11B5/66
CPC分类号： G11B5/3116 , G11B5/1278 , G11B5/3163 , Y10T428/11
摘要： 本发明涉及用于镶嵌式垂直磁记录(PMR)写入装置的双图案化硬掩膜。本主题公开内容的各种实施例提供双图案化工艺，该工艺使用两个图案化步骤来生产具有带尖锐拐角的鼻形状的写入结构。在一个实施例中，提供一种在包括衬底和位于衬底上的绝缘层的多层结构上形成写入结构的方法。所述方法包括在绝缘层上方形成硬掩膜层，实施第一图案化工艺在硬掩膜层中形成杆轭形开口，实施第二图案化工艺移除硬掩膜层内的杆轭形开口的圆拐角，移除对应于硬掩膜层内的杆轭形开口的一部分绝缘层，以在绝缘层内形成沟槽，然后使用磁性材料填充所述沟槽。
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公开(公告)号：CN106067305A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201510450655.3
申请日：2015-07-28
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： G11B5/314 , G11B5/1278 , G11B2005/0024
摘要： 本发明的实施方式提供实现稳定的高频辅助且可以实现高记录密度化的磁记录头及具备其的盘装置。根据实施方式，磁记录头具备：空气支撑面(43)；主磁极(60)，其具有延伸到空气支撑面的前端部(60b)，且产生记录磁场；写防护件(62)，其与主磁极的前端部隔着写间隙相对，且与主磁极一起构成磁芯；以及高频振荡器(65)，其在写间隙内设置于主磁极与写防护件之间，且与主磁极及写防护件连接。高频振荡器具有在头部行进方向层叠的旋转注入层(65a)、中间层(65b)及振荡层(65c)，振荡层及旋转注入层分别具有在与空气支撑面交叉的方向延伸的层叠面。从空气支撑面离开的高度位置处的旋转注入层的头部行进方向的膜厚比空气支撑面处的旋转注入层的头部行进方向的膜厚形成得厚。
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公开(公告)号：CN106057217A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610208270.0
申请日：2016-04-06
申请人： 昭和电工株式会社
CPC分类号： G11B5/1278 , G11B5/667 , G11B5/7325 , G11B5/7379 , G11B5/725 , G11B5/733
摘要： 本发明提供垂直磁记录介质和磁记录再现装置。本发明的垂直磁记录介质是在非磁性基板上依次至少层叠背衬层、基底层、中间层、垂直磁记录层而成的，其中，所述背衬层至少具备具有非晶质结构的软磁性膜，所述基底层是从所述非磁性基板侧起层叠第1基底层和第2基底层而成的，所述第1基底层由非晶质结构的TiV合金构成，所述第2基底层包含NiW合金，所述中间层包含Ru或Ru合金，具有所述非晶质结构的软磁性膜、第1基底层、第2基底层相接地设置。
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公开(公告)号：CN102467912B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201110346175.4
申请日：2011-10-28
申请人： 希捷科技有限公司
IPC分类号： G11B5/10
CPC分类号： G11B5/127 , G11B5/1278 , G11B5/3116 , G11B5/315
摘要： 用于磁记录的写入部件包括主磁极和屏蔽物。主磁极具有相对于下磁道方向的第一和第二侧。该屏蔽物用连续地凹入的内侧壁来至少部分地围绕该主磁极。该屏蔽物的内侧壁和该写入部件的移动方向之间的角度大于该主磁极的侧面和该移动方向之间的角度。
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公开(公告)号：CN105825874A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610048344.9
申请日：2016-01-25
申请人： HGST荷兰有限公司
CPC分类号： G11B5/31 , G11B5/1278 , G11B5/235 , G11B5/3146 , G11B2005/0024 , G11B5/6041
摘要： 本发明涉及用于自旋转矩振荡器(STO)的稳定层。在一个实施例中，一种自旋转矩振荡器(STO)包括：基准层，其具有能够自由面内旋转的磁化强度；场产生层(FGL)，其包括具有实质上在膜平面中的易磁化平面的至少一个磁膜，其中FGL的磁化强度能够面内旋转；和稳定层(STL)，其位于FGL的与基准层相对的一侧上，STL包括在膜平面中具有实际上易磁化平面的磁膜，其中STL的磁化强度能够面内旋转，其中STL的饱和磁化强度与STL的厚度的乘积小于FGL的磁化强度与FGL的厚度的乘积的一半。
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公开(公告)号：CN102290052B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201110220010.2
申请日：2011-06-14
申请人： 希捷科技有限公司
IPC分类号： G11B5/39
CPC分类号： G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/1278 , G11B5/3912 , G11B5/3967 , G11B2005/3996
摘要： 一种装置包括磁阻读元件、第一和第二主屏蔽件以及辅助屏蔽件。磁阻读元件位于第一和第二主屏蔽件之间，辅助屏蔽件位于磁阻读元件和第一主屏蔽件之间。在另一实施例中，该装置包括介于磁阻元件的多个屏蔽件之间的多个磁铁。可选地，多个磁铁与磁阻元件发生偏离。
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