-
公开(公告)号：CN105304097B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201510353545.5
申请日：2015-06-24
申请人： 西部数据(弗里蒙特)公司
IPC分类号： G11B5/39
CPC分类号： G11B5/11 , G11B5/112 , G11B5/3912 , H01L43/02
摘要： 本发明涉及一种用于磁记录磁头的磁屏蔽件，该磁屏蔽件包括多个铁磁层、间隔层和缓冲层，其中缓冲层包括Co、Fe、B或其组合并有效地减少铁磁层内的不规则晶粒生长，间隔层包括Ru，并且铁磁层通过缓冲层和间隔层的每个磁耦合。
-
公开(公告)号：CN103886873B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201310594776.6
申请日：2013-11-21
申请人： 希捷科技有限公司
CPC分类号： G11B5/3163 , G11B5/112 , G11B5/1272 , G11B5/3909 , G11B5/3912 , G11B5/3948 , G11B5/3958 , G11B2005/3996 , H01J37/32009 , H01J2237/334 , Y10T29/49046 , Y10T29/49052
摘要： 一种多读取器方法和装置。根据一个实施例，可制造多读取器，由此能在操作中同时地从存储设备的多个区域进行读取。可配置这种设备，例如通过形成第一壁、形成第二壁并利用第一壁和第二壁来形成两个毗邻的读取器叠层。
-
公开(公告)号：CN103871427B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201310670439.0
申请日：2013-12-10
申请人： 希捷科技有限公司
发明人： V·B·萨波日尼科夫 , M·S·U·帕特瓦瑞 , S·E·麦肯雷 , K·R·尼克拉厄弗 , E·W·辛格尔顿 , 李宰荣
CPC分类号： G11B5/11 , G11B5/3912 , G11B5/3932 , G11C11/161
摘要： 本申请公开了具有变化的各向异性的侧屏蔽。各实施例一般针对一种具有至少磁性元件的数据存储设备，该磁性元件具有在空气承载表面(ABS)上位于至少一个侧屏蔽附近并与之隔离的磁性叠层。侧屏蔽可配置有沿下道方向的预定的各向异性差异。
-
公开(公告)号：CN103811024B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201310534313.0
申请日：2013-10-31
申请人： 希捷科技有限公司
IPC分类号： G11B5/11
CPC分类号： G11B5/3906 , G11B5/11 , G11B5/3146 , G11B5/3912 , Y10T428/1121 , Y10T428/1129 , Y10T428/115
摘要： 本申请公开了具有包括镍合金的屏蔽的磁性设备。一种设备包括磁阻传感器、顶部屏蔽和底部屏蔽的器件，其中磁阻传感器位于顶部屏蔽和底部屏蔽之间，且其中底部屏蔽和顶部屏蔽中的至少一个包括NiFeX，其中X选自Nb、Mo、Ta或W。
-
公开(公告)号：CN104252867B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201410294225.2
申请日：2014-06-26
申请人： 希捷科技有限公司
发明人： E·W·辛格尔顿 , K·尼古拉维 , 谭利文 , 李宰荣 , V·B·萨波日尼科夫 , M·S·U·帕特瓦瑞
IPC分类号： G11B5/39
CPC分类号： G11B5/3912 , G11B5/3909 , G11B5/3929 , G11B2005/3996
摘要： 本发明涉及磁阻传感器。此处公开的设备包括具有第一层的传感器叠层以及与第一层接近的AFM稳定的底部护罩，其中AFM稳定的底部护罩被磁耦合至第一层。
-
公开(公告)号：CN105575407A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510916312.1
申请日：2015-09-08
申请人： HGST荷兰公司
IPC分类号： G11B5/39
CPC分类号： G11B5/3912 , G11B5/11 , G11B5/3146 , G11B5/39 , G11B5/3932 , G11B5/398 , G11B2005/3996 , G11B5/3906
摘要： 本文公开的实施例总体而言涉及一磁头，该磁头具有在垂直于面对介质的表面的方向上对准的传感器叠层和偏置材料。偏置材料的第一部分和传感器叠层被合成反铁磁(SAF)结构侧向夹抵，偏置材料的第二部分被介电材料侧向夹抵。在该构造中，SAF结构与偏置材料分离，这使得对偏置材料的干扰最小化。
-
公开(公告)号：CN104934046A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510334288.0
申请日：2015-03-23
申请人： HGST荷兰公司
CPC分类号： G11B5/3945 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3909 , G11B5/3912 , G11B5/3954 , G11B5/398
摘要： 公开的实施例总地涉及磁记录头中的读头。读头利用以下传感器结构，该传感器结构具有：从介质面对的表面凹进的被钉扎磁结构；以及读取器间隙结构。读取器间隙结构具有：从介质面对的表面凹进且布置在被钉扎磁结构的上面的间隔层；部分地从介质面对的表面凹进且布置在间隔层的上面的凹进的第一自由层；延伸至介质面对的表面且布置在第一自由层的上面的第二自由层；以及延伸至介质面对的表面布置在第二自由层的顶上的盖层。被钉扎磁结构、间隔层和第一自由层具有公共面，该公共面在相对于介质面对的表面的一角度上。
-
公开(公告)号：CN104821171A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510178423.7
申请日：2015-01-30
申请人： HGST荷兰公司
CPC分类号： G11B5/398 , G11B5/3163 , G11B5/39 , G11B5/3912 , H01L43/02 , H01L43/08
摘要： 本发明公开了磁传感器及其制造方法以及磁数据记录系统。一种磁传感器，具有第一传感器叠层部分，该第一传感器叠层部分包括自由层、非磁间隔或阻挡层、以及被钉扎层结构的一部分。该传感器具有形成在第一传感器叠层部分上面的第二传感器叠层部分。第二传感器叠层部分包括被钉扎层结构的第二部分和形成在上面的反铁磁材料层。第一传感器叠层部分形成有定义传感器的起作用的宽度和条高度的宽度和条高度，而上部可以被制造得更宽和更深而不影响传感器性能。由于与图案化整个传感器叠层所需的结构相比，第一传感器叠层部分的图案化在更薄的结构上进行，所以能够以更小的尺寸和更高的分辨率来进行图案化。
-
公开(公告)号：CN104240723A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410247902.5
申请日：2014-06-06
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： G11B5/39 , G11B5/3909 , G11B5/3912 , G11B5/3929 , G11B5/3948 , G11B5/3958 , G11B2005/3996 , Y10T428/1114 , Y10T428/1121 , Y10T428/1129
摘要： 本发明涉及电流垂直平面式磁阻读取传感器，其中堆叠层沿堆叠方向延伸；平行于堆叠方向的堆叠的边缘表面还平行于读取传感器的支承面并形成其至少一部分，支承面设计成在操作中面向记录介质，堆叠层包括：第一触点层；铁磁性的自由层，其在第一触点层的上方；在铁磁性层上方的非磁性层；铁磁性的自旋注入层，在非磁性层上方；以及在自旋注入层上方的第二触点层，使得电流能够在第二触点层和第一触点层之间沿电流垂直于平面的方向、平行于堆叠方向流动，堆叠层还包括一系列结构，每个结构在第一触点层和自由层两者中形成，每个结构的边缘表面与堆叠的边缘表面齐平；该系列结构沿平行于支承面且垂直于堆叠方向的方向延伸。还涉及读取传感器的制造方法。
-
公开(公告)号：CN104240722A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201310461793.2
申请日：2013-09-30
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： G11B5/31
CPC分类号： G11B5/3163 , G11B5/29 , G11B5/3909 , G11B5/3912 , G11B5/3932 , G11B5/3958 , G11B5/4886 , G11B5/4976
摘要： 本发明难以因再现的盘半径位置的不同而使再现信号的轨道间干扰量变化。根据实施方式，一种磁头，具备：第一再现元件；第一磁性膜，其在所述第一再现元件的第一侧壁隔着第一侧壁绝缘膜而形成；第二磁性膜，其在与所述第一侧壁相对的第一再现元件的第二侧壁隔着第二侧壁绝缘膜而形成；第二再现元件，其与所述第一再现元件电绝缘且在所述第一磁性膜上形成；第三磁性膜，其在所述第一磁性膜上形成；和第四磁性膜，其与所述第二再现元件电绝缘且在所述第一再现元件上形成。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
152 条记录 (耗时 0.017 秒)
